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Detail
Registered HVPE 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법
- Inventors
- Application No.
- 10-2022-0150535 (2022.11.11)
- Registration No.
- 10-2515944-0000 (2023.03.27)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 22PB2700, Development of high-quality Ga2O3 epitaxial material with low defect density (1x104cm-2) and power device technology with breakdown voltage (1KV), Mun Jae Kyoung
- 22JB1800, Several kV high efficiency ultra small power semiconductor core material technology, Mun Jae Kyoung
- Abstract
- 알파 산화갈륨 박막 상에 선택적인 영역만을 노출시키는 질화물 계열의 질화막 패턴을 형성하고, 부분적으로 노출된 부분에만 선택적 영역 성장 방식으로 재성장함으로써, 고품질의 패터닝된 알파 산화갈륨 재성장 패턴을 형성할 수 있는 HVPE 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
- KSP Keywords
- Area growth, Epitaxy growth, Film structure, Gallium Oxide, High Conductivity, Manufacturing method, Oxide thin films, Selective area, Selective area growth, Vapor phase epitaxy, halide vapor phase epitaxy, thin film(TF), thin film structure, vapor phase
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | HVPE 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법 | KOREA |