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차세대 극한 성능 반도체 원천 기술 개발 (1차년도)
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참여자
성희경, 조성행, 전치훈, 문재경, 이수재, 배성범, 고상춘, 권오기, 임영안, 김남제, 나제호, 김진식, 이형석, 박준보, 남은수
발행년월
201701
구분
중간(연차)
키워드
광 빗살 발생기, GaN-Diamond 반도체, P형 산화물 반도체
KSP 제안 키워드
semiconductor device
출연처
한국전자통신연구원
주관기관
한국전자통신연구원
DOI
10.22648/ETRI.2016.R.000066 
협약과제
16ZB1200, 차세대 극한성능 반도체 원천기술 개발, 임영안