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전력 반도체 소자, 레이더용 소자/부품
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학술대회
2020 30 A / 900 V AlGaN/GaN-on-Si Double-Packaged Schottky Barrier Diodes with Controlled Passivation Edge   나제호   International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE) 2020, pp.1-1
학술대회
2020 RF Power Amplifier용 GaN-on-SiC 에피소재 개발 및 국산화 현황   배성범   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.185-185
학술대회
2019 First Demonstration of 2500 V-class β-Ga2O3 MOSFETs   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2019, pp.1-1
학술지
2019 2.32 kV Breakdown Voltage Lateral β-Ga2O3 MOSFETs with Source-Connected Field Plate   문재경   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.7, pp.3079-3082 69 원문
학술대회
2019 1.2 kV 이상급 산화갈륨 전력 소자 개발 및 글로벌 연구 개발 동향   문재경   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 Si 도핑된 베타-산화갈륨 반도체의 Ti/Au 오믹 접촉 특성   정현욱   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술대회
2019 Si-도핑된 베타-산화갈륨 에피 채널층 기반 Circular-MOSFETs 제작 및 특성   조규준   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
학술지
2019 고전압 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 MOSFETs   문재경   전기전자재료학회논문지, v.32 no.3, pp.201-206 원문
학술지
2019 극한 환경용 반도체 기술 동향   장우진   The SEMICON Magazine, v.23, pp.28-36
학술지
2018 극한 환경용 반도체 기술 동향   장우진   전자통신동향분석, v.33 no.6, pp.12-23 원문
학술대회
2018 산화 갈륨 전계 효과 트랜지스터 제작 및 특성   문재경   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 GaN Cascode FET with On-Current of 38 A and Blocking Voltage of 450 V   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.753-755
학술대회
2018 High Temperature Characterization and Analysis of GaN-on-Diamond FETs   이형석   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.665-666
학술대회
2017 Current Status of ETRI's GaN Power Device Technology   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 차세대 고출력 레이더용 GaN 전력 소자 및 증폭기 기술   문재경   함정기술.무기체계 세미나 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Investigation of GaN Power FETs for High Power Applications   이형석   Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 2017, pp.1-2
학술지
2017 Analysis of Electrical Characteristics of AlGaN/GaN on Si Large SBD by Changing Structure   이현수   Journal of Semiconductor Technology and Science, v.17 no.3, pp.354-362 1 원문
학술대회
2017 차세대 고효율 IT 부품용 GaN 전력 소자 기술   문재경   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.2557-2558
학술대회
2017 내환경 고효율 GaN 전자 소자의 글로벌 연구 개발 동향   문재경   한국물리학회 학술 논문 발표회 (봄) 2017, pp.1-1
학술지
2017 Control of PN-Junction Turn-on Voltage in 4H-SiC merged PiN Schottky Diode   박준보   Applied Physics Letters, v.110 no.14, pp.1-5 4 원문
학술대회
2017 Surge Current Capacity of 4H-SiC Merged PiN Schottky Diode   박준보   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 질화갈륨 전력 소자를 이용한 벅 컨버터 설계   장현규   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.322-322
학술대회
2017 600 V/10A GaN Power Transistors for High Efficiency and Power Density   이형석   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.1-2
학술대회
2017 대면적 질화갈륨 이종 접합 전계 효과 트랜지스터의 동적 저항 측정 방법   김민기   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.321-321
학술대회
2017 LPCVD Si3N4 Gate Dielectric를 적용한 대면적 GaN Cascode MISFET   이현수   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.320-320
학술지
2016 GaN 전력 반도체 글로벌 연구 개발 현황 및 미래 발전 방향   문재경   전자통신동향분석, v.31 no.6, pp.1-12 원문
학술지
2016 Improved Stability of Electrical Properties of Nitrogen-added Al2O3 Films Grown by PEALD as Gate Dielectric   이다정   Materials Research Bulletin, v.83, pp.597-602 8 원문
학술대회
2016 고효율·저손실 GaN 전력 반도체 연구 개발 동향   문재경   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2016, pp.939-942
학술대회
2016 Common-Source Inductance Reduction in GaN Cascode FET for High- Speed Switching and High-Efficiency Operation   장우진   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 에피구조(GaN-on-Si and GaN-on-s.i.SiC)에 따른 GaN 전력 반도체 MISHEMT 소자의 전기적 특성   문재경   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.275-277
