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학술지
2022 Effects of DC and AC Stress on the VT Shift of AlGaN/GaN MIS-HEMTs   강수철   Current Applied Physics, v.39, pp.128-132 0 원문
학술대회
2022 X대역 25W급 GaN 전력증폭기 MMIC 개발   노윤섭   통신 정보 합동 학술 대회 (JCCI) 2022, pp.1-1
학술대회
2022 94 GHz SiGe BiCMOS MMIC의 온습도 특성 평가 및 분석   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2022, pp.355-355
학술대회
2022 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 Ku대역 SPDT 스위치 MMIC 개발   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2022, pp.354-354
학술지
2021 Van der Waals Heterostructure of Hexagonal Boron Nitride with an AlGaN/GaN Epitaxial Wafer for High-Performance Radio Frequency Applications   문석호   ACS Applied Materials & Interfaces, v.13 no.49, pp.58253-59592 2 원문
학술대회
2021 An Equivalent Circuit Model of Thin Film Resistor for MMICs   이상흥   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2021, pp.102-102
학술대회
2021 Ku대역 GaN 저잡음증폭기 집적회로 설계에 관한 연구   노윤섭   한국통신학회 종합 학술 대회 (추계) 2021, pp.1-1
학술지
2021 Substrate Effects on the Electrical Properties in GaN-Based High Electron Mobility Transistors   장성재   Crystals, v.11 no.11, pp.1-10 0 원문
학술지
2021 Thermal Behavior of an AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrates   김진식   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.21 no.8, pp.4429-4435 원문
학술대회
2021 W-대역 SiGe BiCMOS 수신기 MMIC 설계 및 제작   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2021, pp.796-796
학술대회
2021 C대역 GaN 저잡음증폭기 집적회로 설계   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2021, pp.795-795
학술대회
2021 W-대역 SiGe BiCMOS 믹서 MMIC 설계 및 제작   이상흥   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.2275-2277
학술대회
2021 ETRI GaN 공정을 이용한 X 대역 20W급 고전력 SPDT MMIC 스위치 설계   노윤섭   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.2268-2270
학술대회
2021 InAlGaN/GaN HEMT 제작 및 특성   정현욱   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.223-225
학술대회
2021 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트렌지스터에서 조사된 양성자의 세기에 따른 문턱전압 변화 메커니즘 연구   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.93-96
학술대회
2021 고방열 기판/박막을 사용한 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트랜지스터의 성능 향상   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.219-221
학술대회
2021 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 X 대역 20W 급 전력증폭기 MMIC 개발   노윤섭   통신 정보 합동 학술 대회 (JCCI) 2021, pp.1-1
학술대회
2021 0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 광대역 SPDT 스위치 MMIC 개발   노윤섭   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2021, pp.139-139
학술대회
2021 GaN 기반 MIM 커패시터의 수율 및 균일도 분석   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2021, pp.153-153
학술지
2020 Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   강수철   Nanomaterials, v.10 no.11, pp.1-9 2 원문
학술대회
2020 C 대역 0.2um GaN 공정을 이용한 30W급 SPDT 스위치 MMIC 개발   노윤섭   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2020, pp.152-153
학술지
2020 Comprehensive Research of Total Ionizing Dose Effects in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Dielectric Layer   장성재   Nanomaterials, v.10 no.11, pp.1-11 4 원문
학술대회
2020 Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020 (ECS Transactions 98), v.98 no.5, pp.519-526 0 원문
학술대회
2020 G03-1728 - Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020, pp.1-3
학술대회
2020 High Gain Wideband 94 GHz SiGe Driver Amplifier   김성일   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.793-793
학술대회
2020 0.13 um SiGe BiCMOS를 이용한 94 GHz 믹서 MMIC 설계 및 제작   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.795-795
학술대회
2020 저유전막을 이용해 형성된 AlGaN/GaN HEMT소자 게이트가 주파수 특성에 미치는 영향   정현욱   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.893-893
학술대회
2020 AlGaN/GaN HEMT 소자의 source 와 drain 간격에 따른 주파수 특성 변화   강수철   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.543-543
학술지
2020 Recess-Etched and Tetramethylammonium Hydroxide-Treated Nanoscale Pattern on AlGaN/GaN High-Electron-Mobility-Transistors for Improved Ohmic Contact   정현욱   한국물리학회, v.76 no.9, pp.837-842 0 원문
학술대회
2020 Ohmic Contacts with Recess-etched and TMAH-treated Nanometer-scale Patterns for Improved Performance and Reliability in AlGaN/GaN HEMTs   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.790-790
학술대회
2020 Thermal Behavior of AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrate   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.783-783
학술대회
2020 X-band Microstrip Isolator for Aircraft/Ship Radar Application   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.1-1
