공정 기술, HDP, HTO, SiON, CMP, DMOS, WL-IPD, High Temperature Oxide, Oxynitride, Chemical Mechanical Polishing, Wafer-level Integrated Passive Device
Funding Org.
한국전자통신연구원
Research Org.
한국전자통신연구원
Project Code
09ZB1400, Development support for customer-based convergence components,
Hee-Bum Jung
Abstract
4. 연구결과 융합부품실험실 환경이 5 인치 기준에서 6 인치로 전환됨에 따라 기존의 공정을 재정립하여 안정화에 기하였고, 공정지원 범위와 소자 제작 범위를 확대하기 위한 추가적인 장비 도입 등으로 새로운 공정 기술을 도입하고 새로운 기술의 제품군을 개발하기 위한 검증을 하였다. 이러한 과정에서 음성감광막형성 공정기술, 고밀도플라즈마(HDP) 식각기술, 고온 산화막 증착기술과 SiON 공정기술 및 CMP 기술을 개발하였고, 이를 응용하는 1 단계로 500V 급 파워소자 기술, 트렌치 게이트를 사용한 고효율 파워소자 기술 및 wafer level integrated passive device 용 저항과 캐패시터소자를 개발 검증하였다. 따라서 기존에 보유하고 있던 CMOS 소자, SiGe HBT 소자, 각종 센서소자의 개발지원은 물론이고, 첨단 관련 융합부품소자 및 소재 기술연구에 필요한 실험실환경이 조성됨에 따라서 더욱 유연성이 있는 연구 업무에도 도움을 줄 수 있게 되었다. 2009 년도에는 실리콘 관련 실험실에서 617 run, 11,460 wafer, 18,436 step 이었으며, 물성분석실험실에는 896 의뢰 건수에 22,878 시료를 분석 지원하였고, 패키징실험실에서는 601 의뢰 건수에 4,099 시료를 제작 지원하였다. 특히 원외 지원의 경우 기존의 단위공정 지원에서 IC 및 소자제작 지원 형태로 전환하여 융합부품실험실을 이용한 실질적인 반도체 제품에 대한 지원이 많이 이루어지도록 하였다. 또한, 반도체 실험실 운영 현황을 분석하여 정리하였으며, 장비 가동률 및 반도체 유틸리티, 오.폐수 관리 등 전반적인 반도체 시설운영 현황도 파악하여 궁극적으로는 안전하고 효율적인 반도체시설 운영이 되도록 하였다.
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J. Kim et. al, "Trends in Lightweight Kernel for Many core Based High-Performance Computing", Electronics and Telecommunications Trends. Vol. 32, No. 4, 2017, KOGL Type 4: Source Indication + Commercial Use Prohibition + Change Prohibition
J. Sim et.al, “the Fourth Industrial Revolution and ICT – IDX Strategy for leading the Fourth Industrial Revolution”, ETRI Insight, 2017, KOGL Type 4: Source Indication + Commercial Use Prohibition + Change Prohibition
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