학술지
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2023 |
Analysis of issues in gate recess etching in the InAlAs/ InGaAs HEMT manufacturing process
민병규
ETRI Journal, v.45 no.1, pp.171-179 |
1 |
원문
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학술대회
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2022 |
A W-Band Variable-Gain Single-Chip Receiver for FMCW Radar
이상흥
한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.93-93 |
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학술대회
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2022 |
K/Ka-Band LNA MMIC Using GaAs MHEMT Technology
장우진
한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.72-72 |
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학술대회
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2022 |
60 GHz-대역폭을 갖는 2단 캐스케이드 차동 분산형 증폭기 설계
심상훈
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2022, pp.1-3 |
|
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학술대회
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2022 |
캐스코드 구조를 이용한 60 GHz 대역폭 차동 분산형 증폭기 설계
심상훈
한국전자파학회 전파 및 무선통신 학술 대회 2022, pp.1-2 |
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학술대회
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2022 |
Fabrication and Characteristics of 28 GHz Low Noise Amplifier using a mHEMT Technology
이종민
한국반도체 학술대회 (KCS) 2022, pp.1-1 |
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|
학술대회
|
2021 |
0.1um GaAs mHEMT 공정을 이용한 60 GHz-대역폭 차동 분산형 증폭기 설계
심상훈
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2021, pp.183-185 |
|
|
학술대회
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2021 |
W-대역 SiGe BiCMOS 수신기 MMIC 설계 및 제작
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2021, pp.796-796 |
|
|
학술대회
|
2021 |
W-대역 SiGe BiCMOS 믹서 MMIC 설계 및 제작
이상흥
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.2275-2277 |
|
|
학술지
|
2021 |
5G 이동통신을 위한 GaN RF 전자소자 및 집적회로 기술 동향
이종민
전자통신동향분석, v.36 no.3, pp.53-64 |
|
원문
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학술대회
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2020 |
SiGe HBT 소자를 이용하여 제작된 94 GHz 동작을 위한 믹서 MMIC의 특성
이종민
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2020, pp.209-210 |
|
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학술지
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2020 |
E-band Low-noise Amplifier MMIC with Impedance-controllable Filter using SiGe 130-nm BiCMOS Technology
장우진
ETRI Journal, v.42 no.5, pp.781-789 |
0 |
원문
|
학술대회
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2020 |
W-band MMIC Down-Converter with Image Signal Rejection Using 0.1 m GaAs MHEMT Technology
장우진
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.224-227 |
|
|
학술대회
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2020 |
0.13 um SiGe BiCMOS를 이용한 94 GHz 믹서 MMIC 설계 및 제작
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.795-795 |
|
|
학술대회
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2020 |
High Gain Wideband 94 GHz SiGe Driver Amplifier
김성일
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.793-793 |
|
|
학술대회
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2020 |
선택적인 내부 비활성 영역을 갖는 AlGaN/GaN HEMT 특성
이종민
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.488-489 |
|
|
학술지
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2020 |
W-Band MMIC Chipset in 0.1-μm mHEMT Technology
이종민
ETRI Journal, v.42 no.4, pp.549-561 |
3 |
원문
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학술대회
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2020 |
전자빔 리소그라피를 이용한 미세 에미터 크기의 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 소자의 제작
민병규
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.1-1 |
|
|
학술지
|
2020 |
A Study on the Behavior of Gate Recess Etch by Photoresist Openings on Ohmic Electrode in InAlAs/InGaAs mHEMT Devices
민병규
Journal of the Korean Physical Society, v.77 no.2, pp.122-126 |
2 |
원문
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학술지
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2020 |
W-Band MMIC를 위한 T-형태 게이트 구조를 갖는 MHMET 소자 특성
이종민
전기전자재료학회논문지, v.33 no.2, pp.99-104 |
|
원문
|
학술대회
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2020 |
W-band Image Rejection Mixer Using GaAs 0.1 m MHEMT Process
장우진
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.785-785 |
|
|
학술대회
|
2020 |
75~110 GHz Resistive Mixer MMIC with 6.5~7.5 dB Conversion Loss
장우진
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.791-791 |
|
|
학술대회
