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Year ~ Transaction Count Keyword

Detail

Gallium Oxide Power Devices for High Efficiency Inverter

Manager
Mun Jae Kyoung
Participants
Kim Min-Su, Mun Jae Kyoung, Yoo Seong Wook, Youn Doo Hyeb, Lee Hun Ki, Woojin Chang, Jang Yoo Jin, Kyu Jun Cho, Ju Jung Jin
Transaction Count
1
Year
2024
Project Code
24ZS1200, Proprietary basic research on computing technology for the disruptive innovation of computational performance, Youn Chun Ju
24JS1800, Several kV high efficiency ultra small power semiconductor core material technology, Mun Jae Kyoung
21JB3400, Several kV high efficiency ultra small power semiconductor core material technology, Mun Jae Kyoung
인버터 시스템 내부에 적용 가능한 고효율 산화갈륨 SBD 소자 기술
o 산화갈륨 전력반도체 제조 공정 및 기술 개발은 정부지원의 대형프로젝트등과 같은 대형 프로젝트를 통해 소재, 소자 기술을 확보됨과 동시에 기술 이전을 함으로써 기업체의 시간 및 비용을 크게 감소할 수 있으며, 선진사와 기술 격차를 해소하고 기술 자립화가 이루어질 수 있음.
본 기술은 차세대 초소형 고효율 산화갈륨 전력반도체 소자 기술로, 울트라와이드밴디갭 특성으로 인하여 기존 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 및 질화갈륨(GaN) 기술 대비 성능은 우수하고 가격은 더 저렴한 칩 솔루션이다. 아직 글로벌 초창기 기술로 기술 선점 및 신시장 개척 기회가 많은 기술임.
고항복 전압 구현을 위한 산화갈륨 반도체 Trench 식각 구조 및field plate 기술과 함께 전력 소자의 효율과 관계되는 어노드와 캐소드간 소자 설계 및 구조를 최적화하는 기술까지, 향후 SBD 소자 성능 향상을 통한 제품 양산 및 보급까지 진행하기 위한 목적으로 기술이전의 필수성이 부각됨
o 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 평가 기술
- 산화갈륨 SBD 고전류 : > 2.0 A (@ T=25 oC)
- 산화갈륨 SBD 최대 전류 밀도 : > 700 A/㎠ (@ T=25 oC)
- 산화갈륨 SBD 최소 온저항 : < 10 mΩ·cm2 (@ T=25 oC)
- 산화갈륨 SBD 최대 항복전압 : > 500 V (@T=25 oC, 누설전류값이 10 ㎂)
o 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 및 평가 기술
- 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 시험절차 및 결과서
- 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 관련 기술문서
- 고효율 인버터용 산화갈륨 전력반도체 소자 관련 특허
현재 개발된 1kW급 산화갈륨 SBD 소자를 기반으로 현재 보급이 빠르게 확산되고 있는 전기자동차와 전력 저장장치등에 적용할 수 있는 수 ~ 수십 kW급 SBDs 개발뿐만 아니라, 더 나아가 FETs(Field effect transistors) 소자 개발을 기대할 수 있음.
산화갈륨 전력반도체용 소자 공정 기술을 중소기업에 기술이전 함으로써 초기부터 시장 진입하는 계기를 마련하고, 중소기업의 가치 성장 및 일자리 창출은 물론이고 선제적 시장선점을 통해 해당 기술 경쟁력 확보 및 거대 미래시장과 소자 기술의 해외 의존성을 탈피할 것으로 기대됨.