Subjects : Epitaxy growth
| Type | Year | Title | Cited | Download |
|---|---|---|---|---|
| Journal | 2018 | Technical Trends of Semiconductors for Harsh Environments Woojin Chang 전자통신동향분석, v.33, no.6, pp.12-23 | 원문 | |
| Journal | 2017 | Epitaxial Junction Termination Extension (Epi-JTE) for SiC Power Devices Doohyung Cho IEICE Transactions on Electronics, v.E100.C, no.5, pp.439-445 | 0 | 원문 |
| Status | Year | Patent Name | Country | Family Pat. | KIPRIS |
|---|---|---|---|---|---|
| Registered | 2022 | HVPE 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법 | KOREA | ||
| Registered | 2022 | HVPE 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법 | KOREA |
| Type | Year | Research Project | Primary Investigator | Download |
|---|---|---|---|---|
| No search results. | ||||