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상세정보

등록 전력반도체 소자

전력반도체 소자
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발명자
문재경, 장우진, 조규준, 장유진, 김인규, 유성욱, 김성복
출원번호
10-2022-0045638 (2022.04.13) KIPRIS
공개번호
10-2022-0141759 (2022.10.20)
등록번호
10-2669198-0000 (2024.05.21)
출원국
대한민국
협약과제
21JB3400, 수 kV급 고효율 초소형 전력반도체 핵심소재 기술, 문재경
초록
본 발명은 전력반도체 소자에 관한 것을 제공한다. 전력반도체 소자는 기판, 상기 기판 상의 채널층, 상기 채널층 상에 제공되는 게이트 유전층, 상기 채널층의 상면이 함몰된 소스 및 드레인 영역들 상에 제공되는 에피택시얼 패턴들, 상기 게이트 유전층 상에 제공되고, 상기 소스 및 드레인 영역들 사이에 배치되는 게이트 전극, 상기 에피택시얼 패턴들 상에 제공되는 소스 및 드레인 전극들 및 상기 기판을 관통하여 상기 소스 및 드레인 영역들 중 하나에 연결되는 써멀 비아홀 방열 패턴을 포함하되, 상기 채널층은 상기 에피택시얼 패턴들과 인접하는 상기 소스 및 드레인 영역들에 산소 공공을 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 에피택시얼 패턴들을 덮는다.
KSP 제안 키워드
Power semiconductor, power semiconductor devices, semiconductor device