학술지
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 6 원문
학술대회
2019 AlGaN/GaN 이종 접합 구조의 게이트 영역 미세 조절 리세스를 이용한 상시 불통형 전계 효과 트랜지스터   김진식   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.215-218
학술대회
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs   장성재   Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119
학술대회
2019 Ka-band GaN MMIC Power Amplifier for SG Communication Sysems   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.627-627
학술지
2019 GaN MIS-HEMT PA MMICs for 5G Mobile Devices   김성일   Journal of the Korean Physical Society, v.74 no.2, pp.196-200 2 원문
학술대회
2018 A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122
학술지
2018 Enhanced Carrier Transport Properties in GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with SiN/Al2O3 Bi-Layer Passivation   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.6, pp.86-90 5 원문
학술지
2018 DC and RF Characteristics of Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Shallow Recess Combined with Fluorine-Treatment and Deep Recess   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.4, pp.197-200 2 원문
학술대회
2018 Comparative Study of Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Gate Recess and F-treatment   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 28GHz MMIC Power Amplifier based on 0.15um GaN HEMT Technology   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 Breakdown and Power Characteristics of GaN HEMTs with a Variation of Device Dimensions for S-band Applications   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.667-667
학술대회
2018 Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications   민병규   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663
학술대회
2017 Current Status of ETRI's GaN Power Device Technology   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Development of a 0.15 μm GaN HEMT MMIC Process   김해천   Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-2
학술지
2017 Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 2 원문
학술지
2017 Characteristics of Enhanced-Mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications   이종민   Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.365-369 5 원문
학술대회
2017 X-대역 5W GaN 전력 증폭기 MMIC 설계 및 제작   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.289-289
학술대회
2017 Via-holes Etching on SiC Substrate Characterized by High Etch Selectivity with GaN Epilayer   민병규   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Backside Via Process with Defect Free Sidewalls for GaN MMIC Applications   조규준   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2017, pp.1-3 0
학술지
2017 The Effects of Tetramethylammonium Hydroxide Treatment on the Performance of Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   도재원   Thin Solid Films, v.628, pp.31-35 7 원문
학술지
2017 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment for Interface Quality Improvement in Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.6 no.4, pp.184-186 1 원문
학술지
2017 High Temperature Storage Test and Its Effect on the Thermal Stability and Electrical Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   이종민   Current Applied Physics, v.17 no.2, pp.157-161 10 원문
학술지
2017 ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 원문
학술지
2016 Microwave Low-Noise Performance of 0.17 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC With Wide Head Double-Deck T-Shaped Gate   윤형섭   IEEE Electron Device Letters, v.37 no.11, pp.1407-1410 17 원문
학술대회
2016 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment Method for AlGaN/GaN MIS-HEMTs with A High Quality Interface   정현욱   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2016, pp.785-786
학술지
2016 Effect of Fluoride-based Plasma Treatment on the Performance of AlGaN/GaN MISHFET   안호균   ETRI Journal, v.38 no.4, pp.675-684 3 원문
학술대회
2016 Backside Process of AlGaN/GaN HEMT on SiC with Optimized Via-Hole Etching Conditions   민병규   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characteristics of Enhanced-mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications   이종민   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC   신민정   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Threshold Voltage Shift of 0.2 μm AlGaN/GaN MISHFET with Fluorinated Gate Dielectric   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs   도재원   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characterization of GaAs-based MIM Capacitor up to 50 GHz   이상흥   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 50W 출력 전력 특성을 갖는 0.25um GaN-on-SiC HEMT   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.325-328
