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Researchers
Detail
Junhyung Kim
- Department
- RF/Power Components Research Section
- Contact
- KSP Keywords
| Type | Year | Title | Cited | Download |
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Conference
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2024 | GaN HEMT 소자의 게이트 열처리 공정 유무에 따른 DC 특성 분석 김준형 한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2024, pp.693-693 | ||
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Conference
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2024 | A 15-W X-Band Power Amplifier MMIC Using 0.15-μm GaN HEMT Technology 장우진 대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2024, pp.521-524 | ||
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Journal
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2023 | Optimized recess etching criteria for T-gate fabrication achieving ft = 290 GHz at Lg = 124 nm in metamorphic high electron mobility transistor with In0.7Ga0.3As channel Jong Yul Park Electronics Letters, v.59, no.14, pp.1-3 | 1 |