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상세정보

실리콘-게르마늄 양자 채널 나노 신소자
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참여자
민봉기, 김미진, 송영주
발행년월
200601
구분
최종
키워드
원천 기술, SOI 구조 성장 기술, SiGe SFET 구조 최적화, RAON 개발
출연처
한국전자통신연구원
주관기관
한국전자통신연구원
협약과제
05ZB1200, 실리콘-게르마늄 양자채널 나노 신소자 기술, 송영주