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이동통신 소자/부품, 위성통신 소자/부품
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학술대회
2022 전송선로 인덕턴스 감소를 통한 전원장치의 출력 노이즈 개선   장현규   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2022, pp.555-555
학술대회
2022 X대역 GaN 저잡음증폭기 MMIC 연구   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2022, pp.764-764
학술대회
2022 X-band Microstrip Isolator with NiCr thin film resistor for Aircraft/Ship Radar Application   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2022, pp.1-1
학술대회
2022 Effect of T-gate Structure on RF Characteristic in AlGaN/GaN HEMTs   정현욱   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2022, pp.1-1
학술지
2022 Effects of DC and AC Stress on the VT Shift of AlGaN/GaN MIS-HEMTs   강수철   Current Applied Physics, v.39, pp.128-132 0 원문
학술대회
2022 전기 자동차용 프리차지 스위치를 위한 IGBT, SiC MOSFET, MCT의 특성 비교   정동윤   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2022, pp.1613-1616
학술대회
2022 X대역 25W급 GaN 전력증폭기 MMIC 개발   노윤섭   통신 정보 합동 학술 대회 (JCCI) 2022, pp.1-1
학술대회
2022 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 Ku대역 SPDT 스위치 MMIC 개발   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2022, pp.354-354
학술대회
2022 전원장치의 소형화 및 방사성 노이즈 저감을 위한 LTCC 기반 DC-DC 컨버터   장현규   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2022, pp.66-67
학술지
2022 Switching and Heat-Dissipation Performance Analysis of an LTCC-Based Leadless Surface Mount Package   정동윤   Journal of Semiconductor Technology and Science, v.22 no.1, pp.1-9 0 원문
학술대회
2022 모오스 구동 싸이리스터를 적용한 인체모델용 정전기방전 시험기   정동윤   한국반도체 학술대회 (KCS) 2022, pp.728-728
학술대회
2022 게이트 저항에 의한 전력변환기기의 효율 및 노이즈 최적화   장현규   한국반도체 학술대회 (KCS) 2022, pp.1089-1089
학술지
2021 Theoretical and experimental analysis of a venting clip to reduce stray inductance in high-power conversion applications   장현규   ETRI Journal, v.43 no.6, pp.1103-1112 0 원문
학술지
2021 Van der Waals Heterostructure of Hexagonal Boron Nitride with an AlGaN/GaN Epitaxial Wafer for High-Performance Radio Frequency Applications   문석호   ACS Applied Materials & Interfaces, v.13 no.49, pp.58253-59592 3 원문
학술대회
2021 An Equivalent Circuit Model of Thin Film Resistor for MMICs   이상흥   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2021, pp.102-102
학술대회
2021 Ku대역 GaN 저잡음증폭기 집적회로 설계에 관한 연구   노윤섭   한국통신학회 종합 학술 대회 (추계) 2021, pp.1-1
학술지
2021 Substrate Effects on the Electrical Properties in GaN-Based High Electron Mobility Transistors   장성재   Crystals, v.11 no.11, pp.1-10 0 원문
학술지
2021 Power Module Stray Inductance Extraction: Theoretical and Experimental Analysis   정동윤   ETRI Journal, v.43 no.5, pp.891-899 0 원문
학술지
2021 Noise Mitigation in 12-to-5 V DC-DC Converter Using an Embedded Metal Layout Strategy   정동윤   IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering, v.16 no.9, pp.1289-1291 0 원문
학술대회
2021 C대역 GaN 저잡음증폭기 집적회로 설계   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2021, pp.795-795
학술지
2021 Thermal Behavior of an AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrates   김진식   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.21 no.8, pp.4429-4435 원문
학술대회
2021 고방열 기판/박막을 사용한 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트랜지스터의 성능 향상   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.219-221
학술대회
2021 펄스파워용 고전압 MCT (MOS Controlled Thyristor) 소자 제작 및 특성 평가   조두형   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.2557-2558
학술대회
2021 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트렌지스터에서 조사된 양성자의 세기에 따른 문턱전압 변화 메커니즘 연구   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.93-96
학술대회
2021 InAlGaN/GaN HEMT 제작 및 특성   정현욱   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.223-225
학술대회
2021 ETRI GaN 공정을 이용한 X 대역 20W급 고전력 SPDT MMIC 스위치 설계   노윤섭   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.2268-2270
학술대회
2021 Analysis for Dynamic Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Controlled Thyristor (MCT) Depending on Snap-Back Effect   장현규   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2021, pp.487-489
학술대회
2021 핀 다이오드 연결 방법에 따른 전력제한기 특성 분석   정동윤   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.696-698
학술대회
2021 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 X 대역 20W 급 전력증폭기 MMIC 개발   노윤섭   통신 정보 합동 학술 대회 (JCCI) 2021, pp.1-1