학술지
2016 Design of Parasitic Inductance Reduction in GaN Cascode FET for High-Efficiency Operation   장우진   ETRI Journal, v.38 no.1, pp.133-140 6 원문
학술지
2015 Effects of doping concentration ratio on electrical characterization in pseudomorphic HEMT-based MMIC switches for ICT system   문재경   Solid-State Electronics, v.114, pp.121-130 1 원문
학술대회
2015 Suppression of Leakage Current in Dual Schottky Barrier Diode using BOE Treatment   장현규   International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2015, pp.1-1
학술대회
2015 Novel Device Structure of Large Periphery AlGaN/GaN MIS-HEMT for Current Density Improvement   박영락   International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2015, pp.1-2
학술대회
2015 Analysis of Electrical Characteristics of AlGaN/GaN on Si Large SBD by Changing Structure   이현수   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2015, pp.176-177
학술대회
2015 Effects on Breakdown Voltage Characteristics of Various Field Plates in GaN FETs   장우진   International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2015, pp.1-2
학술지
2015 Low Leakage Current AlGaN/GaN on Si-Based Schottky Barrier Diode with Bonding-Pad Electrode Mesa Etching   장현규   Japanese Journal of Applied Physics, v.54 no.7, pp.1-5 2 원문
학술대회
2015 필드 플레이트 구조에 대한 GaN FET 항복 전압 특성 영향   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.326-329
학술대회
2015 GaN High Power Devices and Their Applications   문재경   The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2015 (ECS Transactions 66), v.66 no.1, pp.79-83 0 원문
학술지
2015 Normally-off GaN MIS-HEMT Using a Combination of Recessed-Gate Structure and CF4 Plasma Treatment   박영락   Physica Status Solidi (A), v.2112 no.5, pp.1170-1173 6 원문
학술지
2015 Al2O3 Surface Passivation and MOS-Gate Fabrication on AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors without Al2O3 Etching Process   김정진   Japanese Journal of Applied Physics, v.54 no.3, pp.1-3 1 원문
학술대회
2015 애노드 구조 변화와 Al2O3 passivation을 통한 쇼트키 배리어 다이오드의 전기적 특성 분석   이현수   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.205-205
학술대회
2014 Compact 10 ~ 13 GHz GaN Low Noise Amplifier MMIC using Simple Matching and Bias Circuits   장우진   European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) 2014, pp.516-519 7 원문
학술대회
2014 Normally-off GaN MIS-HEMT Using CF4 Plasma Gate Recess   박영락   International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2014, pp.1-2
학술지
2014 Low Onset Voltage of GaN on Si Schottky Barrier Diode Using Various Recess Depths   박영락   Electronics Letters, v.50 no.16, pp.1164-1165 13 원문
학술대회
2014 CF4 플라즈마 식각을 이용한 증가형 AlGaN/GaN MISFET   박영락   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2014, pp.2000-2001
학술지
2014 Analysis of the Degradation of AlGaN/GaN HEMTs by High-temperature Operation Tests   이종민   한국물리학회, v.64 no.10, pp.1446-1450 2 원문
학술대회
2014 Development of a Heat Pipe Heat Dissipation Method for CPV Application   문석환   International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV) 2014, pp.140-143 2 원문
학술지
2014 X-Band MMIC Low-Noise Amplifier MMIC on SiC Substrate Using 0.25-μm ALGaN/GaN HEMT Technology   장우진   Microwave and Optical Technology Letters, v.56 no.1, pp.96-99 7 원문
학술대회
2013 X-Band Low Noise Amplifier MMIC Using AlGaN/GaN HEMT Technology on SiC Substrate   장우진   Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2013, pp.681-684 5 원문
학술지
2013 Fabrication of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Plasma Treatment   임종원   Thin Solid Films, v.547, pp.106-110 9 원문
학술대회
2013 Analysis of Forward Characteristics in AlGan/GaN SBD with Schottky Contact Lying on Mesa Edge   박영락   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2013, pp.144-145 원문
학술대회
2013 GaN 쇼키 다이오드의 액티브 구조 위의 본딩패드 기법을 이용한 어레이 소자 연구   장우영   대한전기학회 학술 대회 (하계) 2013, pp.1054-1055
학술대회
2013 PMMA 집광 렌즈를 이용한 태양광 모듈의 열특성 시뮬레이션 해석   이규호   대한설비공학회 학술 발표 대회 (하계) 2013, pp.826-828
