학술지
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2024 |
Improved frequency performance in AlGaN/GaN HEMTs on Si using hydrogen silsesquioxane-assisted gate
정현욱
Materials Science in Semiconductor Processing, v.170, pp.1-5 |
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원문
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학술대회
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2023 |
Impact of Parasitic Gate Capacitance on RF Performance in GaN-based HEMTs for X-band Applications
장성재
The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2023, pp.1-1 |
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학술대회
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2023 |
Novel T-Shaped Gate Structure of AlGaN/GaN HEMTs on Si for RF Application
정현욱
The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2023, pp.1-1 |
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학술대회
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2023 |
90~99 GHz Image-Rejection Mixer in 0.14-µm MHEMT Technology
장우진
International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 2023, pp.1-2 |
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학술지
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2023 |
Optimized recess etching criteria for T-gate fabrication achieving ft = 290 GHz at Lg = 124 nm in metamorphic high electron mobility transistor with In0.7Ga0.3As channel
박종율
Electronics Letters, v.59 no.14, pp.1-3 |
0 |
원문
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학술대회
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2023 |
Threshold Voltage Shift Mechanisms Induced by γ-ray and Proton Irradiation in GaN-based MIS-HEMTS for Satellite Communication System
장성재
한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2023, pp.1-3 |
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학술지
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2023 |
5G FR2 밴드 기지국용 GaN 평형 전력증폭기 MMIC
지홍구
한국전자파학회 논문지, v.34 no.6, pp.444-449 |
|
원문
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학술지
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2023 |
Improvement of Dynamic On-Resistance in GaN-Based Devices with a High-Quality In Situ SiN Passivation Layer
김정길,
이준혁
Micromachines, v.14 no.6, pp.1-10 |
0 |
원문
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학술지
|
2023 |
Mechanisms of the Device Property Alteration Generated by the Proton Irradiation in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Insulator
장성재
Nanomaterials, v.13 no.5, pp.1-13 |
0 |
원문
|
학술지
|
2023 |
Analysis of issues in gate recess etching in the InAlAs/ InGaAs HEMT manufacturing process
민병규
ETRI Journal, v.45 no.1, pp.171-179 |
1 |
원문
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학술지
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2023 |
25-31 GHz GaN-Based LNA MMIC Employing Hybrid-Matching Topology for 5G Base Station Applications
안현배
IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, v.33 no.1, pp.47-50 |
3 |
원문
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학술대회
|
2022 |
60 GHz-대역폭을 갖는 2단 캐스케이드 차동 분산형 증폭기 설계
심상훈
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2022, pp.1-3 |
|
|
학술대회
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2022 |
0.15μm 소자를 이용한 Ka 대역 전력증폭기 집적회로
정준형
한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.99-99 |
|
|
학술대회
|
2022 |
K/Ka-Band LNA MMIC Using GaAs MHEMT Technology
장우진
한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.72-72 |
|
|
학술대회
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2022 |
Ka대역 전력증폭기 MMIC
지홍구
한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.101-101 |
|
|
학술대회
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2022 |
Large-Area GaN FET Modeling Using Operating Temperature Distribution Characteristics of Gate Channels
장우진
International Conference on Consumer Electronics (ICCE) 2022 : Asia, pp.684-687 |
0 |
원문
|
학술대회
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2022 |
캐스코드 구조를 이용한 60 GHz 대역폭 차동 분산형 증폭기 설계
심상훈
한국전자파학회 전파 및 무선통신 학술 대회 2022, pp.1-2 |
|
|
학술대회
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2022 |
Fabrication and Characteristics of 28 GHz Low Noise Amplifier using a mHEMT Technology
이종민
한국반도체 학술대회 (KCS) 2022, pp.1-1 |
|
|
학술대회
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2021 |
Analysis of Temperature Characteristics of Gate Channels by DC Bias Conditions for Large-Size GaN FET Modeling
장우진
International Conference on Consumer Electronics (ICCE) 2021 : Asia, pp.398-392 |
1 |
원문
|
학술대회
|
2021 |
0.1um GaAs mHEMT 공정을 이용한 60 GHz-대역폭 차동 분산형 증폭기 설계
심상훈
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2021, pp.183-185 |
|
|
학술지
|
2021 |
Thermal Behavior of an AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrates
김진식
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.21 no.8, pp.4429-4435 |