학술대회
2021 GaN 기반 MIM 커패시터의 수율 및 균일도 분석   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2021, pp.153-153
학술대회
2021 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 광대역 SPDT 스위치 MMIC 개발   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2021, pp.139-139
학술대회
2021 Analysis of Parasitic Effects by Bonding Structure   장현규   International Conference on Electronics, Information and Communication (ICEIC) 2021, pp.434-435 0 원문
학술대회
2021 Switching and Heat-dissipation Performance Analysis of an LTCC-based Leadless Surface Mount Package Using a Power Factor Correction Converter   정동윤   International Conference on Electronics, Information and Communication (ICEIC) 2021, pp.811-813 1 원문
학술지
2020 Stability and Reliability of LTCC-based 5/12 V Dual Output DC-DC Converter with High Efficiency and Small Size   정동윤   Microelectronics Journal, v.106, pp.1-11 4 원문
학술지
2020 Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   강수철   Nanomaterials, v.10 no.11, pp.1-9 2 원문
학술지
2020 Comprehensive Research of Total Ionizing Dose Effects in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Dielectric Layer   장성재   Nanomaterials, v.10 no.11, pp.1-11 4 원문
학술대회
2020 C 대역 0.2um GaN 공정을 이용한 30W급 SPDT 스위치 MMIC 개발   노윤섭   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2020, pp.152-153
학술대회
2020 Efficiency Improvement of Power Conversion System with Multilayer Power Inductor   장현규   International Conference on Consumer Electronics (ICCE) 2020 : Asia, pp.137-140 1 원문
학술대회
2020 Multi-layer Ceramic based Surface Mount Device Packaging for 1200 V and 1700 V SiC SBD Power Semiconductors   정동윤   International Conference on Consumer Electronics (ICCE) 2020 : Asia, pp.603-606 2 원문
학술대회
2020 G03-1728 - Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020, pp.1-3
학술대회
2020 Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020 (ECS Transactions 98), v.98 no.5, pp.519-526 0 원문
학술대회
2020 Power Conversion Module using LTCC substrate Interconnected to Power Inductor with Low DCR   장현규   Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC) 2020, pp.1-5 0 원문
학술대회
2020 1700 V Full-SiC Half-bridge Power Module with Low Switching Loss   정동윤   Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC) 2020, pp.1-4 1 원문
학술대회
2020 저유전막을 이용해 형성된 AlGaN/GaN HEMT소자 게이트가 주파수 특성에 미치는 영향   정현욱   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.893-893
학술대회
2020 선택적인 내부 비활성 영역을 갖는 AlGaN/GaN HEMT 특성   이종민   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.488-489
학술대회
2020 AlGaN/GaN HEMT 소자의 source 와 drain 간격에 따른 주파수 특성 변화   강수철   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.543-543
학술지
2020 Effects of Recess Depth Under the Gate Area on the V th-Shift for Fabricating Normally-Off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures   김진식   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.20 no.7, pp.4170-4175 원문
학술지
2020 Recess-Etched and Tetramethylammonium Hydroxide-Treated Nanoscale Pattern on AlGaN/GaN High-Electron-Mobility-Transistors for Improved Ohmic Contact   정현욱   한국물리학회, v.76 no.9, pp.837-842 0 원문
학술대회
2020 Thermal Behavior of AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrate   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.783-783
학술대회
2020 X-band Microstrip Isolator for Aircraft/Ship Radar Application   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.1-1
학술대회
2020 Ohmic Contacts with Recess-etched and TMAH-treated Nanometer-scale Patterns for Improved Performance and Reliability in AlGaN/GaN HEMTs   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.790-790
학술지
2020 벌집 구조의 나노 채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정   김정진   전기전자재료학회논문지, v.33 no.1, pp.16-20
학술지
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 6 원문
학술대회
2019 AlGaN/GaN 이종 접합 구조의 게이트 영역 미세 조절 리세스를 이용한 상시 불통형 전계 효과 트랜지스터   김진식   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.215-218
학술대회
2019 64 GHz/50 dBOhm Trans-Impedance Amplifier Design Using Gain-Peaking Inductor for Bandwidth Enhancement   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.115-118
학술지
2019 Thermal Properties of Schottky Barrier Diode on AlGaN/GaN Heterostructures on Chemical Vapor Deposition Diamond   김진식   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.19 no.10, pp.6119-6122 원문
