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레이더용 소자/부품, 이동통신 소자/부품
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논문 검색결과
구분 연도 논문 피인용 원문
학술지
2022 Effects of DC and AC Stress on the VT Shift of AlGaN/GaN MIS-HEMTs   강수철   Current Applied Physics, v.39, pp.128-132 0 원문
학술지
2021 Van der Waals Heterostructure of Hexagonal Boron Nitride with an AlGaN/GaN Epitaxial Wafer for High-Performance Radio Frequency Applications   문석호   ACS Applied Materials & Interfaces, v.13 no.49, pp.58253-59592 2 원문
학술대회
2021 An Equivalent Circuit Model of Thin Film Resistor for MMICs   이상흥   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2021, pp.102-102
학술지
2021 Substrate Effects on the Electrical Properties in GaN-Based High Electron Mobility Transistors   장성재   Crystals, v.11 no.11, pp.1-10 0 원문
학술대회
2021 고방열 기판/박막을 사용한 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트랜지스터의 성능 향상   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.219-221
학술대회
2021 InAlGaN/GaN HEMT 제작 및 특성   정현욱   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.223-225
학술대회
2021 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트렌지스터에서 조사된 양성자의 세기에 따른 문턱전압 변화 메커니즘 연구   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.93-96
학술대회
2021 GaN 기반 MIM 커패시터의 수율 및 균일도 분석   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2021, pp.153-153
학술지
2020 Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   강수철   Nanomaterials, v.10 no.11, pp.1-9 2 원문
학술지
2020 Comprehensive Research of Total Ionizing Dose Effects in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Dielectric Layer   장성재   Nanomaterials, v.10 no.11, pp.1-11 4 원문
학술대회
2020 Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020 (ECS Transactions 98), v.98 no.5, pp.519-526 0 원문
학술대회
2020 G03-1728 - Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020, pp.1-3
학술지
2020 W-Band MMIC Chipset in 0.1-μm mHEMT Technology   이종민   ETRI Journal, v.42 no.4, pp.549-561 0 원문
학술대회
2020 AlGaN/GaN HEMT 소자의 source 와 drain 간격에 따른 주파수 특성 변화   강수철   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.543-543
학술대회
2020 저유전막을 이용해 형성된 AlGaN/GaN HEMT소자 게이트가 주파수 특성에 미치는 영향   정현욱   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.893-893
학술지
2020 A Study on the Behavior of Gate Recess Etch by Photoresist Openings on Ohmic Electrode in InAlAs/InGaAs mHEMT Devices   민병규   한국물리학회, v.77 no.2, pp.122-126 0 원문
학술지
2020 Recess-Etched and Tetramethylammonium Hydroxide-Treated Nanoscale Pattern on AlGaN/GaN High-Electron-Mobility-Transistors for Improved Ohmic Contact   정현욱   한국물리학회, v.76 no.9, pp.837-842 0 원문
학술지
2020 W-Band MMIC를 위한 T-형태 게이트 구조를 갖는 MHMET 소자 특성   이종민   전기전자재료학회논문지, v.33 no.2, pp.99-104 원문
학술대회
2020 Ohmic Contacts with Recess-etched and TMAH-treated Nanometer-scale Patterns for Improved Performance and Reliability in AlGaN/GaN HEMTs   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.790-790
학술대회
2020 W-band Image Rejection Mixer Using GaAs 0.1 m MHEMT Process   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.785-785
학술대회
2020 75~110 GHz Resistive Mixer MMIC with 6.5~7.5 dB Conversion Loss   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.791-791
학술지
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 6 원문
학술대회
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs   장성재   Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119
학술지
2019 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성   윤형섭   한국전자파학회논문지, v.30 no.4, pp.282-285 원문
학술대회
2018 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100nm mHEMT소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2018, pp.106-106
학술대회
2018 W-대역 GaAs MMIC 저잡음 증폭기 설계   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2018, pp.368-368
학술지
2018 Enhanced Carrier Transport Properties in GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with SiN/Al2O3 Bi-Layer Passivation   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.6, pp.86-90 5 원문
학술대회
2018 A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122
학술지
2018 DC and RF Characteristics of Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Shallow Recess Combined with Fluorine-Treatment and Deep Recess   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.4, pp.197-200 2 원문
학술대회
2018 Comparative Study of Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Gate Recess and F-treatment   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 Mechanical Stress Effects on Device Properties in GaN-based HEMTs   장성재   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.648-648
학술대회
2018 Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications   민병규   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663
학술지
2018 Total Ionizing Dose Responses of GaN-based HEMTs with Different Channel Thicknesses and MOSHEMTs with Epitaxial MgCaO as Gate Dielectric   Maruf A. Bhuiyan   IEEE Transactions on Nuclear Science, v.65 no.1, pp.46-52 10 원문
학술지
2017 실리콘-화합물 융합 반도체 소자 기술 동향   이상흥   전자통신동향분석, v.32 no.6, pp.8-16 원문
학술대회
2017 Investigation of GaN Channel Thickness on the Channel Mobility in AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire Substrate   장성재   International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) 2017, pp.87-89 2 원문
학술대회
2017 Backside Via Process with Defect Free Sidewalls for GaN MMIC Applications   조규준   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2017, pp.1-3 0
학술지
2017 The Effects of Tetramethylammonium Hydroxide Treatment on the Performance of Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   도재원   Thin Solid Films, v.628, pp.31-35 7 원문
학술지
2017 Fin-Width Effects on Characteristics of InGaAs-Based Independent Double-Gate FinFETs   장성재   IEEE Electron Device Letters, v.38 no.4, pp.441-444 12 원문
학술지
2017 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment for Interface Quality Improvement in Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.6 no.4, pp.184-186 1 원문
학술대회
2016 Total Ionizing Dose Effects on GaN-based HEMTs and MOSHEMTs: Effects of Channel Thickness and Epitaxial MgCaO as Gate Dielectric   M. Bhuiyan   Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 2016, pp.1-2
학술지
2016 Dependence of GaN Channel Thickness on the Transistor Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.5 no.12, pp.N102-N107 5 원문
학술대회
2016 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment Method for AlGaN/GaN MIS-HEMTs with A High Quality Interface   정현욱   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2016, pp.785-786
학술대회
2016 Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs   도재원   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Investgation of GaN Channel Quality on the Device Properties in AIGaN/GaN HEMTs   장성재   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC   신민정   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1