상세정보
등록 HVPE 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법
- 발명자
- 출원번호
- 10-2022-0150535 (2022.11.11)
- 등록번호
- 10-2515944-0000 (2023.03.27)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 22PB2700, 저결함(1x104cm-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1KV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발, 문재경
- 22JB1800, 수 kV급 고효율 초소형 전력반도체 핵심소재 기술, 문재경
- 초록
- 알파 산화갈륨 박막 상에 선택적인 영역만을 노출시키는 질화물 계열의 질화막 패턴을 형성하고, 부분적으로 노출된 부분에만 선택적 영역 성장 방식으로 재성장함으로써, 고품질의 패터닝된 알파 산화갈륨 재성장 패턴을 형성할 수 있는 HVPE 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
- KSP 제안 키워드
- Area growth, Epitaxy growth, Film structure, Gallium Oxide, Manufacturing method, Oxide thin films, Selective area, Selective area growth, Vapor phase, Vapor phase epitaxy, halide vapor phase epitaxy, high conductivity, thin film(TF), thin film structure
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
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| 등록 | HVPE 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법 | 대한민국 |