X-band용 GaN 전력증폭기 기술
- 본 기술이전에서는 위성통신, 레이더 및 미사일 등 민/군수용으로 활용도가 높고 선진국에서의 기술 도입이 매우 어려워 자체적으로 기술 확보가 필수적인 민/군수용 무선시스템 송신부의 핵심기술인 X-band GaN 전력증폭기 기술을 기술이전을 통해 산업화시키기 위함임.
- 위성통신 및 레이더의 트랜시버에 필요한 X-band GaN 전력증폭기 기술을 중소기업에 기술이전하여 중소기업의 수익 창출은 물론 원활한 부품수급이 이뤄지고 국가적 측면에서 기술도입이 매우 어려운 GaN 전력 소자 기술에 대한 국익을 도모하기 위함.
- 1990년대 이후 전기 및 광소자의 응용 가능성이 보이면서 각국에서 중점적으로 연구를 하고 있으며 그 활용 분야가 광범위하다.
레이더, 유도무기 등 민/군수용으로 활용도가 높고 선진국에서의 기술도입이 매우 어려워 자체적으로 기술 확보가 필수적인 민/군수용 레이더 및 탐색기의 핵심기술 중의 하나임
X-band GaN 전력증폭기 기술
- 동작주파수 : 9 ~ 10 GHz
- 출력 전력(Psat) : > 41.8 dBm
- 이득(Gain) : > 20 dB
- 전력부가효율: > 30 %
- X-band용 GaN 전력증폭기 Layout
- X-band용 GaN 전력증폭기 공정 Runsheet
- X-band용 GaN 전력증폭기 공정 교육
- X-band용 GaN 전력증폭기 공정 완료된 웨이퍼 1장
- 관련 특허 및 기술문서
- 본 이전기술은 위성통신 송신기 전력 모듈, 레이더의 전력 모듈 등으로 활용되어, 이들 분야에서의 부품 기반기술 확보 및 시스템 기술 선도함.
- 고전력 GaN HEMT 소자 기술의 개발로 위성통신 및 레이다용 전력소자의 수입대체 효과 및 제조원가의 절감으로 부가 가치를 극대화 함.
- 핵심부품인 전력소자는 전량 외국에 의존하고 있는바 3년 이내에 전력증폭모듈 시장의 10%까지 시장 점유를 달성할 것으로 예상됨.