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Registered Compound semiconductor device

화합물 반도체 소자
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Inventors
Sungjae Chang, Jung Hyunwook, Hokyun Ahn
Application No.
10-2021-0074293 (2021.06.08) KIPRIS
Publication No.
10-2022-0112159 (2022.08.10)
Registration No.
10-2658051-0000 (2024.04.11)
Country
KOREA
Project Code
20FU1200, Development of EHF 3D TIV integration process and InP/GaN device technology, Hokyun Ahn
Abstract
화합물 반도체 소자가 제공된다. 본 발명의 실시예들에 따른 화합물 반도체 소자는 기판의 상에 제1 방향으로 연장된 핀을 갖는 제1 반도체 층; 상기 제1 반도체 층 상에 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장된 상부 게이트 전극; 상기 핀의 측벽과 상기 상부 게이트 전극 사이의 제2 반도체 층; 상기 핀의 상면 및 상기 상부 게이트 전극 사이의 유전층; 및 상기 기판을 관통하여 상기 제1 반도체 층의 하면과 연결되는 하부 게이트 구조체를 포함할 수 있다.
KSP Keywords
Compound semiconductor device, compound semiconductor, semiconductor device
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Status Patent Country KIPRIS
Registered COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE UNITED STATES