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논문 검색결과
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학술대회
2022 Mechanisms of Device Degradation Induced by Proton Irradiation in the GaN-based MIS-HEMTs   장성재   International Conference on Accelerators and Beam Utilizations (ICABU) 2022, pp.45-45
학술대회
2022 Impact of T-Gate Head Size on Frequency Properties in GaN-based HEMTs   장성재   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2022, pp.1-1
학술지
2022 Effects of DC and AC Stress on the VT Shift of AlGaN/GaN MIS-HEMTs   강수철   Current Applied Physics, v.39, pp.128-132 0 원문
학술대회
2022 X-band Microstrip Isolator with NiCr thin film resistor for Aircraft/Ship Radar Application   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2022, pp.1-1
학술대회
2022 InAlGaN/GaN HEMTs with over cut-off frequency of 160 GHz   장성재   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2022, pp.1-1
학술대회
2022 Effect of T-gate Structure on RF Characteristic in AlGaN/GaN HEMTs   정현욱   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2022, pp.1-1
학술지
2021 Van der Waals Heterostructure of Hexagonal Boron Nitride with an AlGaN/GaN Epitaxial Wafer for High-Performance Radio Frequency Applications   문석호   ACS Applied Materials & Interfaces, v.13 no.49, pp.58253-59592 3 원문
학술대회
2021 Technology Trends and Challenges in III-nitride Electronic Materials   배성범   한국진공학회 반도체 및 박막분과 워크샵 2021, pp.1-9
학술대회
2021 Defect Analysis of Single Crystal Substrate for III-Nitrides using X-ray Topography   배성범   한국방사광이용자협회 방사광 이용자 연구 발표회 2021, pp.47-47
학술지
2021 Substrate Effects on the Electrical Properties in GaN-Based High Electron Mobility Transistors   장성재   Crystals, v.11 no.11, pp.1-10 0 원문
학술대회
2021 An Equivalent Circuit Model of Thin Film Resistor for MMICs   이상흥   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2021, pp.102-102
학술대회
2021 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트렌지스터에서 조사된 양성자의 세기에 따른 문턱전압 변화 메커니즘 연구   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.93-96
학술대회
2021 고방열 기판/박막을 사용한 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트랜지스터의 성능 향상   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.219-221
학술대회
2021 InAlGaN/GaN HEMT 제작 및 특성   정현욱   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.223-225
학술대회
2021 GaN 기반 MIM 커패시터의 수율 및 균일도 분석   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2021, pp.153-153
학술지
2020 Comprehensive Research of Total Ionizing Dose Effects in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Dielectric Layer   장성재   Nanomaterials, v.10 no.11, pp.1-11 5 원문
학술지
2020 Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   강수철   Nanomaterials, v.10 no.11, pp.1-9 2 원문
학술대회
2020 Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020 (ECS Transactions 98), v.98 no.5, pp.519-526 0 원문
학술대회
2020 G03-1728 - Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020, pp.1-3
학술대회
2020 저유전막을 이용해 형성된 AlGaN/GaN HEMT소자 게이트가 주파수 특성에 미치는 영향   정현욱   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.893-893
학술대회
2020 AlGaN/GaN HEMT 소자의 source 와 drain 간격에 따른 주파수 특성 변화   강수철   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.543-543
학술대회
2020 RF Power Amplifier용 GaN-on-SiC 에피소재 개발 및 국산화 현황   배성범   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.185-185
학술지
2020 W-Band MMIC Chipset in 0.1-μm mHEMT Technology   이종민   ETRI Journal, v.42 no.4, pp.549-561 0 원문
학술지
2020 A Study on the Behavior of Gate Recess Etch by Photoresist Openings on Ohmic Electrode in InAlAs/InGaAs mHEMT Devices   민병규   한국물리학회, v.77 no.2, pp.122-126 0 원문
학술대회
2020 전자빔 리소그라피를 이용한 미세 에미터 크기의 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 소자의 제작   민병규   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.1-1
학술지
2020 Recess-Etched and Tetramethylammonium Hydroxide-Treated Nanoscale Pattern on AlGaN/GaN High-Electron-Mobility-Transistors for Improved Ohmic Contact   정현욱   한국물리학회, v.76 no.9, pp.837-842 0 원문
학술지
2020 W-Band MMIC를 위한 T-형태 게이트 구조를 갖는 MHMET 소자 특성   이종민   전기전자재료학회논문지, v.33 no.2, pp.99-104 원문
학술대회
2020 X-band Microstrip Isolator for Aircraft/Ship Radar Application   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.1-1
학술대회
2020 75~110 GHz Resistive Mixer MMIC with 6.5~7.5 dB Conversion Loss   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.791-791
학술대회
2020 W-band Image Rejection Mixer Using GaAs 0.1 m MHEMT Process   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.785-785
학술대회
2020 Ohmic Contacts with Recess-etched and TMAH-treated Nanometer-scale Patterns for Improved Performance and Reliability in AlGaN/GaN HEMTs   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.790-790
학술지
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 6 원문
학술대회
2019 First Demonstration of 2500 V-class β-Ga2O3 MOSFETs   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs   장성재   Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119
학술지
2019 2.32 kV Breakdown Voltage Lateral β-Ga2O3 MOSFETs with Source-Connected Field Plate   문재경   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.7, pp.3079-3082 73 원문
학술대회
2019 1.2 kV 이상급 산화갈륨 전력 소자 개발 및 글로벌 연구 개발 동향   문재경   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 Si 도핑된 베타-산화갈륨 반도체의 Ti/Au 오믹 접촉 특성   정현욱   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 Si-도핑된 베타-산화갈륨 에피 채널층 기반 Circular-MOSFETs 제작 및 특성   조규준   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술지
2019 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성   윤형섭   한국전자파학회논문지, v.30 no.4, pp.282-285 원문
학술대회
2018 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100nm mHEMT소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2018, pp.106-106