학술지
2019 차세대 GaN RF 전력 증폭 소자 및 집적 회로 기술 동향   이상흥   전자통신동향분석, v.34 no.5, pp.71-80 원문
학술지
2019 Analysis of DC Characteristics in GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with Variation of Gate Dielectric Layer Composition by Considering Self-Heating Effect   황인태   Applied Sciences, v.9 no.17, pp.1-13 2 원문
학술대회
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs   장성재   Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119
학술대회
2019 77~97 GHz LNA MMIC with 1 dB-Gain Flatness Using Short-Circuited Capacitor   장우진   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2019, pp.907-910 0 원문
학술대회
2019 GaN Device Technology for High Voltage and RF Power Application   이형석   한러 과학기술의 날 2019, pp.1-1
학술지
2019 DC Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistor with a Bottom Plate Connected to Source-Bridged Field Plate Structure   곽현탁   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.19 no.4, pp.2319-2322 원문
학술지
2019 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성   윤형섭   한국전자파학회논문지, v.30 no.4, pp.282-285 원문
학술대회
2019 LTCC를 이용한 True time delay 모듈용 지연선로 설계 및 제작   김동영   한국전자파학회 학술 대회 (동계) 2019, pp.233-233
학술대회
2019 Effects of Recess Depth on the Vth-shift for Fabricating Normally-off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.618-619
학술대회
2019 Ka-band GaN MMIC Power Amplifier for SG Communication Sysems   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.627-627
학술대회
2019 LTCC기반 Ka 대역 이중편파 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 학술 대회 (동계) 2019, pp.194-194
학술지
2019 Growth of AlGaN/GaN Heterostructure with Lattice-matched AlIn(Ga)N Back Barrier   김정길   Solid-State Electronics, v.152, pp.24-28 6 원문
학술지
2019 극한 환경용 반도체 기술 동향   장우진   The SEMICON Magazine, v.23, pp.28-36
학술대회
2019 94 GHz SiGe 믹서 MMIC 설계   이상흥   한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2019, pp.1076-1077
학술지
2019 GaN MIS-HEMT PA MMICs for 5G Mobile Devices   김성일   Journal of the Korean Physical Society, v.74 no.2, pp.196-200 2 원문
학술지
2018 극한 환경용 반도체 기술 동향   장우진   전자통신동향분석, v.33 no.6, pp.12-23 원문
학술대회
2018 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100nm mHEMT소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2018, pp.106-106
학술지
2018 High Figure-of-Merit (V 2 BR /R ON ) AlGaN/GaN Power HEMT With Periodically C-Doped GaN Buffer and AlGaN Back Barrier   이준혁   IEEE Journal of the Electron Devices Society, v.6, pp.1179-1186 22 원문
학술대회
2018 W-대역 GaAs MMIC 저잡음 증폭기 설계   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2018, pp.368-368
학술대회
2018 E-mode GaN HEMT Devices and PA MMICs for 5G Mobile Handsets   김성일   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2018, pp.255-255
학술대회
2018 CVD 다이아몬드 기판에 형성된 AlGaN/GaN 이종 구조위의 쇼키 다이오드의 열 특성   김진식   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.195-198
학술지
2018 Operational Improvement of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor by an Inner Field-Plate Structure   곽현탁   Applied Sciences, v.8 no.6, pp.1-14 13 원문
학술대회
2018 A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122
학술대회
2018 GaN Cascode FET with On-Current of 38 A and Blocking Voltage of 450 V   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.753-755
학술지
2018 Enhanced Carrier Transport Properties in GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with SiN/Al2O3 Bi-Layer Passivation   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.6, pp.86-90 5 원문
학술지
2018 DC and RF Characteristics of Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Shallow Recess Combined with Fluorine-Treatment and Deep Recess   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.4, pp.197-200 2 원문
학술지
2018 Normally-off AlGaN/GaN-based MOS-HEMT with Self-terminating TMAH Wet Recess Etching   손동혁   Solid-State Electronics, v.141, pp.7-12 6 원문
학술대회
2018 Thermal Properties of Schottky Barrier Diode on AlGaN/GaN Heterostructures on CVD Diamond   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 Comparative Study of Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Gate Recess and F-treatment   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 전원 시스템의 효율과 스위칭용 전력 소자 성능과의 상관 관계 분석   장현규   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.646-646
