학술대회
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2022 |
K/Ka-Band LNA MMIC Using GaAs MHEMT Technology
장우진
한국전자파학회 학술대회 (추계) 2022, pp.72-72 |
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학술지
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2021 |
Substrate Effects on the Electrical Properties in GaN-Based High Electron Mobility Transistors
장성재
Crystals, v.11 no.11, pp.1-10 |
3 |
원문
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학술대회
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2021 |
Recent progress of Diamond heat spreader for next generation GaN power semiconductor
이형석
한국LED·광전자학회 학술대회 2021, pp.1-1 |
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학술대회
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2021 |
고방열 기판/박막을 사용한 질화갈륨 기반 고 전자이동도 트랜지스터의 성능 향상
장성재
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.219-221 |
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학술지
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2021 |
5G 이동통신을 위한 GaN RF 전자소자 및 집적회로 기술 동향
이종민
전자통신동향분석, v.36 no.3, pp.53-64 |
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원문
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학술대회
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2020 |
Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs
장성재
PRiME 2020 (ECS Transactions 98), v.98 no.5, pp.519-526 |
1 |
원문
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학술대회
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2020 |
G03-1728 - Impact of Passivation System on Device Performance and Proton Radiation Hardness in GaN-Based MIS-HEMTs
장성재
PRiME 2020, pp.1-3 |
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학술지
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2019 |
Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs
장성재
ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 |
10 |
원문
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학술대회
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2019 |
First Demonstration of 2500 V-class β-Ga2O3 MOSFETs
문재경
International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2019, pp.1-1 |
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학술대회
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2019 |
Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs
장성재
Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119 |
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학술지
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2019 |
2.32 kV Breakdown Voltage Lateral β-Ga2O3 MOSFETs with Source-Connected Field Plate
문재경
ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.7, pp.3079-3082 |
94 |
원문
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학술대회
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2019 |
Si-도핑된 베타-산화갈륨 에피 채널층 기반 Circular-MOSFETs 제작 및 특성
조규준
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1 |
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학술대회
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2019 |
Si 도핑된 베타-산화갈륨 반도체의 Ti/Au 오믹 접촉 특성
정현욱
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1 |
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학술대회
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2019 |
1.2 kV 이상급 산화갈륨 전력 소자 개발 및 글로벌 연구 개발 동향
문재경
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1 |
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학술지
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2019 |
고전압 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 MOSFETs
문재경
전기전자재료학회논문지, v.32 no.3, pp.201-206 |
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원문
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학술대회
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2018 |
A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation
장우진
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122 |
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학술지
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2018 |
Enhanced Carrier Transport Properties in GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with SiN/Al2O3 Bi-Layer Passivation
장성재
ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.6, pp.86-90 |
7 |
원문
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학술대회
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2018 |
산화 갈륨 전계 효과 트랜지스터 제작 및 특성
문재경
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.1-1 |
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학술지
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2018 |
DC and RF Characteristics of Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Shallow Recess Combined with Fluorine-Treatment and Deep Recess
정현욱
ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.7 no.4, pp.197-200 |
2 |
원문
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학술대회
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2018 |
Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications
민병규
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663 |
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학술대회
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2018 |
Comparative Study of Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Gate Recess and F-treatment
정현욱
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1 |
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학술대회
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2018 |
Mechanical Stress Effects on Device Properties in GaN-based HEMTs
장성재
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.648-648 |
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학술대회
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2018 |
GaN MMIC를 위한 후면 비어의 RF 모델링
이상흥
한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2018, pp.715-716 |
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학술대회
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2017 |
Development of a 0.15 μm GaN HEMT MMIC Process
김해천
Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-2 |
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학술지
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2017 |
Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing
윤형섭
Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 |
2 |
원문
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학술대회
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2017 |
Investigation of GaN Channel Thickness on the Channel Mobility in AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire Substrate
장성재
International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) 2017, pp.87-89 |
3 |
원문
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학술대회
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2017 |
X-대역 5W GaN 전력 증폭기 MMIC 설계 및 제작
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.289-289 |
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학술대회
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2017 |
Via-holes Etching on SiC Substrate Characterized by High Etch Selectivity with GaN Epilayer
민병규
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1 |
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학술대회
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2017 |
Backside Via Process with Defect Free Sidewalls for GaN MMIC Applications
조규준
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2017, pp.1-3 |
0 |
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학술지
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2017 |
The Effects of Tetramethylammonium Hydroxide Treatment on the Performance of Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
도재원
Thin Solid Films, v.628, pp.31-35 |
8 |
원문
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학술지
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2017 |
Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment for Interface Quality Improvement in Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT
정현욱
ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.6 no.4, pp.184-186 |
1 |
원문
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학술지
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2017 |
ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC
이상흥
한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 |
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원문
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학술대회
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2016 |
Hydrazine (N2H4)-Based Surface Treatment Method for AlGaN/GaN MIS-HEMTs with A High Quality Interface
정현욱
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2016, pp.785-786 |
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학술대회
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2016 |
Backside Process of AlGaN/GaN HEMT on SiC with Optimized Via-Hole Etching Conditions
민병규
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC
신민정
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing
윤형섭
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs
도재원
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Characterization of GaAs-based MIM Capacitor up to 50 GHz
이상흥
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
The Characterization of High Power Density 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Their MMIC
김해천
Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2016, pp.W17-W18 |
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학술대회
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2016 |
50W 출력 전력 특성을 갖는 0.25um GaN-on-SiC HEMT
강동민
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.325-328 |
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학술대회
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2016 |
ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC
이상흥
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3 |
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학술대회
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2016 |
ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169 |
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학술대회
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2016 |
A Study of Stress and its Effect on Electrical Properties of AlGaN/GaN HEMT
정현욱
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Advanced Backend Processing and its Effects on the Performance and the Yield of GaN HEMT Deviceson SiC Substrate
도재원
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate
이종민
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2 |
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학술대회
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2015 |
0-30 GHz GaN MIM 커패시터 모델링
이상흥
한국전자파학회 종합 학술 대회 2015, pp.89-89 |
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학술지
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2015 |
Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs
조규준
Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.682-686 |
3 |
원문
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학술지
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2015 |
Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole
민병규
Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.718-722 |
1 |
원문
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학술대회
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2015 |
AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화
민병규
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195 |
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학술대회
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2014 |
Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs
조규준
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131 |
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