|
원문
|
학술대회
|
2021 |
Design of A Ka-Band High Efficiency Power Amplifier MMIC Based on GaN HEMT Technology for 5G Base Station
안현배
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2021, pp.634-635 |
|
|
학술대회
|
2021 |
28 GHz 대역 5G 기지국용 GaN 저잡음 증폭기 MMIC 설계
안현배
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.2557-2560 |
|
|
학술대회
|
2021 |
GaN HEMT 대면적 소자 모델링을 위한 DC 바이어스 조건에 따른 게이트 채널 위치별 발생 온도 특성 분석
장우진
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.315-319 |
|
|
학술지
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2021 |
5G 이동통신을 위한 GaN RF 전자소자 및 집적회로 기술 동향
이종민
전자통신동향분석, v.36 no.3, pp.53-64 |
|
원문
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학술대회
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2020 |
SiGe HBT 소자를 이용하여 제작된 94 GHz 동작을 위한 믹서 MMIC의 특성
이종민
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2020, pp.209-210 |
|
|
학술대회
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2020 |
열 분산 효과를 이용한 GaN 대면적 FET 모델 정확도 향상
장우진
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2020, pp.148-149 |
|
|
학술지
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2020 |
E-band Low-noise Amplifier MMIC with Impedance-controllable Filter using SiGe 130-nm BiCMOS Technology
장우진
ETRI Journal, v.42 no.5, pp.781-789 |
0 |
원문
|
학술지
|
2020 |
W-Band MMIC Chipset in 0.1-μm mHEMT Technology
이종민
ETRI Journal, v.42 no.4, pp.549-561 |
4 |
원문
|
학술대회
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2020 |
W-band MMIC Down-Converter with Image Signal Rejection Using 0.1 m GaAs MHEMT Technology
장우진
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.224-227 |
|
|
학술대회
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2020 |
선택적인 내부 비활성 영역을 갖는 AlGaN/GaN HEMT 특성
이종민
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.488-489 |
|
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학술지
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2020 |
A Study on the Behavior of Gate Recess Etch by Photoresist Openings on Ohmic Electrode in InAlAs/InGaAs mHEMT Devices
민병규
Journal of the Korean Physical Society, v.77 no.2, pp.122-126 |
2 |
원문
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학술지
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2020 |
W-Band MMIC를 위한 T-형태 게이트 구조를 갖는 MHMET 소자 특성
이종민
전기전자재료학회논문지, v.33 no.2, pp.99-104 |
|
원문
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학술대회
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2020 |
75~110 GHz Resistive Mixer MMIC with 6.5~7.5 dB Conversion Loss
장우진
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.791-791 |
|
|
학술대회
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2020 |
Ohmic Contacts with Recess-etched and TMAH-treated Nanometer-scale Patterns for Improved Performance and Reliability in AlGaN/GaN HEMTs
정현욱
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.790-790 |
|
|
학술대회
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2020 |
X-band Microstrip Isolator for Aircraft/Ship Radar Application
안호균
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.1-1 |
|
|
학술대회
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2020 |
W-band Image Rejection Mixer Using GaAs 0.1 m MHEMT Process
장우진
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.785-785 |
|
|
학술대회
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2020 |
Thermal Behavior of AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrate
김진식
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.783-783 |
|
|
학술대회
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2020 |
0.13μm SiGe HBT를 이용한 94 GHz PA MMIC 설계
김성일
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.797-797 |
|
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학술지
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2020 |
벌집 구조의 나노 채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정
김정진
전기전자재료학회논문지, v.33 no.1, pp.16-20 |
|
|
학술지
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2019 |
Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs
장성재
ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 |
10 |
원문
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학술대회
|
2019 |
64 GHz/50 dBOhm Trans-Impedance Amplifier Design Using Gain-Peaking Inductor for Bandwidth Enhancement
장우진
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.115-118 |
|
|
학술대회
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2019 |
AlGaN/GaN 이종 접합 구조의 게이트 영역 미세 조절 리세스를 이용한 상시 불통형 전계 효과 트랜지스터
김진식
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.215-218 |
|
|
학술지
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2019 |
차세대 GaN RF 전력 증폭 소자 및 집적 회로 기술 동향
이상흥
전자통신동향분석, v.34 no.5, pp.71-80 |
|
원문
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학술지
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2019 |
