인버터 시스템 내부에 적용 가능한 고효율 산화갈륨 SBD 소자 기술
o 산화갈륨 전력반도체 제조 공정 및 기술 개발은 정부지원의 대형프로젝트등과 같은 대형 프로젝트를 통해 소재, 소자 기술을 확보됨과 동시에 기술 이전을 함으로써 기업체의 시간 및 비용을 크게 감소할 수 있으며, 선진사와 기술 격차를 해소하고 기술 자립화가 이루어질 수 있음.
본 기술은 차세대 초소형 고효율 산화갈륨 전력반도체 소자 기술로, 울트라와이드밴디갭 특성으로 인하여 기존 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 및 질화갈륨(GaN) 기술 대비 성능은 우수하고 가격은 더 저렴한 칩 솔루션이다. 아직 글로벌 초창기 기술로 기술 선점 및 신시장 개척 기회가 많은 기술임.
고항복 전압 구현을 위한 산화갈륨 반도체 Trench 식각 구조 및field plate 기술과 함께 전력 소자의 효율과 관계되는 어노드와 캐소드간 소자 설계 및 구조를 최적화하는 기술까지, 향후 SBD 소자 성능 향상을 통한 제품 양산 및 보급까지 진행하기 위한 목적으로 기술이전의 필수성이 부각됨
o 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 평가 기술
- 산화갈륨 SBD 고전류 : > 2.0 A (@ T=25 oC)
- 산화갈륨 SBD 최대 전류 밀도 : > 700 A/㎠ (@ T=25 oC)
- 산화갈륨 SBD 최소 온저항 : < 10 mΩ·cm2 (@ T=25 oC)
- 산화갈륨 SBD 최대 항복전압 : > 500 V (@T=25 oC, 누설전류값이 10 ㎂)
o 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 및 평가 기술
- 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 시험절차 및 결과서
- 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 관련 기술문서
- 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 관련 특허
현재 개발된 1kW급 산화갈륨 SBD 소자를 기반으로 현재 보급이 빠르게 확산되고 있는 전기자동차와 전력 저장장치등에 적용할 수 있는 수 ~ 수십 kW급 SBDs 개발뿐만 아니라, 더 나아가 FETs(Field effect transistors) 소자 개발을 기대할 수 있음.
산화갈륨 전력반도체용 소자 공정 기술을 중소기업에 기술이전 함으로써 초기부터 시장 진입하는 계기를 마련하고, 중소기업의 가치 성장 및 일자리 창출은 물론이고 선제적 시장선점을 통해 해당 기술 경쟁력 확보 및 거대 미래시장과 소자 기술의 해외 의존성을 탈피할 것으로 기대됨.