Subjects : power semiconductor devices
| Type | Year | Title | Cited | Download |
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| Conference | 2015 | Effects on Breakdown Voltage Characteristics of Various Field Plates in GaN FETs Woojin Chang International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2015, pp.1-2 |
| Status | Year | Patent Name | Country | Family Pat. | KIPRIS |
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| Registered | 2008 | Fabrication Method of Low Power Semiconductor Device using SOI BiCMOS | UNITED STATES | ||
| Registered | 2021 | 전력 반도체 소자 | KOREA | KIPRIS | |
| Registered | 2021 | 전력 반도체 소자의 제조 방법 | KOREA | KIPRIS | |
| Registered | 2021 | 전력 반도체 소자의 제조 방법 | KOREA | KIPRIS | |
| Registered | 2017 | 전력 반도체 소자의 제조 방법 | KOREA | KIPRIS | |
| Registered | 2022 | 전력반도체 소자 | KOREA | KIPRIS | |
| Registered | 2024 | 초기 성장모드 제어를 통한 고품질 베타 산화갈륨 호모에피 성장 방법과 이에 의해 제조된 고품질 베타 산화갈륨 구조물 및 그 전력반도체 소자 | KOREA |
| Type | Year | Research Project | Primary Investigator | Download |
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