학술대회
2016 The Characterization of High Power Density 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Their MMIC   김해천   Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2016, pp.W17-W18
학술대회
2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3
학술대회
2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169
학술대회
2016 X-밴드 응용 분야를 위한 GaN HEMT 모델링   김성일   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.2557-2560
학술대회
2016 Advanced Backend Processing and its Effects on the Performance and the Yield of GaN HEMT Deviceson SiC Substrate   도재원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2
학술대회
2016 X-band 5W AlGaN/GaN HEMT Power MMICs   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 AlGaN/GaN Power HEMTs for Next Generation Radar Systems   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 A Study of Stress and its Effect on Electrical Properties of AlGaN/GaN HEMT   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술지
2016 0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회논문지, v.27 no.1, pp.76-79 원문
학술대회
2015 X-Band 0.2 μm AlGaN/GaN MISFET with SiN-Assisted Double-Deck T-Shaped Gate Structure   안호균   International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2015, pp.1-1
학술대회
2015 0-30 GHz GaN MIM 커패시터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 2015, pp.89-89
학술지
2015 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   한국물리학회, v.67 no.4, pp.682-686 3 원문
학술지
2015 Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole   민병규   한국물리학회, v.67 no.4, pp.718-722 1 원문
학술대회
2015 50W GaN RF HEMT를 이용한 9.2 - 9.5GHz 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1
학술지
2015 DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Gate Recessed by Using ICP Etching of BCl3/Cl2   윤형섭   한국물리학회, v.67 no.4, pp.654-657 3 원문
학술대회
2015 AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화   민병규   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195
학술대회
2015 40W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용한 X-대역 전력증폭기   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.231-234
학술대회
2015 Wide Head T-Shaped Gate Process for Low-Noise AlGaN/GaN HEMTs   윤형섭   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2015, pp.363-366
학술지
2015 A Simplified Circuit Model for GaN-Based MIM Capacitor   이상흥   Information : An International Interdisciplinary Journal, v.18 no.4, pp.1249-1254 0
학술지
2015 Ohmic Contact to AlGaN/GaN Heterostructures on Sapphire Substrates   김진식   한국물리학회, v.66 no.5, pp.779-784 2 원문
학술대회
2015 X-band 40W Pulsed Power Amplifier using 0.2um AlGaN/GaN HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.192-192
학술대회
2015 Low-Noise Microwave Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Wide Head T-Shaped Gate   윤형섭   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.191-191
학술지
2015 X-Band 100 W Solid-State Power Amplifier Using a 0.25 μM GaN HEMT Technology   강동민   Microwave and Optical Technology Letters, v.57 no.1, pp.212-216 6 원문
학술대회
2014 DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Recessed Gate by ICP Etching of BCl3/SF6   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.81-81
학술대회
2014 100W Pulsed SSPA Using 25W AlGaN/GaN HEMT Technology at 9.2 - 9.5 GHz   강동민   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.75-75
학술대회
2014 L/S-Band 0.5 μm AlGaN/GaN MISFET including SiN-Assisted T-Gate Structure   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.70-70
학술대회
2014 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131
학술대회
2014 Fabrication of GaN HEMT on SiC with Taper-Shaped Backside Via-Hole   민병규   International Symposium Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.80-80
학술대회
2014 An Equivalent Circuit Model for GaN-based MIM Capacitor   이상흥   International Symposium on Advanced and Applied Convergence (ISAAC) 2014, pp.1-4
학술대회
2014 GaN 기반 MIM 커패시터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 발표회 2014, pp.1-1
학술대회
2014 SiC 기판 기반의 스파이럴 인덕터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 발표회 (하계) 2014, pp.1-1
학술대회
2014 GaN on SiC HEMT 소자의 후면 비아홀 공정의 고장 분석   민병규   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2014, pp.1973-1974
학술지
2014 Analysis of the Degradation of AlGaN/GaN HEMTs by High-temperature Operation Tests   이종민   한국물리학회, v.64 no.10, pp.1446-1450 2 원문
학술지
