A. 본 이전 기술은 질화물 반도체(GaN)에서의 크랙방지 에피성장 기술 및 고방열 패키징 기술이 포함됨.
1. 질화물 반도체(crack-free) 에피성장 기술
1) MOCVD를 이용한 저결함 GaN & AlxGa1-xN 에피기술
2) Crack-free AlxGa1-xN 에피층을 위한 선택성장 에피기술
3) Crack-free AlxGa1-xN 에피층을 위한 전이차단 패턴구조 및 성장기술
2. GaN 전력반도체 소자 기술 및 고방열 패키징 기술 내용
1) 고전류 GaN 전력 다이오드 설계 및 공정 기술
2) GaN Flip-chip 패키징 설계 및 공정 기술
3) PCD 기판을 이용한 고방열 기술
A. 본 이전 기술은 질화물 반도체(GaN)에서의 크랙방지 에피성장 기술 및 고방열 패키징 기술이 포함됨.
1. 질화물 반도체(crack-free) 에피성장 기술
1) MOCVD를 이용한 저결함 GaN & AlxGa1-xN 에피성장 기술문서
2) Crack-free AlxGa1-xN 에피층을 위한 선택성장 에피기술문서
3) Crack-free AlxGa1-xN 에피층을 위한 전이차단 패턴구조 및 성장 기술문서
4) 반도체 기판의 제조방법관련 국내특허 1건
2. GaN 전력반도체 소자 기술 및 고방열 패키징 기술 내용
1) 고전류 GaN 전력 다이오드 설계 및 공정 기술문서
2) GaN Flip-chip 패키징 설계/공정 기술문서
3) PCD 기판을 이용한 고방열 관련 기술문서
4) 고전압 GaN 반도체의 고방열 패키징 기술 관련 국제특허 1건