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Registered method for manufacturing power semiconductor device
- Inventors
- Mun Jae Kyoung, Kyu Jun Cho, Jang Yoo Jin, Woojin Chang
- Application No.
- 10-2021-0163365 (2021.11.24) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2022-0102553 (2022.07.20)
- Registration No.
- 10-2574502-0000 (2023.08.30)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 20PB3700, Development of high-quality Ga2O3 epitaxial material with low defect density (1x104cm-2) and power device technology with breakdown voltage (1KV), Mun Jae Kyoung
- 20JB2400, Several kV high efficiency ultra small power semiconductor core material technology, Mun Jae Kyoung
- Abstract
- 본 발명은 전력 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 그의 제조 방법은 기판 상에 하부 활성 층을 형성하는 단계와, 상기 하부 활성 층의 양측들 상에 상부 활성 층을 형성하는 단계와, 상기 상부 활성 층 및 상기 하부 활성 층 상에 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 기판 및 상기 하부 활성 층을 관통하여 상기 하부 활성 층의 하부 면에 연결되는 방열 및 전기적 접지 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 상부 활성 층은 상기 하부 활성 층의 일부를 노출시키는 마스크 막을 차폐 막으로 이용한 선택적 증착 방법에 의해 고농도로 도핑된 에피텍셜 성장될 수 있다.
- KSP Keywords
- Power semiconductor, power semiconductor devices, semiconductor device
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | method for manufacturing power semiconductor device | KOREA | KIPRIS |