2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성
윤형섭
한국전자파학회논문지, v.30 no.4, pp.282-285 |
|
원문
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학술대회
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2019 |
L 대역 응용에 최적화된 100W 정합형 GaN 전력 증폭기
김학성
한국전자파학회 학술 대회 (동계) 2019, pp.218-218 |
|
|
학술대회
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2019 |
Ka-band GaN MMIC Power Amplifier for SG Communication Sysems
강동민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.627-627 |
|
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학술대회
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2018 |
2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100nm mHEMT소자의 DC/RF 특성
윤형섭
한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2018, pp.106-106 |
|
|
학술대회
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2018 |
W-대역 GaAs MMIC 저잡음 증폭기 설계
강동민
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2018, pp.368-368 |
|
|
학술대회
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2018 |
A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation
장우진
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122 |
|
|
학술대회
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2018 |
28GHz MMIC Power Amplifier based on 0.15um GaN HEMT Technology
강동민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1 |
|
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학술대회
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2018 |
Breakdown and Power Characteristics of GaN HEMTs with a Variation of Device Dimensions for S-band Applications
이종민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.667-667 |
|
|
학술대회
|
2018 |
GaN MMIC를 위한 후면 비어의 RF 모델링
이상흥
한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2018, pp.715-716 |
|
|
학술대회
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2017 |
Current Status of ETRI's GaN Power Device Technology
문재경
International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2017, pp.1-1 |
|
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학술대회
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2017 |
차세대 고출력 레이더용 GaN 전력 소자 및 증폭기 기술
문재경
함정기술.무기체계 세미나 2017, pp.1-1 |
|
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학술지
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2017 |
Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing
윤형섭
Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 |
2 |
원문
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학술대회
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2017 |
Development of a 0.15 μm GaN HEMT MMIC Process
김해천
Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-2 |
|
|
학술대회
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2017 |
C-대역 30W급 질화갈륨 기반 내부 정합형 전력 증폭기
강동민
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1 |
|
|
학술대회
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2017 |
X-대역 5W GaN 전력 증폭기 MMIC 설계 및 제작
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.289-289 |
|
|
학술대회
|
2017 |
디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성
윤형섭
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1 |
|
|
학술지
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2017 |
Fin-Width Effects on Characteristics of InGaAs-Based Independent Double-Gate FinFETs
장성재
IEEE Electron Device Letters, v.38 no.4, pp.441-444 |
12 |
원문
|
학술지
|
2017 |
ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC
이상흥
한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 |
|
원문
|
학술지
|
2016 |
Microwave Low-Noise Performance of 0.17 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC With Wide Head Double-Deck T-Shaped Gate
윤형섭
IEEE Electron Device Letters, v.37 no.11, pp.1407-1410 |
23 |
원문
|
학술대회
|
2016 |
Design of a Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC) based Antenna with Broadband and High Gain at 60GHz Bands
김동영
International Conference on Consumer Electronics (ICCE) 2016 : Asia, pp.156-158 |
0 |
원문
|
학술지
|
2016 |
Effect of Fluoride-based Plasma Treatment on the Performance of AlGaN/GaN MISHFET
안호균
ETRI Journal, v.38 no.4, pp.675-684 |
4 |
원문
|
학술대회
|
2016 |
Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs
도재원
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
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2016 |
Characteristics of Enhanced-mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications
이종민
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Threshold Voltage Shift of 0.2 μm AlGaN/GaN MISHFET with Fluorinated Gate Dielectric
안호균
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing
윤형섭
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC
신민정
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Characterization of GaAs-based MIM Capacitor up to 50 GHz
이상흥
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
50W 출력 전력 특성을 갖는 0.25um GaN-on-SiC HEMT
강동민
