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이형석
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RF/전력부품연구실
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전력 반도체 소자, 이동통신 소자/부품
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논문 검색결과
구분 연도 논문 피인용 원문
학술대회
2021 Technology Trends and Challenges in III-nitride Electronic Materials   배성범   한국진공학회 반도체 및 박막분과 워크샵 2021, pp.1-9
학술대회
2021 Defect Analysis of Single Crystal Substrate for III-Nitrides using X-ray Topography   배성범   한국방사광이용자협회 방사광 이용자 연구 발표회 2021, pp.47-47
학술대회
2021 Recent Progress of GaN-based Semiconductor Device Technologies in ETR   이형석   Europe-Korea Conference on Science and Technology (EKC) 2021, pp.1-1
학술대회
2021 Recent progress of Diamond heat spreader for next generation GaN power semiconductor   이형석   한국LED·광전자학회 학술대회 2021, pp.1-1
학술지
2021 Thermal Behavior of an AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrates   김진식   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.21 no.8, pp.4429-4435 원문
학술대회
2020 30 A / 900 V AlGaN/GaN-on-Si Double-Packaged Schottky Barrier Diodes with Controlled Passivation Edge   나제호   International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE) 2020, pp.1-1
학술대회
2020 RF Power Amplifier용 GaN-on-SiC 에피소재 개발 및 국산화 현황   배성범   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.185-185
학술지
2020 Effects of Recess Depth Under the Gate Area on the V th-Shift for Fabricating Normally-Off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures   김진식   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.20 no.7, pp.4170-4175 원문
학술대회
2020 Thermal Behavior of AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrate   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.783-783
학술지
2020 벌집 구조의 나노 채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정   김정진   전기전자재료학회논문지, v.33 no.1, pp.16-20
학술대회
2019 AlGaN/GaN 이종 접합 구조의 게이트 영역 미세 조절 리세스를 이용한 상시 불통형 전계 효과 트랜지스터   김진식   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.215-218
학술지
2019 Thermal Properties of Schottky Barrier Diode on AlGaN/GaN Heterostructures on Chemical Vapor Deposition Diamond   김진식   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.19 no.10, pp.6119-6122 원문
학술대회
2019 GaN Device Technology for High Voltage and RF Power Application   이형석   한러 과학기술의 날 2019, pp.1-1
학술지
2019 고전압 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 MOSFETs   문재경   전기전자재료학회논문지, v.32 no.3, pp.201-206 원문
학술대회
2019 Recent Progress in Diamond-based Semiconductor Device Technologies   이형석   한국물리학회 학술 논문 발표회 (봄) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 Effects of Recess Depth on the Vth-shift for Fabricating Normally-off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.618-619
학술지
2019 극한 환경용 반도체 기술 동향   장우진   The SEMICON Magazine, v.23, pp.28-36
학술지
2018 극한 환경용 반도체 기술 동향   장우진   전자통신동향분석, v.33 no.6, pp.12-23 원문
학술대회
2018 산화 갈륨 전계 효과 트랜지스터 제작 및 특성   문재경   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 GaN Cascode FET with On-Current of 38 A and Blocking Voltage of 450 V   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.753-755
학술대회
2018 CVD 다이아몬드 기판에 형성된 AlGaN/GaN 이종 구조위의 쇼키 다이오드의 열 특성   김진식   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.195-198
학술대회
2018 High Temperature Characterization and Analysis of GaN-on-Diamond FETs   이형석   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.665-666
학술지
2018 Ultra-low Rate Dry Etching Conditions for Fabricating Normally-off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures   김진식   Solid-State Electronics, v.140, pp.12-17 7 원문
학술대회
2018 Thermal Properties of Schottky Barrier Diode on AlGaN/GaN Heterostructures on CVD Diamond   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2017 Current Status of ETRI's GaN Power Device Technology   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Fabrication of Schottky Barrier Diodes on AlGaN/GaN Heterostructures on CVD Diamond Substrate   김진식   Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Investigation of GaN Power FETs for High Power Applications   이형석   Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 2017, pp.1-2
학술대회
2017 차세대 고효율 IT 부품용 GaN 전력 소자 기술   문재경   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.2557-2558
학술지
2017 Analysis of Electrical Characteristics of AlGaN/GaN on Si Large SBD by Changing Structure   이현수   Journal of Semiconductor Technology and Science, v.17 no.3, pp.354-362 1 원문
학술대회
2017 Normally-off AlGaN/GaN Field Effect Transistors with Recessed Gate using Ultra-low Rate Dry Etching Conditions   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 600 V/10A GaN Power Transistors for High Efficiency and Power Density   이형석   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.1-2
학술대회
2017 LPCVD Si3N4 Gate Dielectric를 적용한 대면적 GaN Cascode MISFET   이현수   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.320-320
학술지
2016 GaN 전력 반도체 글로벌 연구 개발 현황 및 미래 발전 방향   문재경   전자통신동향분석, v.31 no.6, pp.1-12 원문
학술대회
2016 고효율·저손실 GaN 전력 반도체 연구 개발 동향   문재경   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2016, pp.939-942
학술대회
2016 Ultra-low Rate Dry Etching Conditions for Fabrication of Normally-off Field Effect Transistor on AlGaN/GaN Heterostructure   김진식   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술지
2016 Surface Al Doping of 4H-SiC Via Low Temperature Annealing   박준보   Applied Physics Letters, v.109 no.3, pp.1-5 5 원문
학술대회
2016 몰리브데넘 기반의 오믹 저항을 이용한 AlGaN/GaN 쇼키 다이오드 특성   김진식   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.400-403
학술대회
2016 에피구조(GaN-on-Si and GaN-on-s.i.SiC)에 따른 GaN 전력 반도체 MISHEMT 소자의 전기적 특성   문재경   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.275-277
학술대회
2015 Improving Breakdown Voltage of SiC Schottky Barrier Diode using Field Metal Ring Structure   박준보   International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2015, pp.1-1
학술지
2015 0.34 VT AlGaN/GaN-on-Si Large Schottky Barrier Diode With Recessed Dual Anode Metal   이현수   IEEE Electron Device Letters, v.36 no.11, pp.1132-1134 41 원문
학술대회
2015 Analysis of Electrical Characteristics of AlGaN/GaN on Si Large SBD by Changing Structure   이현수   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2015, pp.176-177
학술대회
2015 Novel Device Structure of Large Periphery AlGaN/GaN MIS-HEMT for Current Density Improvement   박영락   International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2015, pp.1-2
학술대회
2015 700 V / 20 A Double AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diodes with Recessed Anode Structure on Silicon Substrate   나제호   International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2015, pp.1-2
학술대회
2015 AlGaN/GaN HEMTs의 항복 특성 향상   김기환   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1
학술지
2015 Al2O3 Surface Passivation and MOS-Gate Fabrication on AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors without Al2O3 Etching Process   김정진   Japanese Journal of Applied Physics, v.54 no.3, pp.1-3 1 원문
학술대회
2015 Surface Passivation Oxide Study of 4H-SiC Bipolar Junction Transistors   이형석   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.193-193
학술대회
2015 낮은 온저항을 갖는 AlGaN/GaN 더블 쇼트키 다이오드에 대한 연구   나제호   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.82-82