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SiC 기반 트렌치형 차세대 전력 소자 핵심 기술 개발 (최종)
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참여자
구진근, 배윤규, 김상기, 이희태, 임병원, 이진호, 정진우, 노태문, 유성욱, 박건식, 원종일, 박준보, 박종문
발행년월
201802
구분
최종
키워드
SiC 다이오드, SiC MOSFET, 트렌치, 게이트 산화막, 오믹
KSP 제안 키워드
Power device
출연처
한국전자통신연구원
주관기관
한국전자통신연구원
DOI
10.22648/ETRI.2017.R.000124 
협약과제
17ZB1400, SiC 기반 트렌치형 차세대 전력소자 핵심기술 개발, 김상기