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SiC 기반 트렌치형 차세대 전력 소자 핵심 기술 개발 (1차년도)
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참여자
구진근, 김상기, 이진호, 박종문, 전치훈, 박준보, 박건식, 고상춘, 원종일, 정동윤, 이형석, 유성욱
발행년월
201512
구분
중간(연차)
키워드
SiC 다이오드, SiC MOSFET, 트렌치, 게이트 산화막, 오믹
KSP 제안 키워드
Power device
출연처
한국전자통신연구원
주관기관
한국전자통신연구원
협약과제
15ZB1600, SiC 기반 트렌치형 차세대 전력소자 핵심기술 개발, 김상기