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Type Funding Org. Research Org.
Year ~ Keyword

Detail

실리콘-게르마늄 양자 채널 나노 신소자
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Participants
김미진, 송영주, 민봉기
Published
200601
Type
Final Report
Keyword
원천 기술, SOI 구조 성장 기술, SiGe SFET 구조 최적화, RAON 개발
KSP Keywords
Nano-device, quantum wells
Funding Org.
한국전자통신연구원
Research Org.
한국전자통신연구원
Project Code
05ZB1200, SiGe-based Quantum Channel Nano-Device Technology, Young Joo Song
Abstract
본 연구실이 확보하고 있는 SiGe 반도체 기술 resource로 나노 신소자의 기반기술을 개발하여 향후 부딪히게 될 특허분쟁, 기술료 등의 문제를 공략하기 위해 원천기술의 발굴 및 특허확보, 국내의 학계와 산업체와 긴밀한 협조에 의한 연구 저변확대, 독창적 아이디어의 발굴, 실용화 체계강화에 역점을 두어 추진한다.
1. 원천기술 발굴 및 지적재산권 확보
: 기존의 SFET 구조관련 특허의 기능해석, 문제점 분석, 한계특성 해석을 통한 새로운 SFET 구조제안 및 핵심 원천기술개발
- 고이동도 SiGe/Si QW on SOI 구조 성장기술($X_{Ge}=0.2$)
- SiGe SFET 구조 최적화 연구
- 저온 래디컬 게이트 절연막 기술 (RAON)개발
- 1/f 잡음 측정분석 연구
2. 국내연구 실리콘-게르마늄 반도체 기술저변 확대
: 학계(초빙교수), 산업체등과 실리콘-게르마늄 반도체 신소자 기술(가칭) 협의체를 구성 및 워크샵 개최
3. 국외정보 수집 및 기술교류 확대
: IQE, Intel, UNAXIS 둥의 해외업체 등과 협력관계 유지 및 정보교류