2014 Normally-Off Dual Gate AlGaN/GaN MISFET with Selective Area-Recessed Floating Gate   안호균   Solid-State Electronics, v.95, pp.42-45 14 원문
학술대회
2014 Pt 기반의 쇼트키 접촉을 갖는 AlGaN/GaN HEMTs on SiC 의 특성   윤형섭   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2014, pp.1-1
학술지
2013 Fabrication of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Plasma Treatment   임종원   Thin Solid Films, v.547, pp.106-110 9 원문
학술대회
2013 Gate-Connected Field Plate를 포함하는 Normally-off AlGaN/AlN/GaN MISFET 특성 연구   안호균   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2013, pp.1843-1844
학술대회
2013 Effects of Various Field Plates for Normally-Off GaN MISFETs   장우진   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2013, pp.332-333
학술대회
2013 Development of the Backside Via Holes Process for SiC Power Device   고상춘   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 고온 저장 시험에 의한 GaN HEMT 소자의 특성 변화   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 X-Band 용 30W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 S-Band 170W Pulsed SSPA Using 30W GaN-on-Si RF Power HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 Packaged AlGaN/GaN HEMT with 100 W Output Power at 3 GHz   임종원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 Field Plate 를 구비한 Normally-off GaN MISFET 소자의 특성   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2012 Packaged GaN HEMT Power Bar with 17 W Output Power at 3 GHz   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.1-2
학술대회
2012 X-band용 6W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.381-382
학술대회
2012 에너지 절감 차세대 GaN 반도체 소자   문재경   한국진공학회 학술 대회 (동계) 2012, pp.105-105
학술대회
2012 Design of 220 GHz Amplifier and Mixer for THz Imaging System   장우진   International Conference on Electronics, Information, and Communication (ICEIC) 2012, pp.448-449
학술대회
2011 Design of 220 GHz-band Amplifier Using InP HEMT Technology   장우진   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2011, pp.1120-1122
학술대회
2010 S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2010, pp.1984-1987
학술지
2010 Characteristics of a 60 GHz MMIC Mixer with an Open Stub Microstrip Line   이상흥   Microwave and Optical Technology Letters, v.52 no.6, pp.1341-1345 1 원문
학술지
2009 Stability Improvement of 60 GHz Narrowband Amplifier Using Microstrip Coupled Lines   장우진   ETRI Journal, v.31 no.6, pp.741-748 9 원문
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2009 0.1㎛ GaAs mHEMT 기술을 이용한 90 - 110 GHz MMIC Amplifier   강동민   군수용 초고주파부품 워크샵 2009, pp.1-1
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2009 60 GHz Amplifier Module Using Low Temperature Co-fired Ceramic Technology   장우진   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2009, pp.1-3
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2007 60GHz 대역용 고격리도 pHEMT MMIC 스위치   문재경   Electronic Materials Letters, v.3 no.4, pp.1-5
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2007 Influence of Gate Head Dimensions on the Device Performance of 0.12um PHEMT   안호균   Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2007, pp.1-4 0 원문
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2007 Experimental Study on Isolation Characteristics Between Adjacent Microstrip Lines Employing Periodically Perforated Ground Metal for Application to Highly Integrated GaAs MMICs   윤영   IEEE Microwave and Wireless Components Letters, v.17 no.10, pp.703-705 11 원문
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2007 Temperature Dependence of Silicon Nanophotonic Ring Resonator With a Polymeric Overlayer   이종무   IEEE/OSA Journal of Lightwave Technology, v.25 no.8, pp.2236-2243 103 원문
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2007 Temperature-Insensitive Silicon Nano-Wire Ring Resonator   이종무   Optical Fiber Communication Conference (OFC) 2007 / National Fiber Optic Engineers Conference (NFOEC) 2007, pp.1-3 1 원문
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2007 60 GHz Amplifier MMICs and Module for 60 GHz WPAN System   장우진   Radio and Wireless Symposium (RWS) 2007, pp.377-380 4 원문
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2006 Fabrication and Characteristics of 0.12 μm Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a SiNx Pre-Passivation Layer   임종원   Journal of the Korean Physical Society, v.49 no.3, pp.S774-S779
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2006 Fabrication of SiN-Assisted 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT and 60GHz-bands MMICs for 60GHz WPAN System   안호균   MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-1
