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Detail
Registered NITRIDE-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
- Inventors
- Jung Hyunwook, Jong-Won Lim, Kim Seong-Il, Youn Sub Noh, Sungjae Chang, Hae Cheon Kim, Choi Ilgyu, Hokyun Ahn, Lee Sang-Heung
- Application No.
- 10-2021-0110690 (2021.08.23) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2023-0028871 (2023.03.03)
- Registration No.
- 10-2668554-0000 (2024.05.20)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 21FU1100, Development of EHF 3D TIV integration process and InP/GaN device technology, Hokyun Ahn
- Abstract
- 주파수 특성이 향상된 질화물계 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 질화물계 고 전자 이동도 트랜지스터는, 기판 상에 순차적으로 기재된 순서대로 형성되는 전이층, 제1 반도체층 및 제2 반도체층과, 제2 반도체층 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극-여기서 소스 전극 및 드레인 전극의 외부와 내부는 격리됨-과, 제2 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극 상에 형성되는 제1 절연막-여기서 제1 절연막은 소스 전극 및 드레인 전극 상의 제1 절연막 부분이 식각됨-과, 소스 전극 및 드레인 전극 상에 형성되는 배선과, 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되는 개구부와, 개구부의 양쪽으로 형성되는 제1 유전체와, 제1 유전체 상에 형성되는 제2 유전체와, 제1 절연막, 배선, 제1 유전체 및 제2 유전체 상에 형성되는 제2 절연막-여기서 제2 절연막의 상면은 식각되고 그 측면은 존재함-과, 제1 유전체와 제2 유전체 사이 그리고 개구부와 제2 유전체 상에 형성되는 게이트 전극과, 제1 절연막, 배선, 제1 유전체, 제2 유전체 및 게이트 전극 상에 형성되는 제3 절연막-여기서 배선 상의 제3 절연막은 식각됨-과, 배선 상의 제3 절연막이 식각된 영역 상에 형성되는 도금층을 포함한다.
- KSP Keywords
- High electron, High electron mobility, High electron mobility transistor(HEMT), Manufacturing method, electron mobility, nitride-based