ETRI-Knowledge Sharing Plaform

차세대 PON망을 지원하기 위한 광부품기술로, 파장당 50Gbps 동작속도, 고분기용 고출력 특성 및 고온 동작틍성 등과 IM/DD 방식을 기반으로하는 가격 경쟁력을 갖는 광원 기술 등을 포함함

ㅇ 이동통신망 고도화에 따른 유무선 융합지원이 가능한 차세대 엑세스망 적용이 가능한 가격경쟁력이 우수한 광원기술 개발 필요성
- 국제 표준기구는 유선 엑세스 가입자망 기술로 NG-PON2를 표준방식(G.989.2)으로 채택하여 급증하는 차세대 멀티미디어 서브스 진화에 대응
- NG-PON2는 하나의 파장을 복수의 가입자가 이용하는 기존의 TDM 방식의 기술에 다수의 파장이 추가되는 WDM 기술이 접목되어 복수의 가입자가 복수의 파장 채널까지 이용 가능한 기술
- NG-PON2 규격은 추후 10년 이상의 네트워크 수요를 대상으로 제안된 기술로써 파장가변에 의한 서비스 분리, 네트워크 분리, channel bonding 등의 TWDM 기술의 장점을 최대한 활용하기 위해서 최대 8 채널 파장, 파장가변 속도 및 상/하향 (10G/25G) 데이터 속도 등에 대해 표준화됨

ㅇ 가격 경쟁력 기반의 광원기술, 단일 활성층 기반 광원 및 광집적화 기술
ㅇ 고속, 고출역 동작
ㅇ 고온에서 우수한 특성으로 마이크로 히터 등의 장착을 통해 추가적인 기능 확정성 보유

가. 기술이전의 내용
ㅇ기술명: 50Gbps InAlGaAs DML 기술
- 가격 경쟁력을 갖는 변조방식 (DML 방식의 기술과 가격 및 성능적으로 대등 요구, 따라서 위상천이 구조를 통하여 성능 목표 달성요구)
- 성능은 50oC 환경에서 만족
- Ith < 15mA, >5dBm @70mA, SMSR > 45dB, To > 70K
- NRZ 25Gbps 동작 @ ER > 4dB, PAM4 50Gbps 동작 @ ER > 2dB(Outer ER)

나. 기술이전의 범위
ㅇ 50Gbps InAlGaAs DML 기술 관련 지재권(통상 실시권) 제공
- 단일활성층 성장방법 기반의 집적형 광소자 제작 방법, 출원번호 2023-0128454
- 동일한 활성 층을 갖는 외부 변조 소자, 출원번호 2023-0035288

ㅇ 기술문서 제공
- EAM lumped equivalent circuit 주파수 특성 조사
- 서브마운트 전송 특성 분석
- Analog RFoF 적용 위한 DML 제작 및 모델링
- RFoF 적용위한 DML 특성 모델링

ㅇ InAlGaAs DML 광소자 (ETRI 자체개발 구조) 이전 기술 성능 규격 데모

2) InAlGaAs DML 광소자 기술 관련 교육
- 월 1회 이상 기술이전 관련 교육
- InAlGaAs burst-mode 동작용 DML 광소자 기술 개발 연구원 (피)파견
(기술이전기간 동안 상시출입) 및 교육
; 설계 기술, 공정기술, 성능규격 시험분석 기술 및 광모듈 적용 지원 등

ㅇ 본 기술이전을 통해 제공된 “50Gbps InAlGaAs DML 기술”을 활용하여 차세대 유선, 무선 액세스 및 융합 엑세스용 광소자 부품을 개발함으로써 업체의 트랜시버 개발 시간과 비용을 절감하여, 국산화 달성 및 5G+/6G 유무선 융합망 시장 선점의 기회를 확보하고자 함