ETRI-Knowledge Sharing Plaform

KOREAN
연구보고서 검색
Type Funding Org. Research Org.
Year ~ Keyword

Detail

실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 인터페이스 플랫폼 원천 기술 개발 (4차년도)
Download 211 time
Participants
이대우, 김상훈, 김선애, 김상기, 김현탁, 주지호, 장기석, 김인규, 유성욱, 김경옥, 오진혁, 박재규, 곽명준
Published
201501
Type
Annual Report
Keyword
프로토콜 엔진, CMOS Interface IC, 광인터커넥트, 실리콘 광소자
KSP Keywords
Computer interface, Next-generation, silicon nanophotonics
Funding Org.
미래창조과학부
Research Org.
한국전자통신연구원
Project Code
14MB1300, Silicon Nanophotonics-based next-generation computer interface platform, Kim Gyungock
Abstract
Ⅰ. 해당 연도 추진 현황
Ⅰ-2 해당 연도 추진 실적

항목:o저전력 30G 실리콘 나노 포토닉 칩기술 개발

계획
- 30 Gbit/sec 실리콘 나노 포토닉 변조기 설계 제작

실적
□ 실리콘 PN diode 기반 Mach- Zehnder (MZ) Interferometer 타입의 실리콘 광 변조기설계 제작 (Mach- Zehnder Optical Modulator, MZM) 소자 설계, 포토마스크 제작 MZM Phase shifter길이: 1mm/750μm/500μm/250μm/100μm
-CMOS-compatible 실리콘 공정기반의 30G 실리콘 나노포토닉 변조기 제작
■ Silicon TRx Photonic Integrated Circuits (PIC)의 Transmitter (Tx) Part monolithic integration 설계, 제작 및 Tx 특성 측정
■ 고효율(High-modulation efficiency) 광변조기 특성 측정 결과
1) 제작된 소자의 광 투과스펙트럼 및 변조효율 (Modulation efficiency)
→측정된 FSR ~ 5.4 nm
Modulation efficiency VπLπ ~ 1.72Vcm, Phase shift ~ 0.146nm/V
2) 소자 동작전압(peak-to-peak) : 저전력 소모 특성 저전압 1.2~2.5Vpp 이하 성취
3) 소자 동작속도 및 소광비(ER, Extinction Ratio, On/Off ratio)
→ 30 Gbps 이상 고속 특성성취 소광비 (ER) @ 30 Gbps 동작시 > 4dB 이상 성취
→ 소광비> 4.6 dB @ 1.2 Vpp driving, 30 Gb/s작동시