학술대회
2018 Mechanical Stress Effects on Device Properties in GaN-based HEMTs   장성재   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.648-648
학술대회
2018 내부 BVIA가 있는 GaN HEMT 소자를 이용한 모델링 및 MMIC 설계   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.634-634
학술대회
2018 Breakdown and Power Characteristics of GaN HEMTs with a Variation of Device Dimensions for S-band Applications   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.667-667
학술대회
2018 High Temperature Characterization and Analysis of GaN-on-Diamond FETs   이형석   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.665-666
학술대회
2018 Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications   민병규   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663
학술대회
2018 28GHz MMIC Power Amplifier based on 0.15um GaN HEMT Technology   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술지
2018 Ultra-low Rate Dry Etching Conditions for Fabricating Normally-off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures   김진식   Solid-State Electronics, v.140, pp.12-17 7 원문
학술대회
2018 GaN MMIC를 위한 후면 비어의 RF 모델링   이상흥   한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2018, pp.715-716
학술지
2018 Total Ionizing Dose Responses of GaN-based HEMTs with Different Channel Thicknesses and MOSHEMTs with Epitaxial MgCaO as Gate Dielectric   Maruf A. Bhuiyan   IEEE Transactions on Nuclear Science, v.65 no.1, pp.46-52 11 원문
학술지
2017 실리콘-화합물 융합 반도체 소자 기술 동향   이상흥   전자통신동향분석, v.32 no.6, pp.8-16 원문
학술대회
2017 Current Status of ETRI's GaN Power Device Technology   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 차세대 고출력 레이더용 GaN 전력 소자 및 증폭기 기술   문재경   함정기술.무기체계 세미나 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Investigation of GaN Channel Thickness on the Channel Mobility in AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire Substrate   장성재   International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) 2017, pp.87-89 2 원문
학술대회
2017 Development of a 0.15 μm GaN HEMT MMIC Process   김해천   Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-2
학술지
2017 Characteristics of Enhanced-Mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications   이종민   Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.365-369 5 원문
학술지
2017 Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 2 원문
학술대회
2017 내부 BVIA가 있는 GaN HEMT 소자 특성 및 모델링   김성일   대한전자공학회 RF/아날로그 회로 워크숍 2017, pp.397-398
학술대회
2017 X-대역 5W GaN 전력 증폭기 MMIC 설계 및 제작   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.289-289
학술지
2017 Growth of 10 nm-Thick AlIn(Ga)N/GaN Heterostructure with High Electron Mobility and Low Sheet Resistance   김정길   Physica Status Solidi (B), v.254 no.8, pp.1-5 1 원문
학술대회
2017 C-대역 30W급 질화갈륨 기반 내부 정합형 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Investigation of GaN Power FETs for High Power Applications   이형석   Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 2017, pp.1-2
학술대회
2017 Via-holes Etching on SiC Substrate Characterized by High Etch Selectivity with GaN Epilayer   민병규   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 차세대 고효율 IT 부품용 GaN 전력 소자 기술   문재경   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.2557-2558
학술대회
2017 디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Backside Via Process with Defect Free Sidewalls for GaN MMIC Applications   조규준   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2017, pp.1-3 0
학술지
2017 Fin-Width Effects on Characteristics of InGaAs-Based Independent Double-Gate FinFETs   장성재   IEEE Electron Device Letters, v.38 no.4, pp.441-444 12 원문
학술지
2017 The Effects of Tetramethylammonium Hydroxide Treatment on the Performance of Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   도재원   Thin Solid Films, v.628, pp.31-35 7 원문
학술지
2017 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment for Interface Quality Improvement in Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.6 no.4, pp.184-186 1 원문
학술대회
2017 Normally-off AlGaN/GaN Field Effect Transistors with Recessed Gate using Ultra-low Rate Dry Etching Conditions   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 GaN HEMT Device Modeling and MMIC for Ka-band Applications   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.1-1
