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Detail
Registered 전력반도체 소자
- Application No.
- 10-2022-0045638 (2022.04.13) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2022-0141759 (2022.10.20)
- Registration No.
- 10-2669198-0000 (2024.05.21)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 21JB3400, Several kV high efficiency ultra small power semiconductor core material technology, Mun Jae Kyoung
- Abstract
- 본 발명은 전력반도체 소자에 관한 것을 제공한다. 전력반도체 소자는 기판, 상기 기판 상의 채널층, 상기 채널층 상에 제공되는 게이트 유전층, 상기 채널층의 상면이 함몰된 소스 및 드레인 영역들 상에 제공되는 에피택시얼 패턴들, 상기 게이트 유전층 상에 제공되고, 상기 소스 및 드레인 영역들 사이에 배치되는 게이트 전극, 상기 에피택시얼 패턴들 상에 제공되는 소스 및 드레인 전극들 및 상기 기판을 관통하여 상기 소스 및 드레인 영역들 중 하나에 연결되는 써멀 비아홀 방열 패턴을 포함하되, 상기 채널층은 상기 에피택시얼 패턴들과 인접하는 상기 소스 및 드레인 영역들에 산소 공공을 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 에피택시얼 패턴들을 덮는다.
- KSP Keywords
- Power semiconductor, power semiconductor devices, semiconductor device