센서칩 설계에서 온도변화 또는 노이즈가 있는 전원이 인가되어도 일정한 전압원을 생성하는 BGR/LDO IP 설계는 필수 요소 기술이다.
기술이전내용은 TSMC 40nm GP공정의 BGR/ LDO 회로 IP 설계 기술을 이전한다.
기술명: BGR/LDO 회로 IP 기술
- BGR(bandgap reference)기준전압 및 전류원 회로 IP 기술
.동적 바이어스된 에러 오프엠프
.저전압 발생회로
- LDO(low-dropout voltage regulator) 전압원 회로 IP 기술
.저전력 에러 오프엠프
.디지털 제어할 수 있는 전압튜닝회로
기술명 : BGR/LDO 회로 IP 기술
- 기준전압발생기(BGR)회로도 및 레이아웃
. 입력전압을 2.0V~4.5V 인가했을 때 1V이하의 기준전압(VREF) 제공
. IP 레이아웃 사이즈 : 150x200um2 @TSMC 40nm GP공정
- 전압레귤레이터(LDO) 회로도 및 레이아웃
. 입력전압 2.5V에서 BGR의 출력 전류가 LDO로 33㎂입력 제공되고 LDO 출력전압 1.6~1.7V 범위
. IP 레이아웃 사이즈 : 250x250um2 @TSMC 40nm GP공정
- 기술 문서
. 사용설명서
. 성능평가 시험절차서 및 결과서