A. 기술이전 개요
- 본 기술은 InGaAs 박막의 background 도핑 농도를 이용하여 MOCVD 장비 성능을 평가하고, 이로부터 적외선 광센서 소자 제작에 MOCVD 장비 활용 유부를 판단하는 것이다.
B. 기술이전의 목적 및 필요성
- MOCVD 장비의 상태를 빠르게 판단하여 불필요한 시간 와 비용을 줄일 수 있다. 또한 MOCVD 장비의 수리 후 성능 평가에 활용 될 수 있다.
C. 기술의 특징 및 장점
- 본 기술은 MOCVD 장비로 성장한 고순도의 InGaAs 박막의 background 도핑 농도를 측정하여 광검출기용 활용 유무를 판단 가능
- MOCVD 장비를 이용하여 i-InGaAs 박막의 품질이 광검출기 성능을 결정하게 되므로 i-InGaAs 박막의 특성을 최적화 및 평가 방법이 매우 중요함
- InGaAs 박막을 이용하여 MOCVD 장비의 성능을 평가하여 광소자용 박막 성장 가능 유무를 판단함으로써 불필요한 시간과 비용을 낭비를 줄일 수 있음
본 기술은 MOCVD 장비로 성장한 고순도의 InGaAs 박막의 background 도핑 농도를 측정하여, MOCVD 장비의 적외선 광검출기 소자 제작 가능성을 빠르게 판단하여 불필용한 시간과 비용 지출을 줄일 수 있다.
- 본 기술은 MOCVD를 이용하여 3원 화합물 반도체 성장 기술에 관한 것으로 특히 고순도의 i-InGaAs 박막 성장 기술과 평가 기술에 관한 것이다. 고순도의 InGaAs 박막 기술은 MOCVD를 이용한 III-V 화합물 반도체 박막 성장의 기본이 되는 것으로 본 기술 습득으로 인하여 다양한 박막 성장의 기초가 될 것이다.
- 본 기술을 적용하여 제작된 광검출기의 특성은 누설전류가 적고 breakdown 전압이 높은 특성을 가짐
- 본 이전기술은 MOCVD 장비를 이용하여 InP 기판 위에 III-V 화합물 반도체인 InGaAs 반도체 박막 성장 및 평가 기술에 관한 것임
A. 기술명 : MOCVD를 이용한 IngaAs 박막 성장 기술
- VEECO사 LDM D180 MOCVD 장비를 이용한 undoped InGaAs 성장
- Background 도핑 농도가 낮은 InGaAs 성장조건
- Undoped InGaAs 특성
A. 기술명 : MOCVD를 이용한 InGaAs 박막 성장 기술
- i-InGaAs Hall 결과 및 DCXRD 분석 결과
- i-InGaAs 박막 평가용 기준 시료 2인치 4장 제공
- 본 기술의 주요 수요처는 MOCVD 시스템과 연관된 장비 업체, III-V 화합물 반도체 소자 업체 등 다영한 분야의 수요업체 확보가 가능할 것으로 판단됨
- 본 기술의 상용화를 통하여 광통신, 디스플레이, 조명산업 및 전력산업에서의 국내산업 경쟁력 확보 및 차세대 유망산업의 발굴이 가능하며, MOCVD와 관련된 장비산업의 활성화를 통하여 수입대체 효과가 기대됨.