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학술대회
2022 K/Ka-Band LNA MMIC Using GaAs MHEMT Technology   장우진   한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.72-72
학술대회
2022 Fabrication and Characteristics of 28 GHz Low Noise Amplifier using a mHEMT Technology   이종민   한국반도체 학술대회 (KCS) 2022, pp.1-1
학술대회
2021 0.1um GaAs mHEMT 공정을 이용한 60 GHz-대역폭 차동 분산형 증폭기 설계   심상훈   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2021, pp.183-185
학술지
2021 5G 이동통신을 위한 GaN RF 전자소자 및 집적회로 기술 동향   이종민   전자통신동향분석, v.36 no.3, pp.53-64 원문
학술지
2020 W-Band MMIC Chipset in 0.1-μm mHEMT Technology   이종민   ETRI Journal, v.42 no.4, pp.549-561 0 원문
학술대회
2020 W-band MMIC Down-Converter with Image Signal Rejection Using 0.1 m GaAs MHEMT Technology   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.224-227
학술지
2020 A Study on the Behavior of Gate Recess Etch by Photoresist Openings on Ohmic Electrode in InAlAs/InGaAs mHEMT Devices   민병규   한국물리학회, v.77 no.2, pp.122-126 0 원문
학술대회
2020 전자빔 리소그라피를 이용한 미세 에미터 크기의 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 소자의 제작   민병규   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.1-1
학술지
2020 W-Band MMIC를 위한 T-형태 게이트 구조를 갖는 MHMET 소자 특성   이종민   전기전자재료학회논문지, v.33 no.2, pp.99-104 원문
학술대회
2020 75~110 GHz Resistive Mixer MMIC with 6.5~7.5 dB Conversion Loss   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.791-791
학술대회
2020 W-band Image Rejection Mixer Using GaAs 0.1 m MHEMT Process   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.785-785
학술지
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 6 원문
학술대회
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs   장성재   Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119
학술지
2019 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성   윤형섭   한국전자파학회논문지, v.30 no.4, pp.282-285 원문
학술대회
2019 Ka-band GaN MMIC Power Amplifier for SG Communication Sysems   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.627-627
학술대회
2018 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100nm mHEMT소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2018, pp.106-106
학술대회
2018 W-대역 GaAs MMIC 저잡음 증폭기 설계   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2018, pp.368-368
학술대회
2018 A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122
학술지
2018 Enhanced Carrier Transport Properties in GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with SiN/Al2O3 Bi-Layer Passivation   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.6, pp.86-90 5 원문
학술지
2018 DC and RF Characteristics of Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Shallow Recess Combined with Fluorine-Treatment and Deep Recess   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.4, pp.197-200 2 원문
학술대회
2018 28GHz MMIC Power Amplifier based on 0.15um GaN HEMT Technology   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 Comparative Study of Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Gate Recess and F-treatment   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications   민병규   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663
학술대회
2018 Mechanical Stress Effects on Device Properties in GaN-based HEMTs   장성재   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.648-648
학술대회
2018 GaN MMIC를 위한 후면 비어의 RF 모델링   이상흥   한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2018, pp.715-716
학술대회
2017 Current Status of ETRI's GaN Power Device Technology   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Development of a 0.15 μm GaN HEMT MMIC Process   김해천   Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-2
학술지
2017 Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 2 원문
학술대회
2017 X-대역 5W GaN 전력 증폭기 MMIC 설계 및 제작   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.289-289
학술대회
2017 C-대역 30W급 질화갈륨 기반 내부 정합형 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Via-holes Etching on SiC Substrate Characterized by High Etch Selectivity with GaN Epilayer   민병규   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Backside Via Process with Defect Free Sidewalls for GaN MMIC Applications   조규준   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2017, pp.1-3 0
학술지
2017 The Effects of Tetramethylammonium Hydroxide Treatment on the Performance of Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   도재원   Thin Solid Films, v.628, pp.31-35 7 원문
학술지
2017 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment for Interface Quality Improvement in Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.6 no.4, pp.184-186 1 원문
학술지
2017 High Temperature Storage Test and Its Effect on the Thermal Stability and Electrical Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   이종민   Current Applied Physics, v.17 no.2, pp.157-161 11 원문