학술지
2017 High Temperature Storage Test and Its Effect on the Thermal Stability and Electrical Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   이종민   Current Applied Physics, v.17 no.2, pp.157-161 11 원문
학술지
2017 ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 원문
학술대회
2016 Total Ionizing Dose Effects on GaN-based HEMTs and MOSHEMTs: Effects of Channel Thickness and Epitaxial MgCaO as Gate Dielectric   M. Bhuiyan   Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 2016, pp.1-2
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2016 Microwave Low-Noise Performance of 0.17 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC With Wide Head Double-Deck T-Shaped Gate   윤형섭   IEEE Electron Device Letters, v.37 no.11, pp.1407-1410 18 원문
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2016 Dependence of GaN Channel Thickness on the Transistor Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.5 no.12, pp.N102-N107 5 원문
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2016 Design of a Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC) based Antenna with Broadband and High Gain at 60GHz Bands   김동영   International Conference on Consumer Electronics (ICCE) 2016 : Asia, pp.156-158 0 원문
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2016 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment Method for AlGaN/GaN MIS-HEMTs with A High Quality Interface   정현욱   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2016, pp.785-786
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2016 GaN HEMT 모델링 및 전력 증폭기 MMIC 설계   김성일   대한전자공학회 RF/아날로그 회로 워크숍 2016, pp.590-591
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2016 Effect of Fluoride-based Plasma Treatment on the Performance of AlGaN/GaN MISHFET   안호균   ETRI Journal, v.38 no.4, pp.675-684 3 원문
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2016 Ultra-low Rate Dry Etching Conditions for Fabrication of Normally-off Field Effect Transistor on AlGaN/GaN Heterostructure   김진식   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Characterization of GaAs-based MIM Capacitor up to 50 GHz   이상흥   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Common-Source Inductance Reduction in GaN Cascode FET for High- Speed Switching and High-Efficiency Operation   장우진   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Threshold Voltage Shift of 0.2 μm AlGaN/GaN MISHFET with Fluorinated Gate Dielectric   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Characteristics of Enhanced-mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications   이종민   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Investgation of GaN Channel Quality on the Device Properties in AIGaN/GaN HEMTs   장성재   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Backside Process of AlGaN/GaN HEMT on SiC with Optimized Via-Hole Etching Conditions   민병규   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC   신민정   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs   도재원   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
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2016 몰리브데넘 기반의 오믹 저항을 이용한 AlGaN/GaN 쇼키 다이오드 특성   김진식   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.400-403
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2016 The Characterization of High Power Density 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Their MMIC   김해천   Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2016, pp.W17-W18
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2016 X-밴드 응용 분야를 위한 GaN HEMT 모델링   김성일   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.2557-2560
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2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169
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2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3
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2016 50W 출력 전력 특성을 갖는 0.25um GaN-on-SiC HEMT   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.325-328
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2016 77GHz 대역 차량 레이더용 유전체 공진기 기반 어레이 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.291-291
