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상세정보

등록 질화물 반도체 소자의 제조방법

발명자
이형석, 배성범, 김진식
출원번호
2021-0084058 (2021.06.28)
공개번호
10-2022-0138312 (2022.10.12)
등록번호
2613007 (2023.12.05)
출원국
대한민국
협약과제
20HB4600, 저결함 GaN 단결정 기판을 이용한 1kV급 수직형 GaN에피소재 기술개발, 이형석
KSP 제안 키워드
nitride semiconductor