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Detail

Ferroelectric (Hf,Zr)O2 Thin Film Fabrication Technology for Memristor

Manager
Moon Seungeon
Participants
Kang Seung Youl, Kim Jeong Hun, Moon Seungeon, Jaewoo Lee, Lee Joo Hyun, Lee Jin Ho, Im Jong Pil, Sunghoon Hong
Transaction Count
1
Year
2018
Project Code
18ZB1800, Development of Neuromorphic Hardware by using High Performance Memristor Device based on Ulta-thin Film Structure, Moon Seungeon
18HB2200, Brain-Inspired Neuromorphic Perception and Learning Processor, Lee Joo Hyun
18ZB1100, Development of Basic Technologies for 3D Photo-Electronics, Baek Yongsoon
- 멤리스터용 강유전체 박막 증착 기술
. 차세대 뉴로모픽 소자나 차세대 메모리의 핵심 소재인 (Hf,Zr)O2 강유전체 박막의 스퍼터링 방법을 이용한 대면적 증착 기술
ㅇ 멤리스터용 강유전체 박막 증착 기술로 차세대 뉴로모픽 소자나 차세대 메모리의 핵심 소재인 (Hf,Zr)O2 강유전체 박막의 스퍼터링 방법을 이용한 대면적 증착 기술입니다.
본 기술은 “멤리스터 소자용 (Hf,Zr)O2 강유전체 박막 제작 기술” 로서 스퍼터링 공정을 적용하여 대면적 제작이 가능하고, 동시에 기존에 가장 많이 사용되는 강유전체 박막인 SBT나 PZT 대비 얇은 두께에서도 강유전성을 가져서, 뉴로모픽 소자에의 적용 외에도 차세대 비휘발성 메모리 소자에서도 응용이 예상되는 장점이 있다.
ㅇ 멤리스터용 강유전체 박막 증착 기술
ㅇ 차세대 뉴로모픽 소자나 차세대 메모리의 핵심 소재인 (Hf,Zr)O2 강유전체 박막의 스퍼터링 방법을 이용한 대면적 증착 기술
○ 멤리스터 소자 기술은 전 세계적으로 연구 단계를 넘어 기술 상용화로 나아가고 있음. 따라서, 시장 선점을 위해 고성능 소재 기술과 소자 설계 기술의 융합을 위한 원천 기술 확보 중요
○ 멤리스터 소자 기술은 이학 및 공학, 생물학, 의학 등 다양한 분야의 긴밀한 융합이 필수적인 분야로 산학연 협업을 통해 기술 고도화 가능하므로 지속적인 기술 개량, 소재 개발 등 지속적인 개발을 통해 실제 인체 뇌와 유사한 인공 뇌 개발 및 기술 향상 기대
○ 초저전력, 저전압, 학습능력을 가진 뉴로모픽 소자를 이용하여 Brain-computer Interface, 복잡한 패턴 인식, 고속 검색, 유추/예측 기능을 기반으로 스마트 로봇, 자율주행차, 사물인터넷 등의 새로운 기술, 제품, 서비스로의 응용이 예상됨
○ 멤리스터와 같은 차세대 뉴로모픽 소자 뿐만 아니라 차세대 비휘발성 메모리 소자용 핵심 소재의 역할을 할 것으로 기대