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2016 Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2
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2016 AlGaN/GaN Power HEMTs for Next Generation Radar Systems   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
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2016 A Study of Stress and its Effect on Electrical Properties of AlGaN/GaN HEMT   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
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2016 Advanced Backend Processing and its Effects on the Performance and the Yield of GaN HEMT Deviceson SiC Substrate   도재원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
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2016 X-band 5W AlGaN/GaN HEMT Power MMICs   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
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2016 Substrate Embedded Low Temperature Co-Fired Ceramics Antenna with Wide Beamwidth and High Gain at Millimetrewave Band   김동영   Electronics Letters, v.52 no.2, pp.98-100 1 원문
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2016 0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회논문지, v.27 no.1, pp.76-79 원문
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2015 X-Band 0.2 μm AlGaN/GaN MISFET with SiN-Assisted Double-Deck T-Shaped Gate Structure   안호균   International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2015, pp.1-1
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2015 0-30 GHz GaN MIM 커패시터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 2015, pp.89-89
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2015 50W GaN RF HEMT를 이용한 9.2 - 9.5GHz 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1
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2015 밀리미터파대역 거리 측정 레이더용 평판형 렌즈 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1
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2015 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   한국물리학회, v.67 no.4, pp.682-686 3 원문
학술지
2015 Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole   민병규   한국물리학회, v.67 no.4, pp.718-722 1 원문
학술지
2015 DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Gate Recessed by Using ICP Etching of BCl3/Cl2   윤형섭   한국물리학회, v.67 no.4, pp.654-657 3 원문
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2015 40W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용한 X-대역 전력증폭기   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.231-234
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2015 AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화   민병규   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195
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2015 Wide Head T-Shaped Gate Process for Low-Noise AlGaN/GaN HEMTs   윤형섭   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2015, pp.363-366
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2015 A Simplified Circuit Model for GaN-Based MIM Capacitor   이상흥   Information : An International Interdisciplinary Journal, v.18 no.4, pp.1249-1254 0
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2015 Ohmic Contact to AlGaN/GaN Heterostructures on Sapphire Substrates   김진식   한국물리학회, v.66 no.5, pp.779-784 2 원문
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2015 Low-Noise Microwave Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Wide Head T-Shaped Gate   윤형섭   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.191-191
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2015 X-band 40W Pulsed Power Amplifier using 0.2um AlGaN/GaN HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.192-192
학술지
2015 X-Band 100 W Solid-State Power Amplifier Using a 0.25 μM GaN HEMT Technology   강동민   Microwave and Optical Technology Letters, v.57 no.1, pp.212-216 6 원문
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2014 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131
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2014 100W Pulsed SSPA Using 25W AlGaN/GaN HEMT Technology at 9.2 - 9.5 GHz   강동민   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.75-75
학술지
2014 차세대 GaN 고주파 고출력 전력 증폭기 기술 동향   이상흥   전자통신동향분석, v.29 no.6, pp.1-13 원문