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2020 |
0.13μm SiGe HBT를 이용한 94 GHz PA MMIC 설계
김성일
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.797-797 |
|
|
학술대회
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2019 |
77~97 GHz LNA MMIC with 1 dB-Gain Flatness Using Short-Circuited Capacitor
장우진
International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2019, pp.907-910 |
0 |
원문
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학술지
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2019 |
2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성
윤형섭
한국전자파학회논문지, v.30 no.4, pp.282-285 |
|
원문
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학술대회
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2019 |
94 GHz SiGe 믹서 MMIC 설계
이상흥
한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2019, pp.1076-1077 |
|
|
학술대회
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2018 |
2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100nm mHEMT소자의 DC/RF 특성
윤형섭
한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2018, pp.106-106 |
|
|
학술대회
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2018 |
W-대역 GaAs MMIC 저잡음 증폭기 설계
강동민
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2018, pp.368-368 |
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학술대회
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2018 |
A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation
장우진
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122 |
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학술대회
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2018 |
Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications
민병규
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663 |
|
|
학술대회
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2018 |
Breakdown and Power Characteristics of GaN HEMTs with a Variation of Device Dimensions for S-band Applications
이종민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.667-667 |
|
|
학술대회
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2018 |
GaN MMIC를 위한 후면 비어의 RF 모델링
이상흥
한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2018, pp.715-716 |
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학술지
|
2017 |
Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing
윤형섭
Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 |
2 |
원문
|
학술지
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2017 |
Characteristics of Enhanced-Mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications
이종민
Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.365-369 |
5 |
원문
|
학술대회
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2017 |
C-대역 30W급 질화갈륨 기반 내부 정합형 전력 증폭기
강동민
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1 |
|
|
학술대회
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2017 |
X-대역 5W GaN 전력 증폭기 MMIC 설계 및 제작
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.289-289 |
|
|
학술대회
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2017 |
디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성
윤형섭
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1 |
|
|
학술지
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2017 |
High Temperature Storage Test and Its Effect on the Thermal Stability and Electrical Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
이종민
Current Applied Physics, v.17 no.2, pp.157-161 |
11 |
원문
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학술지
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2017 |
ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC
이상흥
한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 |
|
원문
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학술지
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2016 |
Microwave Low-Noise Performance of 0.17 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC With Wide Head Double-Deck T-Shaped Gate
윤형섭
IEEE Electron Device Letters, v.37 no.11, pp.1407-1410 |
23 |
원문
|
학술지
|
2016 |
Effect of Fluoride-based Plasma Treatment on the Performance of AlGaN/GaN MISHFET
안호균
ETRI Journal, v.38 no.4, pp.675-684 |
4 |
원문
|
학술대회
|
2016 |
Characterization of GaAs-based MIM Capacitor up to 50 GHz
이상흥
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC
신민정
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
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2016 |
Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs
도재원
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing
윤형섭
