Registered
초기 성장모드 제어를 통한 고품질 베타 산화갈륨 호모에피 성장 방법과 이에 의해 제조된 고품질 베타 산화갈륨 구조물 및 그 전력반도체 소자
- Inventors
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문재경, 박지현, 전대우
- Application No.
- 2024-0125331 (2024.09.13)
- Registration No.
- 2826559 (2025.06.24)
- Country
- KOREA
- Project Code
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24JS1800, Several kV high efficiency ultra small power semiconductor core material technology,
Mun Jae Kyoung
- KSP Keywords
- Gallium Oxide, Growth method, Growth mode, High-quality, Homoepitaxial growth, Oxide structure, Power semiconductor, mode control, power semiconductor devices, semiconductor device