ETRI-Knowledge Sharing Plaform

KOREAN
연구보고서 검색
Type Funding Org. Research Org.
Year ~ Keyword

Detail

SiC 기반 트렌치형 차세대 전력 소자 핵심 기술 개발 (최종)
Download 1208 time
Participants
Roh Tae Moon, Koo Jin-Gun, Bae Yoon Kyu, Lee Jin Ho, Park Kun Sik, Park Jong-Moon, Junbo Park, Lee Hee Tae, Lim Byung Won, Yoo Seong Wook, Jung Jin Woo, Won Jong Il, Kim Sang Gi
Published
201802
Type
Final Report
Keyword
SiC 다이오드, SiC MOSFET, 트렌치, 게이트 산화막, 오믹
KSP Keywords
Power device
Funding Org.
한국전자통신연구원
Research Org.
한국전자통신연구원
DOI
10.22648/ETRI.2017.R.000124 
Project Code
17ZB1400, Development of SiC based trench type next generation power device, Kim Sang Gi
Abstract
<연구내용 및 범위>
1. SiC 전력소자 TCAD 시뮬레이션 구축 및 소자 설계 기술
- TCAD Tool을 이용한 SiC 전력소자 시뮬레이션 환경 구축
- 1700V급 SiC 전력소자용 가드링 시뮬레이션 및 설계
- 1700V급 Trench형 SiC Diode/MOSFET 시뮬레이션 및 설계

2. SiC 전력소자 개발을 위한 핵심 공정 기술 개발
- SiC 기판 Trench 식각 공정 및 Trench 게이트 형성 공정기술개발
- 열산화막 및 게이트 절연막 형성 공정기술개발
- 불순물 Doping 및 PN 접합 형성 공정기술개발
- 미세패턴 형성 공정기술개발
- SiC MOSFET 채널 자기정렬 공정기술개발
- Ohmic접촉 형성 공정기술개발

3. 1700V/70A급 Trench형 SiC Diode 및 MOSFET 소자개발
- SiC 다이오드 제작 및 특성평가
- SiC MOSFET 제작 및 특성평가

4. SiC 전력소자의 ESD 보호회로 기술 개발