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2014 DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Recessed Gate by ICP Etching of BCl3/SF6   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.81-81
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2014 L/S-Band 0.5 μm AlGaN/GaN MISFET including SiN-Assisted T-Gate Structure   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.70-70
학술대회
2014 An Equivalent Circuit Model for GaN-based MIM Capacitor   이상흥   International Symposium on Advanced and Applied Convergence (ISAAC) 2014, pp.1-4
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2014 GaN 기반 MIM 커패시터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 발표회 2014, pp.1-1
학술대회
2014 LTCC 기반 60GHz 대역 광대역 유전체 공진기 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 발표회 2014, pp.1-1
학술대회
2014 LTCC 기반 밀리미터파 대역 패치 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 발표회 (하계) 2014, pp.1-1
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2014 SiC 기판 기반의 스파이럴 인덕터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 발표회 (하계) 2014, pp.1-1
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2014 GaN on SiC HEMT 소자의 후면 비아홀 공정의 고장 분석   민병규   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2014, pp.1973-1974
학술지
2014 Normally-Off Dual Gate AlGaN/GaN MISFET with Selective Area-Recessed Floating Gate   안호균   Solid-State Electronics, v.95, pp.42-45 14 원문
학술지
2014 Analysis of the Degradation of AlGaN/GaN HEMTs by High-temperature Operation Tests   이종민   한국물리학회, v.64 no.10, pp.1446-1450 2 원문
학술대회
2014 Pt 기반의 쇼트키 접촉을 갖는 AlGaN/GaN HEMTs on SiC 의 특성   윤형섭   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2014, pp.1-1
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2013 LTCC기반 밀리미터파 대역 광대역 고이득 패치 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 발표회 2013, pp.1-1
학술대회
2013 LTCC기반 77GHz 대역 자동차 레이더용 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 발표회 2013, pp.1-1
학술지
2013 Design of Patch Antenna on LTCC Substrate with Broadband and High Gain at Millimetre Wave Band   김동영   Electronics Letters, v.49 no.25, pp.1590-1591 2 원문
학술지
2013 Fabrication of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Plasma Treatment   임종원   Thin Solid Films, v.547, pp.106-110 9 원문
학술대회
2013 Gate-Connected Field Plate를 포함하는 Normally-off AlGaN/AlN/GaN MISFET 특성 연구   안호균   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2013, pp.1843-1844
학술대회
2013 Field Plate 를 구비한 Normally-off GaN MISFET 소자의 특성   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 고온 저장 시험에 의한 GaN HEMT 소자의 특성 변화   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 Packaged AlGaN/GaN HEMT with 100 W Output Power at 3 GHz   임종원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 S-Band 170W Pulsed SSPA Using 30W GaN-on-Si RF Power HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
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2013 X-Band 용 30W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
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2012 Current Status of GaN Technologies in ETRI   문재경   Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 2012, pp.1-2
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2012 Design of 220 GHz Amplifier and Mixer for THz Imaging System   장우진   International Conference on Electronics, Information, and Communication (ICEIC) 2012, pp.448-449
학술대회
2012 X-band용 6W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.381-382
학술대회
2012 Packaged GaN HEMT Power Bar with 17 W Output Power at 3 GHz   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.1-2
학술지
2012 GaN 전자 소자 글로벌 연구 개발 동향   문재경   전자통신동향분석, v.27 no.1, pp.74-85 원문
학술대회
2011 Design of 220 GHz-band Amplifier Using InP HEMT Technology   장우진   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2011, pp.1120-1122
학술지
2010 Characteristics of a 60 GHz MMIC Mixer with an Open Stub Microstrip Line   이상흥   Microwave and Optical Technology Letters, v.52 no.6, pp.1341-1345 1 원문
학술대회
2010 S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2010, pp.1984-1987
학술지
2009 Stability Improvement of 60 GHz Narrowband Amplifier Using Microstrip Coupled Lines   장우진   ETRI Journal, v.31 no.6, pp.741-748 9 원문
학술대회
2009 60 GHz Amplifier Module Using Low Temperature Co-fired Ceramic Technology   장우진   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2009, pp.1-3
