○ 기술명: 25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩 기술
- 변조속도: 25Gbps @ NRZ
- 동작파장: O-band 내 CWDM/DWDM 적용 가능 파장
- 소광비: 5 dB 이상
- 광출력: + 3dBm 이상 @ 50 oC, 60 mA
- 동작온도: -40 ~ +85 oC
- 칩 구조: 칩 단일모드 수율을 고려하여, 양면 AR/AR coating 구조를 채택함
나. 기술이전의 범위
1) ETRI 개발 “ 25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩 기술“ 관련 지재권 제공
○ 특허 통상 실시권 제공
- “OPTICAL SIGNAL GENERATING APPARATUS AND OPERATING METHOD THEREOF”, 10,291,327(등록)
- TUNABLE SEMICONDUCTOR LASER AND OPERATION METHOD THEREOF, 16/539,665 (출원)
- HIGH-OUTPUT POWER QUARTER-WAVELENGTH SHIFTED DISTRIBUTED FEEDBACK LASER DIODE, 16/561,420 (출원)
- 고출력 위상 천이 분포 궤환 레이저 다이오드, 2019-0080136(출원)
- 파장가변 반도체 레이저 및 그것의 동작 방법, 2018-0173892(출원)
- 파장 가변 레이저 소자, 2017-0175558(출원)
- 단일모드 분포궤환 레이저 다이오드, 2017-0162241(출원)
- 광 신호 생성 장치 및 그것의 동작 방법, 2017-0178771(출원)
○ 기술문서 제공
- 5GDFH-25GInAlGaAs_DFB(기술이전)-요구사항 정의서_v1.2
- 5GDFH-25GInAlGaAs_DFB(기술이전)-시험절차 및 시험결과서_v1.2
- 5G DFH-DEV-13um_InAlGaAs Strained QW_V.3.0, [3210-2018-02315]
- 5G DFH-DEV-13um DML_LDM_V.3.0, [3210-2018-02316]
- 5G DFH-DEV-직접변조소자 Epi 설계서_v1.0, [3220-2018-03688]
- 5GDFH-DEV-서브마운트설계서_v4.0, [4410-2019-01215]
- 5G DFH-DEV-레이저 DC 특성 측정 셋업_V.1.0, [3204-2016-01645]
- 5G DFH-DEV-직접변조소자 공정 설계서_v2.0, [3220-2017-03881]
- 5G DFH-DEV_O-band직접변조소자 개발 기술문서-V.3.0, [3220-2018-03741]
- 5G DFH-DEV_O-band직접변조소자 개발_V.1.0, [4410-2019-01210]
- 5G DFH-DEV-시험인증절차서-v4.0, [4410-2019-01216]
- 5G DFH-DEV_O-band직접변조소자 측정 기술문서-V.3.0, [3220-2018-03742]
- 5G DFH-DEV-DML 시험 결과서-v4.0, [4410-2019-01224]
- 5G DFH-DEV-C-Band 직접변조소자특성분석_v1.0, [4410-2019-01213]
- 5G DFH-DEV-DML 시험분석서-v2.0, [3220-2017-03929]
- “25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩” 광소자 (ETRI 자체개발 구조) 이전 기술 성능 규격 데모
2) “25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩“ 광소자 기술 관련 교육
○ 월 2회 이상 기술이전 관련 교육
○ “25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩 기술“ 광소자 기술 개발 연구원 파견 및 교육
; 설계 기술, 공정기술, 성능규격 시험분석 기술 및 광 모듈 적용 지원 등
○ 기술이전 일정 계획
* 기간: 2020. 9. 1 ~ 2020.9. 30