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Conference
2021 0.1㎛ GaAs mHEMT 공정을 이용한 60 ㎓-대역폭 차동 분산형 증폭기 설계   심상훈  대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2021, pp.183-185
Conference
2009 0.1㎛ GaAs mHEMT 기술을 이용한 90 - 110 GHz MMIC Amplifier   강동민   군수용 초고주파부품 워크샵 2009, pp.1-1
Conference
2009 0.25 um BiCMOS 공정을 이용한 소형 광대역 SPDT 스위치   정진철   한국통신학회 종합 학술 대회 (하계) 2009, pp.1975-1976
Journal
2016 0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력증폭기   강동민   한국전자파학회논문지, v.27, no.1, pp.76-79 원문
Conference
2009 0.25um SiGe BiCMOS 공정을 사용한 Ku-대역 전력 증폭기 설계   노윤섭   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2009, pp.474-475
Conference
2022 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 Ku대역 SPDT 스위치 MMIC 개발   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2022, pp.354-354
Conference
2021 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 X 대역 20W 급 전력증폭기 MMIC 개발   노윤섭   통신 정보 합동 학술 대회 (JCCI) 2021, pp.1-1
Conference
2021 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 광대역 SPDT 스위치 MMIC 개발   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2021, pp.139-139
Conference
2002 0.2um PHEMT를 이용한 Q-band MMIC 증폭기   강동민   한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2002, pp.283-286
Journal
2015 0.34 VT AlGaN/GaN-on-Si Large Schottky Barrier Diode With Recessed Dual Anode Metal   Hyun-Soo Lee   IEEE Electron Device Letters, v.36, no.11, pp.1132-1134 50