W-대역 MMIC 저잡음증폭기 설계 기술
- 본 기술이전에서는 통신, 레이더 및 미사일 등 민/군수용으로 활용도가 높고 선진국에서의 기술 도입이 매우 어려워 자체적으로 기술 확보가 필수적인 민/군수용 무선시스템 수신부의 핵심기술인 InP계 MMIC 저잡음증폭기 설계 기술을 기술이전을 통해 산업화시키기 위함임.
- 통신 및 레이더의 수신부에 필요한 InP계 MMIC 저잡음증폭기 설계 기술을 중소기업에 기술이전하여 중소기업의 수익 창출은 물론 원활한 부품수급이 이뤄지고 국가적 측면에서 기술도입이 매우 어려운 InP계 MMIC 저잡음증폭기 설계 기술에 대한 국익을 도모하기 위함.
- 1990년대 이후 전기 및 광소자의 응용 가능성이 보이면서 각국에서 중점적으로 연구를 하고 있으며 그 활용 분야가 광범위하다.
- W-band 급 InP 소자는 다른 반도체 소사들에 비하여 다음과 같은 우수한 물성을 가지고 있음.
? InGaAs 반도체 소자는 다른 반도체 물질들과 비교하여 매우 높은 전자이동도를 가지고 있어 고속동작소자 구현에 유리함.
? InP, InGaAs와 동일한 격자상수를 가지면서도 상대적으로 큰 밴드갭 에너지를 갖는 InAlAs가 존재하여 InGaAs/InAlAs로 Quantum Well을 제작함으로써 높은 전자밀도 및 전자이동도를 갖는 채널을 만들 수 있음.
? InxGa1-xAs에서 In/Ga의 조성을 조절하여 물성을 조절하여 전자이동도를 높이거나 밴드갭을 낮춰 금속과의 접촉저항을 감소시킬 수 있음.
W-대역 MMIC 저잡음증폭기 기술
- 동작주파수 : 94 GHz
- 이득(Gain) > 15 dB
- 잡음지수(NF) < 4.5 dB
- W-대역 MMIC 저잡음증폭기 설계 기술
- W-대역 MMIC 저잡음증폭기 설계 파일
- W-대역 MMIC 저잡음증폭기 시험결과서
- 관련 기술문서 (TM/TDP)
-화합물 반도체(III-V)를 이용한 초고주파반도체 소자는 휴대폰, 기지국과 단말기 간의 이동통신, 위성체와 기지국 또는 위성체와 이동단말기 간의 통신을 이용하는 위성통신, 무선 LAN, 군사용 레이더, 이미징 시스템, internet of things (IoT) 등 다양한 분야의 응용에 반드시 필요한 소자임.
-특히, 저잡음증폭기(LNA)는 통신 시스템에서 안테나에 수신된 신호대 잡음비율 (Signal-to-Noise Ratio, SNR)이 낮은 신호를 증폭시키는 목적으로 휴대폰 및 수많은 무선 시스템(microwave system)에서 안테나 바로 다음 단에 위치하여 폭 넓게 사용되고 있는 고부가 가치를 갖는 핵심 부품이며, 특히 5G 이동 통신 시스템 구현에 있어서 기존의 LNA에 비해 향상된 저잡음 특성을 갖는 밀리미터파 대역 (28 GHz 이상) LNA의 수요가 증가할 것으로 예측됨.