베타선 방식의 소형 양자난수발생기의 칩 제품화에 필요한 시스템 설계기술로서
목표로 하는 제품 사양에 맞춘 시스템 구조설계와 내부소자인 베타소스, 디텍터, CMOS Die 세부사양을 결정하는 방법을 기술한 문서를 함하고 있음.
이를 통해 내부소자들이 연결되었을 때, 난수를 출력하고 수집하여 난수의 통계분석 그래프를 만드는 방법을 기술한 문서를 포함하고 있음.
- 전세계 양자난수발생기 칩 시장은 스위스 ID Quantique사가 독점하고 있는 상황으로 본 기술이전을 통해 기존 선도제품들과는 다른 베타선 방식 양자난수발생기(β-QRNG)를 칩형태로 제품화한다면 저비용제조원가, 심플한내부구조, 고품질엔트로피 특성으로 가격/성능/크기 측면에서 확실한 경쟁우위를 가질 수 있음
- 칩형태의 β-QRNG을 만들기위해서는 (베타소스)+(베타디텍터)+(*CMOSASICDie), 3개 소자를 패키징해야 하는데, 이때 방사성동위원소(베타소스원료물질) 취급/판매 허가 업체, 방사선 관리구역이 있는 업체가 기술이전을 받을 경우 업체내 자체 시설에서 최종단계 패키징 공정과 테스트가 가능하므로 제약없이 제품화를 추진할 수 있음
베타선 방삭의 양자난수발생기는 세계최초 기술이며
이를 소형화 했을 때, 가격, 크기, 전력 측면에서 시장 경쟁력이 매우 높은 제품이 될 수 있다.
따라서 베타선 방식의 양자난수발생기를 제품화 하기 위한 최소한의 기술을 포함하고 있으며
내부소자 제작기술은 포함하고 있지 않다.
다만, 목표로 하는 제품사양에 맞춰 내부소자의 세부사양을 제시하고
이 사양대로 개발된 내부소자를 구매 혹은 추가적인 기술이전을 통해 확보할 수 있으면
내부소자들의 컴팩트한 연결로 초소형 양자난수발생기 패키징 칩을 제작할 수 있다.
베타선 QRNG 시스템 동작원리에 대한 설명과, 시스템 구조설계 방법 및 기능블록의 배치와 역할, 내부소자들의 성능버짓을 포함한 상세사양 도출 방법, 이종 소자간 연결방법,
출력된 난수 데이터의 통계적 분석 및 판단 기준, 국제표준에 따른 엔트로피 소스 적합성 검증, 암호학적 난수 적합성 검증 등의 내용
● β-QRNG 시스템기술 요구사항정의서
● β-QRNG 시스템기술 시험절차및결과서
● 고속 β-QRNG 구조 설계서
● 베타선 디텍터 아날로그회로 구조 설명서
● 펄스-to-난수변환 디지털회로 구조 설명서
- 본기술에서 목표로 하는 β-QRNG 칩은, 세계1위 IDQuantique社 어느제품군과도 비교우위(단위면적당속도,가격)로 분석되는 바, 사업화시 글로벌 경쟁이 가능한 제품임
- 또한 β-QRNG칩 내부소자들을 배열화하면 Higher-rateQRNG가 가능하기 때문에, 서버용, 데이터센터용, 국방용에서 요구하는 고속 QRNG 모듈/보드/랙으로 진전 가능