학술대회
2007 Influence of Gate Head Dimensions on the Device Performance of 0.12um PHEMT   안호균   Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2007, pp.1-4 0 원문
학술대회
2007 Preamplifier for fiber-optic Millimeter wave Wireless LAN   홍선의   Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2007, pp.1-4 0 원문
학술지
2007 60GHz 대역용 고격리도 pHEMT MMIC 스위치   문재경   Electronic Materials Letters, v.3 no.4, pp.1-5
학술대회
2007 60 GHz Amplifier MMICs and Module for 60 GHz WPAN System   장우진   Radio and Wireless Symposium (RWS) 2007, pp.377-380 4 원문
학술지
2006 Fabrication and Characteristics of 0.12 μm Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a SiNx Pre-Passivation Layer   임종원   Journal of the Korean Physical Society, v.49 no.3, pp.S774-S779
학술대회
2006 High Performance Low Temperature Co-fired Ceramic Modules for 60 GHz WPAN Systems   문재경   MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-2
학술대회
2006 Fabrication of SiN-Assisted 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT and 60GHz-bands MMICs for 60GHz WPAN System   안호균   MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-1
학술대회
2006 Broadband 60 GHz Power Amplifier MMIC with Excellent Gain-Flatness   장우진   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.614-615 원문
학술대회
2006 Influence of T-Gate Shape on the Device Characteristics in SiN-Assisted 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT   안호균   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.1-2 원문
학술대회
2006 Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 μm T-Shaped Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a Hybrid and Conventional E-beam Lithography Process   임종원   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.956-957 원문
학술대회
2006 Preamplifier Design for Fiber-Optic mm-Wave Wireless System   홍선의   European Microwave Conference (EuMC) 2006, pp.1545-1547 1 원문
학술대회
2006 Low Noise and Power Amplifier Modules for 60 GHz Wireless Personal Area Network Applications   문재경   한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2006, pp.861-863
학술대회
2006 IEEE802.15.3c WPAN 시스템을 위한 60 GHz 저잡음 증폭기 MMIC   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2006, pp.501-502
학술대회
2006 광대역의 우수한 이득 평탄도를 갖는 V-밴드 전력 증폭기 MMIC   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2006, pp.593-594
학술지
2006 Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 μm Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistors Using Dielectric-Assisted Process   임종원   Japanese Journal of Applied Physics, v.45 no.4B, pp.3358-3363 0 원문
학술대회
2006 Influence of T-gate shape on the device characteristics in 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회
2006 60 GHz Amplifier MMICs and Module for 60 GHz WPAN System   장우진   Topical Symposium on Millimeter Waves (TSMMW) 2006, pp.159-164
학술대회
2006 Low Noise Amplifier Module for 60 GHz Wireless Personal Area Network (WPAN) utilizing Multilayer Low Temperature Co-fired Ceramic Technology   문재경   ESA Workshop on Millimetre Wave Technology and Applications 2006, pp.1-4
학술대회
2006 Design and Implementation of 60 GHz Amplifier MMICs and Module for WPAN System   장우진   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회
2006 Fabrication and Characteristics of 0.12 μm Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a SiNx Pre-Passivation Layer   임종원   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술지
2005 SPDT 단일 고주파 집적 회로 스위치용 pHEMT 채널 구조 설계   문재경   한국진공학회지, v.14 no.4, pp.207-214
학술대회
2005 Preamplifier Design with Narrow Band for Fiber-Optic Millimeter-Wave Wireless LAN   홍선의   Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2005, pp.1-4 0 원문
학술지
2005 A Comparative Study of a Dielectric-Defined Process on AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs   임종원   ETRI Journal, v.27 no.3, pp.304-311 8 원문
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2003 10 Gbit/sec 급 10 Gbit/sec 급 표면 실장 패키지형 광수신 모듈 설계   김성일   광전자 및 광통신 학술 회의 (COOC) 2003, pp.59-60
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2002 10 Gbit/s용 전치증폭기 설계 및 제작   홍선의   대한전자공학회 종합 학술 대회 (추계) 2002 : 컴퓨터/반도체 소사이어티, pp.537-540
학술대회
2002 InGaP/GaAs HBT를 이용한 10 Gbit/s용 전치 증폭기 설계   홍선의   한국통신학회 종합 학술 발표회 (추계) 2002, pp.1685-1687