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2006 High Performance Low Temperature Co-fired Ceramic Modules for 60 GHz WPAN Systems   문재경   MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-2
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2006 Broadband 60 GHz Power Amplifier MMIC with Excellent Gain-Flatness   장우진   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.614-615 원문
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2006 Influence of T-Gate Shape on the Device Characteristics in SiN-Assisted 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT   안호균   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.1-2 원문
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2006 Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 μm T-Shaped Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a Hybrid and Conventional E-beam Lithography Process   임종원   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.956-957 원문
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2006 Preamplifier Design for Fiber-Optic mm-Wave Wireless System   홍선의   European Microwave Conference (EuMC) 2006, pp.1545-1547 1 원문
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2006 Low Noise and Power Amplifier Modules for 60 GHz Wireless Personal Area Network Applications   문재경   한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2006, pp.861-863
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2006 광대역의 우수한 이득 평탄도를 갖는 V-밴드 전력 증폭기 MMIC   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2006, pp.593-594
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2006 IEEE802.15.3c WPAN 시스템을 위한 60 GHz 저잡음 증폭기 MMIC   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2006, pp.501-502
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2006 Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 μm Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistors Using Dielectric-Assisted Process   임종원   Japanese Journal of Applied Physics, v.45 no.4B, pp.3358-3363 0 원문
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2006 Influence of T-gate shape on the device characteristics in 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
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2006 60 GHz Amplifier MMICs and Module for 60 GHz WPAN System   장우진   Topical Symposium on Millimeter Waves (TSMMW) 2006, pp.159-164
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2006 Low Noise Amplifier Module for 60 GHz Wireless Personal Area Network (WPAN) utilizing Multilayer Low Temperature Co-fired Ceramic Technology   문재경   ESA Workshop on Millimetre Wave Technology and Applications 2006, pp.1-4
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2006 Design and Implementation of 60 GHz Amplifier MMICs and Module for WPAN System   장우진   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
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2006 Fabrication and Characteristics of 0.12 μm Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a SiNx Pre-Passivation Layer   임종원   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
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2005 Preamplifier Design with Narrow Band for Fiber-Optic Millimeter-Wave Wireless LAN   홍선의   Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2005, pp.1-4 0 원문
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2005 SPDT 단일 고주파 집적 회로 스위치용 pHEMT 채널 구조 설계   문재경   한국진공학회지, v.14 no.4, pp.207-214
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2005 A Comparative Study of a Dielectric-Defined Process on AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs   임종원   ETRI Journal, v.27 no.3, pp.304-311 8 원문
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2003 Single Supply, High Linearity, High Efficient PHEMT Power Devices and Amplifier for 2 GHz & 5 GHz WLAN Applications   박민   European Microwave Conference (EuMC) 2003, pp.371-374 9 원문
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2003 A 2-stage 5GHz-band MMIC Power Amplifier for WLAN using a 0.5um PHEMT Process   강동민   International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2003, pp.693-695
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2002 The Effects of Plasma Induced Damage on The Channel Layers of Ion Implanted GaAs MESFETs during Reactive Ion Etching(RIE) and Plasma Ashing Processes   안호균   Materials Research Society (MRS) Meeting 2002 (Spring), v.720, pp.67-72 1 원문