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Threshold Voltage Shift of 0.2 μm AlGaN/GaN MISHFET with Fluorinated Gate Dielectric
안호균
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Characteristics of Enhanced-mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications
이종민
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
X-밴드 응용 분야를 위한 GaN HEMT 모델링
김성일
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.2557-2560 |
|
|
학술대회
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2016 |
50W 출력 전력 특성을 갖는 0.25um GaN-on-SiC HEMT
강동민
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.325-328 |
|
|
학술대회
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2016 |
ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC
이상흥
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3 |
|
|
학술대회
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2016 |
ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate
이종민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2 |
|
|
학술대회
|
2016 |
AlGaN/GaN Power HEMTs for Next Generation Radar Systems
강동민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
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2016 |
X-band 5W AlGaN/GaN HEMT Power MMICs
김성일
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
|
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학술지
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2016 |
0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력 증폭기
강동민
한국전자파학회논문지, v.27 no.1, pp.76-79 |
|
원문
|
학술대회
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2015 |
0-30 GHz GaN MIM 커패시터 모델링
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 2015, pp.89-89 |
|
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학술지
|
2015 |
Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole
민병규
Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.718-722 |
1 |
원문
|
학술대회
|
2015 |
50W GaN RF HEMT를 이용한 9.2 - 9.5GHz 전력 증폭기
강동민
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1 |
|
|
학술지
|
2015 |
Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs
조규준
Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.682-686 |
3 |
원문
|
학술지
|
2015 |
DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Gate Recessed by Using ICP Etching of BCl3/Cl2
윤형섭
Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.654-657 |
3 |
원문
|
학술대회
|
2015 |
AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화
민병규
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195 |
|
|
학술대회
|
2015 |
40W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용한 X-대역 전력증폭기
강동민
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.231-234 |
|
|
학술대회
|
2015 |
Wide Head T-Shaped Gate Process for Low-Noise AlGaN/GaN HEMTs
윤형섭
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2015, pp.363-366 |
|
|
학술대회
|
2015 |
X-band 40W Pulsed Power Amplifier using 0.2um AlGaN/GaN HEMT
강동민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.192-192 |
|
|
학술대회
|
2015 |
Low-Noise Microwave Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Wide Head T-Shaped Gate
윤형섭
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.191-191 |
|
|
학술대회
|
2014 |
L/S-Band 0.5 μm AlGaN/GaN MISFET including SiN-Assisted T-Gate Structure
안호균
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.70-70 |
|
|
학술대회
|
2014 |
DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Recessed Gate by ICP Etching of BCl3/SF6
윤형섭
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.81-81 |
|
|
학술대회
|
2014 |
Fabrication of GaN HEMT on SiC with Taper-Shaped Backside Via-Hole
민병규
International Symposium Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.80-80 |
|
|
학술대회
|
2014 |
Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs
조규준
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131 |
|
|
학술대회
|
2014 |
GaN 기반 MIM 커패시터 모델링
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 발표회 2014, pp.1-1 |
|
|
학술지
|
2014 |
Analysis of the Degradation of AlGaN/GaN HEMTs by High-temperature Operation Tests
이종민
Journal of the Korean Physical Society, v.64 no.10, pp.1446-1450 |
2 |
원문
|
학술지
|
2014 |
Normally-Off Dual Gate AlGaN/GaN MISFET with Selective Area-Recessed Floating Gate
안호균
Solid-State Electronics, v.95, pp.42-45 |
15 |
원문
|
학술대회
|
2014 |
Pt 기반의 쇼트키 접촉을 갖는 AlGaN/GaN HEMTs on SiC 의 특성
윤형섭
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2014, pp.1-1 |
|
|
학술지
|
2013 |
Fabrication of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Plasma Treatment
임종원
Thin Solid Films, v.547, pp.106-110 |
9 |
원문
|
학술대회
|
2013 |