학술지
2017 ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 원문
학술지
2016 Microwave Low-Noise Performance of 0.17 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC With Wide Head Double-Deck T-Shaped Gate   윤형섭   IEEE Electron Device Letters, v.37 no.11, pp.1407-1410 19 원문
학술대회
2016 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment Method for AlGaN/GaN MIS-HEMTs with A High Quality Interface   정현욱   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2016, pp.785-786
학술지
2016 Effect of Fluoride-based Plasma Treatment on the Performance of AlGaN/GaN MISHFET   안호균   ETRI Journal, v.38 no.4, pp.675-684 3 원문
학술대회
2016 Threshold Voltage Shift of 0.2 μm AlGaN/GaN MISHFET with Fluorinated Gate Dielectric   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC   신민정   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Backside Process of AlGaN/GaN HEMT on SiC with Optimized Via-Hole Etching Conditions   민병규   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characterization of GaAs-based MIM Capacitor up to 50 GHz   이상흥   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs   도재원   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 The Characterization of High Power Density 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Their MMIC   김해천   Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2016, pp.W17-W18
학술대회
2016 X-밴드 응용 분야를 위한 GaN HEMT 모델링   김성일   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.2557-2560
학술대회
2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3
학술대회
2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169
학술대회
2016 50W 출력 전력 특성을 갖는 0.25um GaN-on-SiC HEMT   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.325-328
학술대회
2016 AlGaN/GaN Power HEMTs for Next Generation Radar Systems   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Advanced Backend Processing and its Effects on the Performance and the Yield of GaN HEMT Deviceson SiC Substrate   도재원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 X-band 5W AlGaN/GaN HEMT Power MMICs   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2
학술대회
2016 A Study of Stress and its Effect on Electrical Properties of AlGaN/GaN HEMT   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술지
2016 0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회논문지, v.27 no.1, pp.76-79 원문
학술대회
2015 X-Band 0.2 μm AlGaN/GaN MISFET with SiN-Assisted Double-Deck T-Shaped Gate Structure   안호균   International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2015, pp.1-1
학술대회
2015 0-30 GHz GaN MIM 커패시터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 2015, pp.89-89
학술대회
2015 50W GaN RF HEMT를 이용한 9.2 - 9.5GHz 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1
학술지
2015 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   한국물리학회, v.67 no.4, pp.682-686 3 원문
학술지
2015 Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole   민병규   한국물리학회, v.67 no.4, pp.718-722 1 원문
학술지
2015 DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Gate Recessed by Using ICP Etching of BCl3/Cl2   윤형섭   한국물리학회, v.67 no.4, pp.654-657 3 원문
학술대회
2015 40W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용한 X-대역 전력증폭기   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.231-234
학술대회
2015 AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화   민병규   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195
학술대회
2015 Wide Head T-Shaped Gate Process for Low-Noise AlGaN/GaN HEMTs   윤형섭   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2015, pp.363-366
학술지
2015 A Simplified Circuit Model for GaN-Based MIM Capacitor   이상흥   Information : An International Interdisciplinary Journal, v.18 no.4, pp.1249-1254 0
학술대회
2015 X-band 40W Pulsed Power Amplifier using 0.2um AlGaN/GaN HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.192-192
학술대회
2015 Low-Noise Microwave Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Wide Head T-Shaped Gate   윤형섭   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.191-191
학술지
2014 차세대 GaN 고주파 고출력 전력 증폭기 기술 동향   이상흥   전자통신동향분석, v.29 no.6, pp.1-13 원문
학술대회
2014 L/S-Band 0.5 μm AlGaN/GaN MISFET including SiN-Assisted T-Gate Structure   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.70-70
학술대회
2014 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131
학술대회
2014 DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Recessed Gate by ICP Etching of BCl3/SF6   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.81-81
학술대회
2014 Fabrication of GaN HEMT on SiC with Taper-Shaped Backside Via-Hole   민병규   International Symposium Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.80-80
학술대회
2014 An Equivalent Circuit Model for GaN-based MIM Capacitor   이상흥   International Symposium on Advanced and Applied Convergence (ISAAC) 2014, pp.1-4
