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조규준
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구분 연도 논문 피인용 원문
학술대회
2022 K/Ka-Band LNA MMIC Using GaAs MHEMT Technology   장우진   한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.72-72
학술지
2021 Substrate Effects on the Electrical Properties in GaN-Based High Electron Mobility Transistors   장성재   Crystals, v.11 no.11, pp.1-10 0 원문
학술대회
2021 Recent progress of Diamond heat spreader for next generation GaN power semiconductor   이형석   한국LED·광전자학회 학술대회 2021, pp.1-1
학술대회
2021 고방열 기판/박막을 사용한 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트랜지스터의 성능 향상   장성재   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.219-221
학술지
2021 5G 이동통신을 위한 GaN RF 전자소자 및 집적회로 기술 동향   이종민   전자통신동향분석, v.36 no.3, pp.53-64 원문
학술대회
2020 Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020 (ECS Transactions 98), v.98 no.5, pp.519-526 0 원문
학술대회
2020 G03-1728 - Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   PRiME 2020, pp.1-3
학술지
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 6 원문
학술대회
2019 First Demonstration of 2500 V-class β-Ga2O3 MOSFETs   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs   장성재   Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119
학술지
2019 2.32 kV Breakdown Voltage Lateral β-Ga2O3 MOSFETs with Source-Connected Field Plate   문재경   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.7, pp.3079-3082 73 원문
학술대회
2019 Si-도핑된 베타-산화갈륨 에피 채널층 기반 Circular-MOSFETs 제작 및 특성   조규준   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 Si 도핑된 베타-산화갈륨 반도체의 Ti/Au 오믹 접촉 특성   정현욱   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 1.2 kV 이상급 산화갈륨 전력 소자 개발 및 글로벌 연구 개발 동향   문재경   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술지
2019 고전압 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 MOSFETs   문재경   전기전자재료학회논문지, v.32 no.3, pp.201-206 원문
학술지
2018 Enhanced Carrier Transport Properties in GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with SiN/Al2O3 Bi-Layer Passivation   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.6, pp.86-90 5 원문
학술대회
2018 산화 갈륨 전계 효과 트랜지스터 제작 및 특성   문재경   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122
학술지
2018 DC and RF Characteristics of Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Shallow Recess Combined with Fluorine-Treatment and Deep Recess   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.4, pp.197-200 2 원문
학술대회
2018 Mechanical Stress Effects on Device Properties in GaN-based HEMTs   장성재   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.648-648
학술대회
2018 Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications   민병규   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663
학술대회
2018 Comparative Study of Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Gate Recess and F-treatment   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 GaN MMIC를 위한 후면 비어의 RF 모델링   이상흥   한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2018, pp.715-716
학술대회
2017 Development of a 0.15 μm GaN HEMT MMIC Process   김해천   Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-2
학술지
2017 Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 2 원문
학술대회
2017 Investigation of GaN Channel Thickness on the Channel Mobility in AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire Substrate   장성재   International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) 2017, pp.87-89 3 원문
학술대회
2017 X-대역 5W GaN 전력 증폭기 MMIC 설계 및 제작   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.289-289
학술대회
2017 Via-holes Etching on SiC Substrate Characterized by High Etch Selectivity with GaN Epilayer   민병규   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Backside Via Process with Defect Free Sidewalls for GaN MMIC Applications   조규준   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2017, pp.1-3 0
학술지
2017 The Effects of Tetramethylammonium Hydroxide Treatment on the Performance of Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   도재원   Thin Solid Films, v.628, pp.31-35 7 원문
학술지
2017 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment for Interface Quality Improvement in Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT   정현욱   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.6 no.4, pp.184-186 1 원문
학술지
2017 ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 원문
학술대회
2016 Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment Method for AlGaN/GaN MIS-HEMTs with A High Quality Interface   정현욱   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2016, pp.785-786
학술대회
2016 Backside Process of AlGaN/GaN HEMT on SiC with Optimized Via-Hole Etching Conditions   민병규   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characterization of GaAs-based MIM Capacitor up to 50 GHz   이상흥   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC   신민정   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs   도재원   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 50W 출력 전력 특성을 갖는 0.25um GaN-on-SiC HEMT   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.325-328
학술대회
2016 The Characterization of High Power Density 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Their MMIC   김해천   Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2016, pp.W17-W18
학술대회
2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3
학술대회
2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169
학술대회
2016 Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2
학술대회
2016 Advanced Backend Processing and its Effects on the Performance and the Yield of GaN HEMT Deviceson SiC Substrate   도재원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 A Study of Stress and its Effect on Electrical Properties of AlGaN/GaN HEMT   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2015 0-30 GHz GaN MIM 커패시터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 2015, pp.89-89
학술지
2015 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   한국물리학회, v.67 no.4, pp.682-686 3 원문
학술지
2015 Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole   민병규   한국물리학회, v.67 no.4, pp.718-722 1 원문
학술대회
2015 AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화   민병규   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195
학술대회
2014 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131