BROWSE
Detail
Registered Semiconductor channel resistor and apparatus and method for forming it
- Inventors
- Lee Sang-Heung, Jong-Won Lim, Kim Seong-Il, Youn Sub Noh, Kang Soo Cheol, Sungjae Chang, Hae Cheon Kim, Jung Hyunwook, Hokyun Ahn
- Application No.
- 10-2020-0169818 (2020.12.07) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2022-0018877 (2022.02.15)
- Registration No.
- 10-2375520-0000 (2022.03.14)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 19VU1700, Development of self-reliance platform in defense advanced semiconductor materials and components for weapon system, Jong-Won Lim
- Abstract
- 반도체 채널저항은 기판에 의한 기판저항 성분 및 기판 채널층의 전하로 인한 기판커패시턴스 성분과, 금속전극을 위한 오믹 공정으로 인한 오믹저항 성분이 존재하기 때문에, 반도체 채널저항을 종래의 단순 저항으로 구성하여 집적회로를 설계하거나 병렬 연결된 메인저항과 메인커패시터로 구성하여 설계하는 경우에는 설계결과와 측정결과 사이에 오차가 유발된다. 이 문제를 해결하기 위해, 제1포트와 제2포트 사이에, 병렬 연결된 저항 및 커패시터와, 이 병렬 연결된 저항 및 커패시터에 직렬 연결되는 오믹저항이 포함된 제1수동소자부를 포함하는 반도체 채널저항의 전기회로가 제공된다. 이 전기회로에는 추가적으로 상기 제1포트와 접지 사이에 연결된 제2수동소자부와, 상기 제2포트와 접지 사이에 연결된 제3수동소자부가 포함될 수 있는데, 여기서 제2수동소자부는 저항, 커패시터, 및 병렬연결된 저항과 커패시터 중 하나를 포함할 수 있고, 제3수동소자부는 저항, 커패시터, 및 병렬연결된 저항과 커패시터 중 하나를 포함할 수 있다.