상세정보
등록 전력 반도체 소자의 제조 방법
- 출원번호
- 10-2021-0163365 (2021.11.24) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2022-0102553 (2022.07.20)
- 등록번호
- 10-2574502-0000 (2023.08.30)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 20PB3700, 저결함(1x104cm-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1KV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발, 문재경
- 20JB2400, 수 kV급 고효율 초소형 전력반도체 핵심소재 기술, 문재경
- 초록
- 본 발명은 전력 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 그의 제조 방법은 기판 상에 하부 활성 층을 형성하는 단계와, 상기 하부 활성 층의 양측들 상에 상부 활성 층을 형성하는 단계와, 상기 상부 활성 층 및 상기 하부 활성 층 상에 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 기판 및 상기 하부 활성 층을 관통하여 상기 하부 활성 층의 하부 면에 연결되는 방열 및 전기적 접지 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 상부 활성 층은 상기 하부 활성 층의 일부를 노출시키는 마스크 막을 차폐 막으로 이용한 선택적 증착 방법에 의해 고농도로 도핑된 에피텍셜 성장될 수 있다.
- KSP 제안 키워드
- Power semiconductor, power semiconductor devices, semiconductor device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 전력 반도체 소자의 제조 방법 | 대한민국 | KIPRIS |