학술대회
2014 GaN 기반 MIM 커패시터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 발표회 2014, pp.1-1
학술대회
2014 GaN on SiC HEMT 소자의 후면 비아홀 공정의 고장 분석   민병규   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2014, pp.1973-1974
학술지
2014 Normally-Off Dual Gate AlGaN/GaN MISFET with Selective Area-Recessed Floating Gate   안호균   Solid-State Electronics, v.95, pp.42-45 15 원문
학술지
2014 Analysis of the Degradation of AlGaN/GaN HEMTs by High-temperature Operation Tests   이종민   한국물리학회, v.64 no.10, pp.1446-1450 2 원문
학술대회
2014 Pt 기반의 쇼트키 접촉을 갖는 AlGaN/GaN HEMTs on SiC 의 특성   윤형섭   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2014, pp.1-1
학술지
2013 Fabrication of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Plasma Treatment   임종원   Thin Solid Films, v.547, pp.106-110 9 원문
학술대회
2013 Gate-Connected Field Plate를 포함하는 Normally-off AlGaN/AlN/GaN MISFET 특성 연구   안호균   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2013, pp.1843-1844
학술지
2013 Micromachined Stress-Free TSV Hole for AlGaN/GaN-on-Si (1 1 1) Platform-Based Devices   고상춘   Journal of Micromechanics and Microengineering, v.23 no.3, pp.1-7 2 원문
학술대회
2013 Packaged AlGaN/GaN HEMT with 100 W Output Power at 3 GHz   임종원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 고온 저장 시험에 의한 GaN HEMT 소자의 특성 변화   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 Development of the Backside Via Holes Process for SiC Power Device   고상춘   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 S-Band 170W Pulsed SSPA Using 30W GaN-on-Si RF Power HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술지
2012 Influence of Device Dimension and Gate Recess on the Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   이종민   Microwave and Optical Technology Letters, v.54 no.9, pp.2103-2106 1 원문
학술지
2012 차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력 소자 연구 개발 현황   문재경   전자통신동향분석, v.27 no.4, pp.96-106 원문
학술대회
2012 Packaged GaN HEMT Power Bar with 17 W Output Power at 3 GHz   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.1-2
학술대회
2012 X-band용 6W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.381-382
학술지
2011 Dependences of the Characteristics of an InGaP/GaAs HBT for Applications in Power Amplifiers on the Structural Parameters   민병규   한국물리학회, v.59 no.21, pp.435-438 2 원문
학술대회
2010 S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2010, pp.1984-1987
학술지
2009 Fabrication of Transimpedance Amplifier Module and Post-Amplifier Module for 40 Gb/s Optical Communication Systems   이종민   ETRI Journal, v.31 no.6, pp.749-754 3 원문
학술지
2007 Characteristics of Self-aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor Assisted by Silicon Nitride Sidewall   민병규   Solid State Phenomena, v.124-126, pp.97-100 원문
학술지
2007 Packaged Broadband Amplifier for 40-Gb/s Optical Transmission Systems in InP HBT Technology   이종민   Journal of the Korean Physical Society, v.50 no.3, pp.871-874 2 원문
학술지
2007 A Flip-Chip-Packaged InP HBT Transimpedance Amplifier for 40-Gb/s Optical Link Applications   주철원   Journal of the Korean Physical Society, v.50 no.3, pp.862-865 2 원문
학술지
2006 Fabrication of Reliable Self-Aligned InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with Hexagonal Emitter Mesa Structure   민병규   Journal of the Korean Physical Society, v.49 no.3, pp.S780-S783
학술대회
2006 Characteristics of Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor Assisted by Silicon Nitride Sidewall   민병규   IUMRS International Conference in Asia (IUMRS-ICA) 2006, pp.97-100
학술대회
2006 1:2 De-Multiplexer IC for Fiber-Optic Receiver   김성일   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1
학술대회
2006 A Flip Chip Packaged InP HBT Transimpedance Amplifier for 40 Gb/s Optical Link Application   주철원   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1
학술대회
2006 Packaged Broadband Amplifier for 40 Gb/s Optical Transmission Systems in InP HBT Technology   이종민   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.161-161
학술대회
2006 Characteristics of Emitter-Base Self-Aligned InP/InGaAs/InP Double Heterojuction Bipolar Transistors with Various Emitter Shape   민병규   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회
2006 A 20Gb/s 2:1 Multiplexer in InP DHBT Technology   김성일   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회
2006 경사형 전극 도금 장치를 이용한 고균일도의 WLP용 범프 형성   주철원   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회
2006 Design and Fabrication of Wideband Limiting Amplifier by using InGaAs/InP HBT Technology   이종민   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술지
2005 An X-Band Carbon-Doped InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor MMIC Oscillator   김영기   ETRI Journal, v.27 no.1, pp.75-80 5 원문