Gate-Connected Field Plate를 포함하는 Normally-off AlGaN/AlN/GaN MISFET 특성 연구
안호균
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2013, pp.1843-1844 |
|
|
학술대회
|
2013 |
S-Band 170W Pulsed SSPA Using 30W GaN-on-Si RF Power HEMT
강동민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
|
|
학술대회
|
2013 |
Packaged AlGaN/GaN HEMT with 100 W Output Power at 3 GHz
임종원
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
|
|
학술대회
|
2013 |
고온 저장 시험에 의한 GaN HEMT 소자의 특성 변화
이종민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
|
|
학술지
|
2012 |
Influence of Device Dimension and Gate Recess on the Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
이종민
Microwave and Optical Technology Letters, v.54 no.9, pp.2103-2106 |
1 |
원문
|
학술대회
|
2012 |
X-band용 6W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
김성일
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.381-382 |
|
|
학술지
|
2011 |
Dependences of the Characteristics of an InGaP/GaAs HBT for Applications in Power Amplifiers on the Structural Parameters
민병규
Journal of the Korean Physical Society, v.59 no.21, pp.435-438 |
2 |
원문
|
학술지
|
2009 |
Fabrication of Transimpedance Amplifier Module and Post-Amplifier Module for 40 Gb/s Optical Communication Systems
이종민
ETRI Journal, v.31 no.6, pp.749-754 |
3 |
원문
|
학술지
|
2007 |
Characteristics of Self-aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor Assisted by Silicon Nitride Sidewall
민병규
Solid State Phenomena, v.124-126, pp.97-100 |
|
원문
|
학술지
|
2007 |
Packaged Broadband Amplifier for 40-Gb/s Optical Transmission Systems in InP HBT Technology
이종민
Journal of the Korean Physical Society, v.50 no.3, pp.871-874 |
2 |
원문
|
학술지
|
2007 |
A Flip-Chip-Packaged InP HBT Transimpedance Amplifier for 40-Gb/s Optical Link Applications
주철원
Journal of the Korean Physical Society, v.50 no.3, pp.862-865 |
2 |
원문
|
학술대회
|
2007 |
Design and Implementation of Relayed Multicast Control Protocol for 1-to-n Multicast Service
박주영
International Conference on Advanced Communication Technology (ICACT) 2007, pp.2137-2140 |
3 |
원문
|
학술대회
|
2007 |
Alternative Multicast Mechanism with Mobility Support for One-to-Many Multicast Streaming Service
이종민
International Conference on Advanced Communication Technology (ICACT) 2007, pp.1302-1305 |
2 |
원문
|
학술대회
|
2007 |
Design and Implementation of Overlay Multicast Protocol for Many-to-many Multicast Services
박주영
International Conference on Advanced Communication Technology (ICACT) 2007, pp.2144-2147 |
5 |
원문
|
학술대회
|
2007 |
Efficient Data Relaying Mechanism for Overlay Multicast Streaming Services
이종민
International Conference on Advanced Communication Technology (ICACT) 2007, pp.1983-1986 |
4 |
원문
|
학술지
|
2006 |
Fabrication of Reliable Self-Aligned InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with Hexagonal Emitter Mesa Structure
민병규
Journal of the Korean Physical Society, v.49 no.3, pp.S780-S783 |
|
|
학술대회
|
2006 |
Characteristics of Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor Assisted by Silicon Nitride Sidewall
민병규
IUMRS International Conference in Asia (IUMRS-ICA) 2006, pp.97-100 |
|
|
학술대회
|
2006 |
A Flip Chip Packaged InP HBT Transimpedance Amplifier for 40 Gb/s Optical Link Application
주철원
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2006 |
Packaged Broadband Amplifier for 40 Gb/s Optical Transmission Systems in InP HBT Technology
이종민
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.161-161 |
|
|
학술대회
|
2006 |
1:2 De-Multiplexer IC for Fiber-Optic Receiver
김성일
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2006 |
Design and Fabrication of Wideband Limiting Amplifier by using InGaAs/InP HBT Technology
이종민
한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2 |
|
|
학술대회
|
2006 |
경사형 전극 도금 장치를 이용한 고균일도의 WLP용 범프 형성
주철원
한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2 |
|
|
학술대회
|
2006 |
A 20Gb/s 2:1 Multiplexer in InP DHBT Technology
김성일
한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2 |
|
|
학술대회
|
2006 |
Characteristics of Emitter-Base Self-Aligned InP/InGaAs/InP Double Heterojuction Bipolar Transistors with Various Emitter Shape
민병규
한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2 |
|
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학술지
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2005 |
An X-Band Carbon-Doped InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor MMIC Oscillator
김영기
ETRI Journal, v.27 no.1, pp.75-80 |
5 |
원문
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