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.325-328 |
|
|
학술대회
|
2016 |
X-밴드 응용 분야를 위한 GaN HEMT 모델링
김성일
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.2557-2560 |
|
|
학술대회
|
2016 |
ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169 |
|
|
학술대회
|
2016 |
ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC
이상흥
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3 |
|
|
학술대회
|
2016 |
The Characterization of High Power Density 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Their MMIC
김해천
Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2016, pp.W17-W18 |
|
|
학술대회
|
2016 |
77GHz 대역 차량 레이더용 유전체 공진기 기반 어레이 안테나 설계
김동영
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.291-291 |
|
|
학술대회
|
2016 |
X-band 5W AlGaN/GaN HEMT Power MMICs
김성일
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
AlGaN/GaN Power HEMTs for Next Generation Radar Systems
강동민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2016 |
Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate
이종민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2 |
|
|
학술지
|
2016 |
0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력 증폭기
강동민
한국전자파학회논문지, v.27 no.1, pp.76-79 |
|
원문
|
학술지
|
2016 |
Substrate Embedded Low Temperature Co-Fired Ceramics Antenna with Wide Beamwidth and High Gain at Millimetrewave Band
김동영
Electronics Letters, v.52 no.2, pp.98-100 |
2 |
원문
|
학술대회
|
2015 |
X-Band 0.2 μm AlGaN/GaN MISFET with SiN-Assisted Double-Deck T-Shaped Gate Structure
안호균
International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2015, pp.1-1 |
|
|
학술대회
|
2015 |
0-30 GHz GaN MIM 커패시터 모델링
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 2015, pp.89-89 |
|
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학술지
|
2015 |
Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs
조규준
Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.682-686 |
3 |
원문
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학술대회
|
2015 |
50W GaN RF HEMT를 이용한 9.2 - 9.5GHz 전력 증폭기
강동민
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1 |
|
|
학술지
|
2015 |
DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Gate Recessed by Using ICP Etching of BCl3/Cl2
윤형섭
Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.654-657 |
3 |
원문
|
학술대회
|
2015 |
밀리미터파대역 거리 측정 레이더용 평판형 렌즈 안테나 설계
김동영
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1 |
|
|
학술지
|
2015 |
Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole
민병규
Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.718-722 |
1 |
원문
|
학술대회
|
2015 |
AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화
민병규
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195 |
|
|
학술대회
|
2015 |
40W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용한 X-대역 전력증폭기
강동민
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.231-234 |
|
|
학술대회
|
2015 |
Wide Head T-Shaped Gate Process for Low-Noise AlGaN/GaN HEMTs
윤형섭
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2015, pp.363-366 |
|
|
학술대회
|
2015 |
GaN High Power Devices and Their Applications
문재경
The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2015 (ECS Transactions 66), v.66 no.1, pp.79-83 |
0 |
원문
|
학술대회
|
2015 |
X-band 40W Pulsed Power Amplifier using 0.2um AlGaN/GaN HEMT
강동민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.192-192 |
|
|
학술대회
|
2015 |
Low-Noise Microwave Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Wide Head T-Shaped Gate
윤형섭
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.191-191 |
|
|
학술지
|
2015 |
X-Band 100 W Solid-State Power Amplifier Using a 0.25 μM GaN HEMT Technology
강동민
Microwave and Optical Technology Letters, v.57 no.1, pp.212-216 |
6 |
원문
|
학술대회
|
2014 |
100W Pulsed SSPA Using 25W AlGaN/GaN HEMT Technology at 9.2 - 9.5 GHz
강동민
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.75-75 |
|
|
학술대회
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2014 |
DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Recessed Gate by ICP Etching of BCl3/SF6
윤형섭
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.81-81 |
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학술대회
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2014 |
Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs
조규준
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131 |
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학술대회
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2014 |
L/S-Band 0.5 μm AlGaN/GaN MISFET including SiN-Assisted T-Gate Structure
안호균
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.70-70 |
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학술대회
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2014 |
LTCC 기반 60GHz 대역 광대역 유전체 공진기 안테나 설계
김동영
한국전자파학회 종합 학술 발표회 2014, pp.1-1 |
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학술대회