학술대회
2013 Effects of Various Field Plates for Normally-Off GaN MISFETs   장우진   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2013, pp.332-333
학술지
2013 Micromachined Stress-Free TSV Hole for AlGaN/GaN-on-Si (1 1 1) Platform-Based Devices   고상춘   Journal of Micromechanics and Microengineering, v.23 no.3, pp.1-7 2 원문
학술대회
2013 Packaged AlGaN/GaN HEMT with 100 W Output Power at 3 GHz   임종원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 Field Plate 를 구비한 Normally-off GaN MISFET 소자의 특성   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 S-Band 170W Pulsed SSPA Using 30W GaN-on-Si RF Power HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 Development of the Backside Via Holes Process for SiC Power Device   고상춘   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 X-Band 용 30W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 Patterning of Submicron Scale Under Low Pressure   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 고온 저장 시험에 의한 GaN HEMT 소자의 특성 변화   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2012 Differential Variable-Gain LNA for UWB System   장우진   European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) 2012, pp.377-380
학술지
2012 Design of Antenna with Broadband and High Gain at Millimetre-Wave Band   김동영   Electronics Letters, v.48 no.22, pp.1382-1383 4 원문
학술지
2012 Influence of Device Dimension and Gate Recess on the Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors   이종민   Microwave and Optical Technology Letters, v.54 no.9, pp.2103-2106 1 원문
학술지
2012 A 1-12-GHz Variable-Gain Low-Noise Amplifier MMIC Using 0.25-μm SiGe BiCMOS Technology   장우진   Microwave and Optical Technology Letters, v.54 no.8, pp.1935-1937 1 원문
학술지
2012 차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력 소자 연구 개발 현황   문재경   전자통신동향분석, v.27 no.4, pp.96-106 원문
학술대회
2012 Current Status of GaN Technologies in ETRI   문재경   Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 2012, pp.1-2
학술대회
2012 Packaged GaN HEMT Power Bar with 17 W Output Power at 3 GHz   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.1-2
학술대회
2012 X-band용 6W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.381-382
학술대회
2012 Design of 220 GHz Amplifier and Mixer for THz Imaging System   장우진   International Conference on Electronics, Information, and Communication (ICEIC) 2012, pp.448-449
학술대회
2012 에너지 절감 차세대 GaN 반도체 소자   문재경   한국진공학회 학술 대회 (동계) 2012, pp.105-105
학술지
2012 GaN 전자 소자 글로벌 연구 개발 동향   문재경   전자통신동향분석, v.27 no.1, pp.74-85 원문
학술대회
2011 Design of 220 GHz-band Amplifier Using InP HEMT Technology   장우진   International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2011, pp.1120-1122
학술대회
2010 S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2010, pp.1984-1987
학술지
2008 LTCC 기판의 60 GHz 대역 유전 특성 및 LTCC 위에 구현된 전송 선로의 전달 특성 측정   김동영   Electronic Materials Letters, v.4 no.1, pp.35-38
학술지
2007 60GHz 대역용 고격리도 pHEMT MMIC 스위치   문재경   Electronic Materials Letters, v.3 no.4, pp.1-5
학술대회
2007 Influence of Gate Head Dimensions on the Device Performance of 0.12um PHEMT   안호균   Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2007, pp.1-4 0 원문
학술대회
2007 Highly Miniaturized Passive Components Employing Novel π-type Multiple Coupled Microstrip lines   윤영   European Microwave Conference (EuMC) 2007, pp.454-457 0 원문
학술지
2006 Fabrication and Characteristics of 0.12 μm Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a SiNx Pre-Passivation Layer   임종원   Journal of the Korean Physical Society, v.49 no.3, pp.S774-S779
학술대회
2006 High Performance Low Temperature Co-fired Ceramic Modules for 60 GHz WPAN Systems   문재경   MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-2
학술대회
2006 Fabrication of SiN-Assisted 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT and 60GHz-bands MMICs for 60GHz WPAN System   안호균   MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-1
학술대회