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2014 |
LTCC 기반 밀리미터파 대역 패치 안테나 설계
김동영
한국전자파학회 종합 학술 발표회 (하계) 2014, pp.1-1 |
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학술지
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2014 |
Normally-Off Dual Gate AlGaN/GaN MISFET with Selective Area-Recessed Floating Gate
안호균
Solid-State Electronics, v.95, pp.42-45 |
15 |
원문
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학술대회
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2014 |
Pt 기반의 쇼트키 접촉을 갖는 AlGaN/GaN HEMTs on SiC 의 특성
윤형섭
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2014, pp.1-1 |
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학술지
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2014 |
Directly Modulated Tunable External Cavity Laser Transmitter Optical Sub-Assembly
윤기홍
IEEE Photonics Technology Letters, v.26 no.1, pp.47-49 |
8 |
원문
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학술지
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2013 |
Design of Patch Antenna on LTCC Substrate with Broadband and High Gain at Millimetre Wave Band
김동영
Electronics Letters, v.49 no.25, pp.1590-1591 |
3 |
원문
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학술대회
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2013 |
LTCC기반 밀리미터파 대역 광대역 고이득 패치 안테나 설계
김동영
한국전자파학회 종합 학술 발표회 2013, pp.1-1 |
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학술지
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2013 |
Fabrication of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Plasma Treatment
임종원
Thin Solid Films, v.547, pp.106-110 |
9 |
원문
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학술대회
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2013 |
Gate-Connected Field Plate를 포함하는 Normally-off AlGaN/AlN/GaN MISFET 특성 연구
안호균
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2013, pp.1843-1844 |
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학술대회
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2013 |
X-Band 용 30W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
김성일
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
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학술대회
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2013 |
Packaged AlGaN/GaN HEMT with 100 W Output Power at 3 GHz
임종원
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
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학술대회
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2013 |
S-Band 170W Pulsed SSPA Using 30W GaN-on-Si RF Power HEMT
강동민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
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학술지
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2012 |
차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력 소자 연구 개발 현황
문재경
전자통신동향분석, v.27 no.4, pp.96-106 |
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원문
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학술지
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2012 |
80-110 GHz MMIC Amplifiers Using a 0.1-μm GaAs-Based mHEMT Technology
강동민
Microwave and Optical Technology Letters, v.54 no.8, pp.1978-1982 |
1 |
원문
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학술대회
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2012 |
X-band용 6W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
김성일
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.381-382 |
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학술대회
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2012 |
Packaged GaN HEMT Power Bar with 17 W Output Power at 3 GHz
장우진
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.1-2 |
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학술대회
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2010 |
S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
장우진
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2010, pp.1984-1987 |
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학술대회
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2009 |
0.1㎛ GaAs mHEMT 기술을 이용한 90 - 110 GHz MMIC Amplifier
강동민
군수용 초고주파부품 워크샵 2009, pp.1-1 |
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학술지
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2008 |
A Transceiver Module for Automotive Radar Sensors using W-band MMIC One-chip Set
강동민
Microwave and Optical Technology Letters, v.50 no.9, pp.2371-2376 |
0 |
원문
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학술지
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2007 |
전방 감지용 밀리미터파 레이더 기술 동향
홍주연
전자통신동향분석, v.22 no.5, pp.35-45 |
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원문
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기타
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2007 |
자동차 전방 감지 레이더 센서용 MMIC 칩셋
강동민
IT SoC Magazine, v.권호없음, pp.46-55 |
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학술대회