2006 Investigation of Millimeter-Wave Characteristics of Transmission Lines Manufactured using LTCC Technology   김동영   MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-1
학술대회
2006 Investigation of Low Loss Interconnection Technique for LTCC based System-on-Package Technology at 60GHz   김동영   MRS Meeting 2006 (Fall), pp.1-1
학술대회
2006 LTCC Technology for 60 GHz Applications   김해천   International Symposium on Mathematical Programming (ISMP) 2006, pp.1-22
학술대회
2006 Influence of T-Gate Shape on the Device Characteristics in SiN-Assisted 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT   안호균   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.1-2 원문
학술대회
2006 Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 μm T-Shaped Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a Hybrid and Conventional E-beam Lithography Process   임종원   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.956-957 원문
학술대회
2006 Low Noise and Power Amplifier Modules for 60 GHz Wireless Personal Area Network Applications   문재경   한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2006, pp.861-863
학술지
2006 Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 μm Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistors Using Dielectric-Assisted Process   임종원   Japanese Journal of Applied Physics, v.45 no.4B, pp.3358-3363 0 원문
학술대회
2006 Design and Implementation of 60 GHz Amplifier MMICs and Module for WPAN System   장우진   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회
2006 Fabrication and Characteristics of 0.12 μm Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs Using a SiNx Pre-Passivation Layer   임종원   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회
2006 60 GHz Amplifier MMICs and Module for 60 GHz WPAN System   장우진   Topical Symposium on Millimeter Waves (TSMMW) 2006, pp.159-164
학술대회
2006 Low Noise Amplifier Module for 60 GHz Wireless Personal Area Network (WPAN) utilizing Multilayer Low Temperature Co-fired Ceramic Technology   문재경   ESA Workshop on Millimetre Wave Technology and Applications 2006, pp.1-4
학술대회
2006 Influence of T-gate shape on the device characteristics in 0.12um AlGaAs/InGaAs PHEMT   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술지
2005 SPDT 단일 고주파 집적 회로 스위치용 pHEMT 채널 구조 설계   문재경   한국진공학회지, v.14 no.4, pp.207-214
학술지
2005 IEEE 802.11a 무선랜용 중간 전력 SPDT 초고주파 단일 집적 회로 스위치 제작 및 특성   문재경   한국통신학회논문지, v.30 no.10A, pp.965-970
학술지
2005 A Comparative Study of a Dielectric-Defined Process on AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs   임종원   ETRI Journal, v.27 no.3, pp.304-311 8 원문
학술대회
2003 Single Supply, High Linearity, High Efficient PHEMT Power Devices and Amplifier for 2 GHz & 5 GHz WLAN Applications   박민   European Microwave Conference (EuMC) 2003, pp.371-374 9 원문
학술지
2003 Electrical Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Schottky Diodes using a Photowashing Treatment in AlxGa1-xAs/InGaAs (X=0.75) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors   Sang Youn Han   Journal of Vacuum Science and Technology B, v.21 no.5, pp.2133-2137 8
학술지
2003 Au/Ge/Ni/Au and Pd/Ge/Ti/Au Ohmic Contacts to AlxGa1-xAs/InGaAs (x = 0.75) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor   Kyoung Jin Choi   Journal of the Korean Physical Society, v.43 no.2, pp.253-258 7
학술대회
2003 A 2-stage 5GHz-band MMIC Power Amplifier for WLAN using a 0.5um PHEMT Process   강동민   International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2003, pp.693-695
학술지
2002 Effects of Photowashing Treatment on Gate Leakage Current of GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors   최경진   Japanese Journal of Applied Physics, v.41 no.5A, pp.2894-2899 7 원문
학술대회
2002 The Effects of Plasma Induced Damage on The Channel Layers of Ion Implanted GaAs MESFETs during Reactive Ion Etching(RIE) and Plasma Ashing Processes   안호균   Materials Research Society (MRS) Meeting 2002 (Spring), v.720, pp.67-72 1 원문