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2007 |
Characteristics of 80 nm T-Gate Metamorphic HEMTx with 60 % Indium Channel
윤형섭
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2007, pp.110-113 |
0 |
원문
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학술지
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2007 |
Gate Recess Process for 80-nm T-Shaped Gate Metamorphic HEMTs on GaAs Substrates
윤형섭
Journal of the Korean Physical Society, v.50 no.3, pp.889-892 |
4 |
원문
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학술대회
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2006 |
80nm T-Shaped Gate Metamorphic HEMTs Fabricated Using Two-Step Gate Recess Process
윤형섭
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.954-955 |
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원문
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학술대회
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2006 |
A W-band MMIC Chip Set Fabricated by a GaAs MHEMT Technology
강동민
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1 |
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학술대회
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2006 |
Gate Recess Process for 80 nm T-shaped Gate Metamorphic HEMTs on GaAs Substrate
윤형섭
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1 |
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학술대회
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2006 |
50㎚ E-Beam Lithography Process using a Bilayer Resist Structure for Nano T-gate MHEMTs
심재엽
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1 |
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학술지
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2006 |
Extremely Low Noise Characteristics of 0.15μm Power Metamorphic High-Electron-Mobility Transistors
심재엽
Japanese Journal of Applied Physics, v.45 no.4B, pp.3380-3383 |
2 |
원문
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학술대회
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2006 |
A 77GHz GaAs mHEMT MMIC Transceiver Module for Automotive Radar Sensor
강동민
한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2 |
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학술대회
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2006 |
Fabrication of Low Noise Amplifier using 0.15 um Power Metamorphic HEMT and It’s Noise Characteristics
심재엽
한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2 |
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학술지
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2005 |
DC and RF Characteristics of 0.15 μm Power Metamorphic HEMTs
심재엽
ETRI Journal, v.27 no.6, pp.685-690 |
5 |
원문
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학술지
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2005 |
지능형 순항 제어 시스템 시장 전망 및 업계 개요
이경호
전자통신동향분석, v.20 no.6, pp.24-35 |
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원문
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학술대회
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2005 |
A 77GHz Automotive Radar MMIC Chip Set Fabricated by a 0.15μm MHEMT Technology
강동민
IEEE MTT-S International Microwave Symposium 2005, pp.2111-2114 |
18 |
원문
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학술지
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2005 |
A 77 GHz mHEMT MMIC Chip Set for Automotive Radar Systems
강동민
ETRI Journal, v.27 no.2, pp.133-139 |
11 |
원문
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학술대회
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2003 |
Single Supply, High Linearity, High Efficient PHEMT Power Devices and Amplifier for 2 GHz & 5 GHz WLAN Applications
박민
European Microwave Conference (EuMC) 2003, pp.371-374 |
9 |
원문
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학술대회
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2003 |
A 2-stage 5GHz-band MMIC Power Amplifier for WLAN using a 0.5um PHEMT Process
강동민
International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2003, pp.693-695 |
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학술대회
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2002 |
60GHz 무선 LAN 시스템을 위한 60GHz 전력 증폭기 모듈 제작
장우진
한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2002, pp.1302-1305 |
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학술대회
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2002 |
0.2um PHEMT를 이용한 Q-band MMIC 증폭기
강동민
한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2002, pp.283-286 |
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학술대회
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2002 |
A 3-stage Wideband Q-band Monolithic Amplifier for WLAN
강동민
International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2002, pp.1056-1059 |
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